TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

Одиночные IGBT

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип IGBT Напряжение - Коллектор-Эмиттер Пробой (Макс.) Ток - Коллектор (Ic) (Макс.) Ток - Импульсный коллектор (Icm) Vce(on) (макс.) @ Vge, Ic Мощность - макс. Энергия переключения Тип входа Заряд затвора Td (вкл./выкл.) @ 25°C Условие теста Время обратного восстановления (trr) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

Одиночные IGBT

TomatoElec поставляет одиночные IGBT для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение одиночными биполярными транзисторами с изолированным затвором, используемыми в схемах переключения, преобразования энергии и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок одиночных IGBT и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении одиночными IGBT, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип IGBT Напряжение - Коллектор-Эмиттер Пробой (Макс.) Ток - Коллектор (Ic) (Макс.) Ток - Импульсный коллектор (Icm) Vce(on) (макс.) @ Vge, Ic Мощность - макс. Энергия переключения Тип входа Заряд затвора Td (вкл./выкл.) @ 25°C Условие теста Время обратного восстановления (trr) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
RGTV60TK65DGVC11

RGTV60TK65DGVC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM

Rohm Semiconductor

9,285 -
RGTV60TK65DGVC11

Технический лист

- TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 33 A 120 A 1.9V @ 15V, 30A 76 W 570µJ (on), 500µJ (off) Standard 64 nC 33ns/105ns 400V, 30A, 10Ohm, 15V 95 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PFM
RGW00TS65DGC11

RGW00TS65DGC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N

Rohm Semiconductor

2,940 -
RGW00TS65DGC11

Технический лист

- TO-247-3 Tube Not For New Designs Trench Field Stop 650 V 96 A 200 A 1.9V @ 15V, 50A 254 W 1.18mJ (on), 960µJ (off) Standard 141 nC 52ns/180ns 400V, 50A, 10Ohm, 15V 95 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
RGS80TS65HRC11

RGS80TS65HRC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 73A TO247N

Rohm Semiconductor

8,846 -
RGS80TS65HRC11

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 73 A 120 A 2.1V @ 15V, 40A 272 W 1.05mJ (on), 1.03mJ (off) Standard 48 nC 37ns/112ns 400V, 40A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
IXGH25N160

IXGH25N160

IGBT NPT 1600V 75A TO247AD

IXYS

9,409 -
IXGH25N160

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active NPT 1600 V 75 A 200 A 4.7V @ 20V, 100A 300 W - Standard 84 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
AIKW75N60CTXKSA1

AIKW75N60CTXKSA1

IC DISCRETE 600V TO247-3

Infineon Technologies

2,509 -
AIKW75N60CTXKSA1

Технический лист

TrenchStop™ TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 600 V 80 A 225 A 2V @ 15V, 75A 428 W 2mJ (on), 2.5mJ (off) Standard 470 nC 33ns/330ns 400V, 75A, 5Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-3-41
APT68GA60B

APT68GA60B

IGBT PT 600V 121A TO247

Microchip Technology

1 -
APT68GA60B

Технический лист

POWER MOS 8™ TO-247-3 Tube Active PT 600 V 121 A 202 A 2.5V @ 15V, 40A 520 W 715µJ (on), 607µJ (off) Standard 298 nC 21ns/133ns 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
IGW75N60H3FKSA1

IGW75N60H3FKSA1

IGBT TRENCH FS 600V 140A TO247-3

Infineon Technologies

22 -
IGW75N60H3FKSA1

Технический лист

TrenchStop® TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 600 V 140 A 225 A 2.3V @ 15V, 75A 428 W 3mJ (on), 1.7mJ (off) Standard 470 nC 31ns/265ns 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
RGTV00TS65DGC11

RGTV00TS65DGC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 95A TO247N

Rohm Semiconductor

6,320 -
RGTV00TS65DGC11

Технический лист

- TO-247-3 Tube Not For New Designs Trench Field Stop 650 V 95 A 200 A 1.9V @ 15V, 50A 276 W 1.17mJ (on), 940µJ (off) Standard 104 nC 41ns/142ns 400V, 50A, 10Ohm, 15V 102 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
RGS00TS65HRC11

RGS00TS65HRC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 88A TO247N

Rohm Semiconductor

6,074 -
RGS00TS65HRC11

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 88 A 150 A 2.1V @ 15V, 50A 326 W 1.46mJ (on), 1.29mJ (off) Standard 58 nC 36ns/115ns 400V, 50A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
IXYH90N65A5

IXYH90N65A5

IGBT PT 650V 220A TO247

IXYS

9,410 -
IXYH90N65A5

Технический лист

XPT™, GenX5™ TO-247-3 Tube Active PT 650 V 220 A 600 A 1.35V @ 15V, 60A 650 W 1.3mJ (on), 3.4mJ (off) Standard 260 nC 40ns/420ns 400V, 50A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
IXYH30N170C

IXYH30N170C

1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB

IXYS

2,826 -
IXYH30N170C

Технический лист

XPT™ TO-247-3 Tube Active - 1700 V 108 A 255 A 3.7V @ 15V, 30A 937 W 5.9mJ (on), 3.3mJ (off) Standard 140 nC 28ns/150ns 850V, 30A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
IXYH24N90C3D1

IXYH24N90C3D1

IGBT 900V 44A 200W C3 TO-247

IXYS

1 -
IXYH24N90C3D1

Технический лист

GenX3™, XPT™ TO-247-3 Tube Active - 900 V 44 A 105 A 2.7V @ 15V, 24A 200 W 1.35mJ (on), 400µJ (off) Standard 40 nC 20ns/73ns 450V, 24A, 10Ohm, 15V 340 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
APT35GN120SG

APT35GN120SG

IGBT NPT FS 1200V 94A D3PAK

Microchip Technology

23 -
APT35GN120SG

Технический лист

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active NPT, Trench Field Stop 1200 V 94 A 105 A 2.1V @ 15V, 35A 379 W -, 2.315mJ (off) Standard 220 nC 24ns/300ns 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D3PAK
APT80GA60B

APT80GA60B

IGBT PT 600V 143A TO247

Microchip Technology

7,903 -
APT80GA60B

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active PT 600 V 143 A 240 A 2.5V @ 15V, 47A 625 W 840µJ (on), 751µJ (off) Standard 230 nC 23ns/158ns 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
IXGH6N170

IXGH6N170

IGBT 1700V 12A 75W TO247

IXYS

5,038 -
IXGH6N170

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active NPT 1700 V 12 A 24 A 4V @ 15V, 6A 75 W 1.5mJ (off) Standard 20 nC 40ns/250ns 1360V, 6A, 33Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
IXGH40N120B2D1

IXGH40N120B2D1

IGBT 1200V 75A 380W TO247

IXYS

7,481 -
IXGH40N120B2D1

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active PT 1200 V 75 A 200 A 3.5V @ 15V, 40A 380 W 4.5mJ (on), 3mJ (off) Standard 138 nC 21ns/290ns 960V, 40A, 2Ohm, 15V 100 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
IXGH30N120B3D1

IXGH30N120B3D1

IGBT 1200V 300W TO247AD

IXYS

2 -
IXGH30N120B3D1

Технический лист

GenX3™ TO-247-3 Tube Active PT 1200 V - 150 A 3.5V @ 15V, 30A 300 W 3.47mJ (on), 2.16mJ (off) Standard 87 nC 16ns/127ns 960V, 30A, 5Ohm, 15V 100 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
APT50GN120B2G

APT50GN120B2G

IGBT NPT FIELD STOP 1200V 134A

Microchip Technology

4,291 -
APT50GN120B2G

Технический лист

- TO-247-3 Variant Tube Active NPT, Trench Field Stop 1200 V 134 A 150 A 2.1V @ 15V, 50A 543 W 4495µJ (off) Standard 315 nC 28ns/320ns 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole -
IXBT16N170A

IXBT16N170A

IGBT 1700V 16A TO268AA

IXYS

5,011 -
IXBT16N170A

Технический лист

BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 1700 V 16 A 40 A 6V @ 15V, 10A 150 W 1.2mJ (off) Standard 65 nC 15ns/160ns 1360V, 10A, 10Ohm, 15V 360 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
APT64GA90B2D30

APT64GA90B2D30

IGBT PT 900V 117A TO247

Microchip Technology

2 -
APT64GA90B2D30

Технический лист

POWER MOS 8™ TO-247-3 Variant Tube Active PT 900 V 117 A 193 A 3.1V @ 15V, 38A 500 W 1192µJ (on), 1088µJ (off) Standard 162 nC 18ns/131ns 600V, 38A, 4.7Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole -
Total 4371 Record«Prev1... 9192939495969798...219Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь