TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, массивы MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат
Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IRF7328TR

IRF7328TR

MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOP

UMW

2,992 -
IRF7328TR

Технический лист

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel - 30V 8A (Ta) 21mOhm @ 8A, 10V 2.5V @ 250µA 78nC @ 10V 2675pF @ 25V 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
IRF7104TR

IRF7104TR

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SOP

UMW

2,958 -
IRF7104TR

Технический лист

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel - 30V 2.3A (Ta) 250mOhm @ 1A, 10V 3V @ 250µA 25nC @ 10V 290pF @ 15V 2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
FS10ASJ-3-T13#C01

FS10ASJ-3-T13#C01

MOSFET N-CH

Renesas Electronics Corporation

98,500 -
FS10ASJ-3-T13#C01

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
FS10ASJ-3-T13#C02

FS10ASJ-3-T13#C02

MOSFET N-CH

Renesas Electronics Corporation

53,358 -
FS10ASJ-3-T13#C02

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
FDS6892AZ

FDS6892AZ

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

Fairchild Semiconductor

7,470 -
FDS6892AZ

Технический лист

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 7.5A 18mOhm @ 7.5A, 4.5V 1.5V @ 250µA 17nC @ 4.5V 1286pF @ 10V 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
FS10ASJ-2-T13#B00

FS10ASJ-2-T13#B00

MOSFET N-CH

Renesas Electronics Corporation

6,000 -
FS10ASJ-2-T13#B00

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
SI4936DY

SI4936DY

MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC

Fairchild Semiconductor

5,278 -
SI4936DY

Технический лист

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 5.8A (Ta) 37mOhm @ 5.8A, 10V 1V @ 250µA 25nC @ 10V 460pF @ 15V 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
FDW2501N

FDW2501N

MOSFET 2N-CH 20V 6A 8TSSOP

Fairchild Semiconductor

321,187 -
FDW2501N

Технический лист

PowerTrench® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 6A 18mOhm @ 6A, 4.5V 1.5V @ 250µA 17nC @ 4.5V 1290pF @ 10V 600mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
FDMS7606

FDMS7606

MOSFET 2N-CH 30V 11.5A POWER56

Fairchild Semiconductor

2,540 -
FDMS7606

Технический лист

PowerTrench® 8-PowerWDFN Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 11.5A, 12A 11.4mOhm @ 11.5A, 10V 3V @ 250µA 22nC @ 10V 1400pF @ 15V 1W - - - Surface Mount Power56
IRFH4257DTRPBF

IRFH4257DTRPBF

MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN

International Rectifier

1,834 -
IRFH4257DTRPBF

Технический лист

HEXFET® 8-PowerVDFN Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 25V 25A 3.4mOhm @ 25A, 10V 2.1V @ 35µA 15nC @ 4.5V 1321pF @ 13V 25W, 28W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Dual PQFN (5x4)
FDG1024NZ

FDG1024NZ

MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC88

onsemi

13,774 -
FDG1024NZ

Технический лист

PowerTrench® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Last Time Buy MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 1.2A 175mOhm @ 1.2A, 4.5V 1V @ 250µA 2.6nC @ 4.5V 150pF @ 10V 300mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
G1008B

G1008B

MOSFET 100V 8A 8SOP

Goford Semiconductor

3,240 -
G1008B

Технический лист

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Active MOSFET (Metal Oxide) - - 100V 8A (Tc) 130mOhm @ 2A, 10V 3V @ 250µA 15.5nC @ 10V 690pF @ 25V 3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
FDMA1023PZ-F106

FDMA1023PZ-F106

MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET

onsemi

7,147 -
FDMA1023PZ-F106

Технический лист

PowerTrench® 6-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) - 20V 3.7A (Ta) 72mOhm @ 3.7A, 4.5V 1V @ 250µA 12nC @ 4.5V 655pF @ 10V 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
EFC4621R-TR

EFC4621R-TR

MOSFET 2N-CH EFCP1616

onsemi

10,000 -
EFC4621R-TR

Технический лист

- 4-XFBGA, FCBGA Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 2.5V Drive - - - - 29nC @ 4.5V - 1.6W 150°C (TJ) - - Surface Mount EFCP1616-4CE-022
SI4948BEY

SI4948BEY

MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOP

UMW

2,795 -
SI4948BEY

Технический лист

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel - 60V 2.4A (Ta) 120mOhm @ 3.1A, 10V 3V @ 250µA 22nC @ 10V - 1.4W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
FDS6993

FDS6993

MOSFET 2P-CH 30V/12V 4.3A 8SOIC

Fairchild Semiconductor

10,200 -
FDS6993

Технический лист

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V, 12V 4.3A, 6.8A 55mOhm @ 4.3A, 10V 3V @ 250µA 7.7nC @ 5V 530pF @ 15V 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
FDS6990S

FDS6990S

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

Fairchild Semiconductor

5,335 -
FDS6990S

Технический лист

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 7.5A (Ta) 22mOhm @ 7.5A, 10V 3V @ 1mA 16nC @ 5V 1233pF @ 15V 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
FDS8926

FDS8926

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SO

Fairchild Semiconductor

2,465 -

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
G18NP06Y

G18NP06Y

MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4

Goford Semiconductor

2,390 -
G18NP06Y

Технический лист

- TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD Cut Tape (CT) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel, Common Drain - 60V 18A (Tc) 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA 22nC @ 10V, 25nC @ 10V 1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V 45W (Tc), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252-4
IRF7342TR

IRF7342TR

MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOP

UMW

3,000 -
IRF7342TR

Технический лист

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel - 55V 3.4A (Tc) 105mOhm @ 3.4A, 10V 1V @ 250µA 38nC @ 10V 690pF @ 25V 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
Total 5689 Record«Prev1... 106107108109110111112113...285Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь