TomatoElecОтслеживание заказа TomatoElecМой аккаунт
    Популярные запросы DDZ7V5CS-7 RS1MWF-7 BAS116-7-F AP7345D-1833RH4-7 FCX493TA SDM02U30CSP-7 LM5164DDAR AP22653W6-7 ZXSC410E6TA D8V0L1B2LP-7B
    TomatoElec

    Доступно 24/7 по

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Все категории
    Главная > Продукты  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить все
    Применить ко всем
    Результат

    FET и MOSFET

    TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

    Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

    Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

    Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPZ60R040C7XKSA1

    IPZ60R040C7XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4

    Infineon Technologies

    		 641 -
    Запрос цены
    		IPZ60R040C7XKSA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ C7 TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 50A (Tc) 10V 40mOhm @ 24.9A, 10V 4V @ 1.24mA 107 nC @ 10 V ±20V 4340 pF @ 400 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4
    G3R60MT07D

    G3R60MT07D

    750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET

    GeneSiC Semiconductor

    		 1,839 -
    Запрос цены
    		G3R60MT07D

    Технический лист

         		G3R™ TO-247-3 Tube Active - SiCFET (Silicon Carbide) 750 V - - - - - +20V, -10V - - - - - - Through Hole TO-247-3
    IXTH6N50D2

    IXTH6N50D2

    MOSFET N-CH 500V 6A TO247

    Littelfuse Inc.

    		 220 -
    Запрос цены
    		IXTH6N50D2

    Технический лист

         		Depletion TO-247-3 Tube Active N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 500 V 6A (Tc) - 500mOhm @ 3A, 0V - 96 nC @ 5 V ±20V 2800 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    AUIRF7769L2TR

    AUIRF7769L2TR

    MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    		 7,817 -
    Запрос цены
    		AUIRF7769L2TR

    Технический лист

         		HEXFET® DirectFET™ Isometric L8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 375A (Tc) 10V 3.5mOhm @ 74A, 10V 4V @ 250µA 300 nC @ 10 V ±20V 11560 pF @ 25 V - 3.3W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
    IXTQ69N30P

    IXTQ69N30P

    MOSFET N-CH 300V 69A TO3P

    Littelfuse Inc.

    		 293 -
    Запрос цены
    		IXTQ69N30P

    Технический лист

         		Polar TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 69A (Tc) 10V 49mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 4960 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    IPW65R035CFD7AXKSA1

    IPW65R035CFD7AXKSA1

    MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41

    Infineon Technologies

    		 1,148 -
    Запрос цены
    		IPW65R035CFD7AXKSA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ CFD7A TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 63A (Tc) 10V 35mOhm @ 35.8A, 10V 4.5V @ 1.79mA 145 nC @ 10 V ±20V 7149 pF @ 400 V - 305W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-3-41
    IXTA60N20X4

    IXTA60N20X4

    MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-263

    Littelfuse Inc.

    		 751 -
    Запрос цены
    		IXTA60N20X4

    Технический лист

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 60A (Tc) 10V 21mOhm @ 30A, 10V 4.5V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±20V 2450 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (IXTA)
    G3R60MT07K

    G3R60MT07K

    750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET

    GeneSiC Semiconductor

    		 1,151 -
    Запрос цены
    		G3R60MT07K

    Технический лист

         		G3R™ TO-247-4 Tube Active - SiCFET (Silicon Carbide) 750 V - - - - - +20V, -10V - - - - - - Through Hole TO-247-4
    SPW35N60C3FKSA1

    SPW35N60C3FKSA1

    MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3

    Infineon Technologies

    		 131 -
    Запрос цены
    		SPW35N60C3FKSA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 34.6A (Tc) 10V 100mOhm @ 21.9A, 10V 3.9V @ 1.9mA 200 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 313W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
    SIHG47N60E-GE3

    SIHG47N60E-GE3

    MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

    Vishay Siliconix

    		 374 -
    Запрос цены
    		SIHG47N60E-GE3

    Технический лист

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 64mOhm @ 24A, 10V 4V @ 250µA 220 nC @ 10 V ±30V 9620 pF @ 100 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    UF4C120053K3S

    UF4C120053K3S

    1200V/53MOHM, SIC, FAST CASCODE,

    Qorvo

    		 529 -
    Запрос цены
    		UF4C120053K3S

    Технический лист

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 1200 V 34A (Tc) 12V 67mOhm @ 20A, 12V 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V ±20V 1370 pF @ 800 V - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    SIHG050N60E-GE3

    SIHG050N60E-GE3

    MOSFET N-CH 600V 51A TO247AC

    Vishay Siliconix

    		 392 -
    Запрос цены
    		SIHG050N60E-GE3

    Технический лист

         		E TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 51A (Tc) 10V 50mOhm @ 23A, 10V 5V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±30V 3459 pF @ 100 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    NVH4L080N120SC1

    NVH4L080N120SC1

    SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4

    onsemi

    		 347 -
    Запрос цены
    		NVH4L080N120SC1

    Технический лист

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 29A (Tc) 20V 110mOhm @ 20A, 20V 4.3V @ 5mA 56 nC @ 20 V +25V, -15V 1670 pF @ 800 V - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    IXFK140N20P

    IXFK140N20P

    MOSFET N-CH 200V 140A TO264AA

    Littelfuse Inc.

    		 350 -
    Запрос цены
    		IXFK140N20P

    Технический лист

         		HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 140A (Tc) 10V, 15V 18mOhm @ 70A, 10V 5V @ 4mA 240 nC @ 10 V ±20V 7500 pF @ 25 V - 830W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    IXFH6N120P

    IXFH6N120P

    MOSFET N-CH 1200V 6A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    		 451 -
    Запрос цены
    		IXFH6N120P

    Технический лист

         		HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 6A (Tc) 10V 2.4Ohm @ 500mA, 10V 5V @ 1mA 92 nC @ 10 V ±30V 2830 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    STP34NM60N

    STP34NM60N

    MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3

    STMicroelectronics

    		 267 -
    Запрос цены
    		STP34NM60N

    Технический лист

         		MDmesh™ II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V 105mOhm @ 14.5A, 10V 4V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±25V 2722 pF @ 100 V - 250W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    SCT2280KEGC11

    SCT2280KEGC11

    1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE

    Rohm Semiconductor

    		 1,664 -
    Запрос цены
    		SCT2280KEGC11

    Технический лист

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 14A (Tc) 18V 364mOhm @ 4A, 18V 4V @ 1.4mA 36 nC @ 18 V +22V, -6V 667 pF @ 800 V - 108W (Tc) 175°C - - Through Hole TO-247N
    STW12N120K5

    STW12N120K5

    MOSFET N-CH 1200V 12A TO247

    STMicroelectronics

    		 1,172 -
    Запрос цены
    		STW12N120K5

    Технический лист

         		MDmesh™ K5 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 12A (Tc) 10V 690mOhm @ 6A, 10V 5V @ 100µA 44.2 nC @ 10 V ±30V 1370 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IMBG65R048M1HXTMA1

    IMBG65R048M1HXTMA1

    SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

    Infineon Technologies

    		 865 -
    Запрос цены
    		IMBG65R048M1HXTMA1

    Технический лист

         		CoolSiC™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 45A (Tc) 18V 64mOhm @ 20.1A, 18V 5.7V @ 6mA 33 nC @ 18 V +23V, -5V 1118 pF @ 400 V - 183W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-12
    IXTH110N25T

    IXTH110N25T

    MOSFET N-CH 250V 110A TO247

    Littelfuse Inc.

    		 599 -
    Запрос цены
    		IXTH110N25T

    Технический лист

         		Trench TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 110A (Tc) 10V 24mOhm @ 55A, 10V 4.5V @ 1mA 157 nC @ 10 V ±20V 9400 pF @ 25 V - 694W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    Total 36322 Record«Prev1... 106107108109110111112113...1817Next»
    TomatoElec

    Поиск

     TomatoElec

    Продукты

     TomatoElec

    Телефон

     TomatoElec

    Пользователь
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135