TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, массивы MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат
Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
CCB032M12FM3T

CCB032M12FM3T

MOSFET 6N-CH 1200V 40A MODULE

Wolfspeed, Inc.

33 -
CCB032M12FM3T

Технический лист

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 1200V (1.2kV) 40A (Tj) 42.6mOhm @ 30A, 15V 3.6V @ 11.5mA 118nC @ 15V 3400pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
NXH004P120M3F2PTNG

NXH004P120M3F2PTNG

MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM

onsemi

40 -
NXH004P120M3F2PTNG

Технический лист

- Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 338A (Tj) 5.5mOhm @ 200A, 18V 4.4V @ 120mA 876nC @ 20V 16410pF @ 800V 1.1kW (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount 36-PIM (56.7x62.8)
CCB021M12FM3T

CCB021M12FM3T

MOSFET 6N-CH 1200V 51A MODULE

Wolfspeed, Inc.

56 -
CCB021M12FM3T

Технический лист

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 1200V (1.2kV) 51A (Tj) 27.9mOhm @ 30A, 15V 3.6V @ 17.7mA 162nC @ 15V 4900pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
CAB008M12GM3T

CAB008M12GM3T

MOSFET 2N-CH 1200V 146A MODULE

Wolfspeed, Inc.

54 -
CAB008M12GM3T

Технический лист

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 146A (Tj) 10.4mOhm @ 150A, 15V 3.6V @ 46mA 472nC @ 15V 13600pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
CAB7R5A23GM4

CAB7R5A23GM4

MOSFET 2N-CH 2300V 150A

Wolfspeed, Inc.

54 -
CAB7R5A23GM4

Технический лист

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 2300V (2.3kV) 150A 10.5mOhm @ 160A, 15V 4V @ 76mA 590nC @ 15V 24400pF @ 1.5kV 510W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
CCB016M12GM3

CCB016M12GM3

MOSFET 6N-CH 1200V 50A MODULE

Wolfspeed, Inc.

38 -
CCB016M12GM3

Технический лист

- Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel - 1200V (1.2kV) 50A (Tj) 20.8mOhm @ 50A, 15V 3.9V @ 23mA 236nC @ 15V 6700pF @ 1000V 10mW -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
CAB006M12GM3T

CAB006M12GM3T

MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE

Wolfspeed, Inc.

36 -
CAB006M12GM3T

Технический лист

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 200A (Tj) 6.9mOhm @ 200A, 15V 3.6V @ 69mA 708nC @ 15V 20400pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
CCB016M12GM3T

CCB016M12GM3T

MOSFET 6N-CH 1200V 50A MODULE

Wolfspeed, Inc.

49 -
CCB016M12GM3T

Технический лист

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel - 1200V (1.2kV) 50A (Tj) 20.8mOhm @ 50A, 15V 3.9V @ 23mA 236nC @ 15V 6700pF @ 1000V 10mW -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
CAB006A12GM3T

CAB006A12GM3T

MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE

Wolfspeed, Inc.

39 -
CAB006A12GM3T

Технический лист

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 200A (Tj) 6.9mOhm @ 200A, 15V 3.6V @ 69mA 708nC @ 15V 20400pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
FBG30N04CSH

FBG30N04CSH

MOSFET 2N-CH 300V 4A 4SMD

EPC Space, LLC

46 -
FBG30N04CSH

Технический лист

eGaN® 4-SMD, No Lead Bulk Active GaNFET (Gallium Nitride) 2 N-Channel - 300V 4A (Tc) 404mOhm @ 4A, 5V 2.8V @ 600µA 2.6nC @ 5V 450pF @ 150V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-SMD
CAB5R0A23GM4

CAB5R0A23GM4

MOSFET 2N-CH 2300V 150A

Wolfspeed, Inc.

30 -
CAB5R0A23GM4

Технический лист

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 2300V (2.3kV) 150A 7mOhm @ 240A, 15V 4V @ 114mA 880nC @ 15V 36600pF @ 1.5kV 710W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
NTK3142PT1H-ON

NTK3142PT1H-ON

MOSFET P-CH

onsemi

100,800 -

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
NTK3142PT1H

NTK3142PT1H

MOSFET P-CH

Sanyo

20,000 -
NTK3142PT1H

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
3LN04SS-TL-H-SY

3LN04SS-TL-H-SY

MOSFET N-CH

Sanyo

2,968,000 -

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
EFC4601-M-TR

EFC4601-M-TR

MOSFET N-CH

Sanyo

2,700,000 -

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
EFC4601-M-TR-ON

EFC4601-M-TR-ON

MOSFET N-CH

onsemi

1,895,000 -

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
SCH2822-TL-E

SCH2822-TL-E

PCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES

onsemi

170,000 -

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
2SB808F-SPA-ON

2SB808F-SPA-ON

MOSFET N-CH

onsemi

35,003 -

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
2SB808F-SPA

2SB808F-SPA

MOSFET N-CH

Sanyo

21,994 -
2SB808F-SPA

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
FDS6900AS-G

FDS6900AS-G

MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC

onsemi

3,346 -

-

PowerTrench®, SyncFET™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 6.9A, 8.2A 27mOhm @ 6.9A, 10V 3V @ 250µA, 3V @ 1mA 15nC @ 10V 600pF @ 15V 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
Total 5689 Record«Prev1... 7879808182838485...285Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь