TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
GP2T080A120U

GP2T080A120U

SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L

SemiQ

1,149 -
GP2T080A120U

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 35A (Tc) 20V 100mOhm @ 20A, 20V 4V @ 10mA 58 nC @ 20 V +25V, -10V 1377 pF @ 1000 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
NTHL065N65S3F

NTHL065N65S3F

MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3

onsemi

6,586 -
NTHL065N65S3F

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 46A (Tc) 10V 65mOhm @ 23A, 10V 5V @ 4.6mA 98 nC @ 10 V ±30V 4075 pF @ 400 V - 337W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
SCT2450KEHRC11

SCT2450KEHRC11

1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE

Rohm Semiconductor

427 -
SCT2450KEHRC11

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 10A (Tc) 18V 585mOhm @ 3A, 18V 4V @ 900µA 27 nC @ 18 V +22V, -6V 463 pF @ 800 V - 85W (Tc) 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
STH12N120K5-2

STH12N120K5-2

MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2

STMicroelectronics

2,999 -
STH12N120K5-2

Технический лист

MDmesh™ K5 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 12A (Tc) 10V 690mOhm @ 6A, 10V 5V @ 100µA 44.2 nC @ 10 V ±30V 1370 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount H2PAK-2
IXFH180N20X3

IXFH180N20X3

MOSFET N-CH 200V 180A TO247

Littelfuse Inc.

542 -
IXFH180N20X3

Технический лист

HiPerFET™, Ultra X3 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 180A (Tc) 10V 7.5mOhm @ 90A, 10V 4.5V @ 4mA 154 nC @ 10 V ±20V 10300 pF @ 25 V - 780W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
NTBL045N065SC1

NTBL045N065SC1

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3

onsemi

1,688 -
NTBL045N065SC1

Технический лист

- 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 73A (Tc) 15V, 18V 50mOhm @ 25A, 18V 4.3V @ 8mA 105 nC @ 18 V +22.6V, -8V 1870 pF @ 325 V - 348W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-HPSOF
IXTK150N15P

IXTK150N15P

MOSFET N-CH 150V 150A TO264

Littelfuse Inc.

305 -
IXTK150N15P

Технический лист

Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 150A (Tc) 10V 13mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 250µA 190 nC @ 10 V ±20V 5800 pF @ 25 V - 714W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXTK)
IPW65R029CFD7XKSA1

IPW65R029CFD7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3

Infineon Technologies

154 -
IPW65R029CFD7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 69A (Tc) - 29mOhm @ 35.8A, 10V 4.5V @ 1.79mA 145 nC @ 10 V ±20V 7149 pF @ 400 V - 305W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
IXFH50N85X

IXFH50N85X

MOSFET N-CH 850V 50A TO247

Littelfuse Inc.

1,058 -
IXFH50N85X

Технический лист

HiPerFET™, Ultra X TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 850 V 50A (Tc) 10V 105mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 4mA 152 nC @ 10 V ±30V 4480 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
IPW65R041CFDFKSA2

IPW65R041CFDFKSA2

MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3

Infineon Technologies

611 -
IPW65R041CFDFKSA2

Технический лист

CoolMOS™ CFD2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 68.5A (Tc) 10V 41mOhm @ 33.1A, 10V 4.5V @ 3.3mA 300 nC @ 10 V ±20V 8400 pF @ 100 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
IXFH120N25X3

IXFH120N25X3

MOSFET N-CH 250V 120A TO247

Littelfuse Inc.

165 -
IXFH120N25X3

Технический лист

HiPerFET™, Ultra X3 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 120A (Tc) 10V 12mOhm @ 60A, 10V 4.5V @ 4mA 122 nC @ 10 V ±20V 7870 pF @ 25 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
IXFX360N10T

IXFX360N10T

MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247-3

Littelfuse Inc.

298 -
IXFX360N10T

Технический лист

HiPerFET™, Trench TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 360A (Tc) 10V 2.9mOhm @ 100A, 10V 5V @ 3mA 525 nC @ 10 V ±20V 33000 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
NTBG080N120SC1

NTBG080N120SC1

SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

onsemi

1,035 -
NTBG080N120SC1

Технический лист

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 30A (Tc) 20V 110mOhm @ 20A, 20V 4.3V @ 5mA 56 nC @ 20 V +25, -15V 1154 pF @ 800 V - 179W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK-7
IXTA86N20X4

IXTA86N20X4

MOSFET 200V 86A N-CH ULTRA TO263

Littelfuse Inc.

597 -
IXTA86N20X4

Технический лист

Ultra X4 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 86A (Tc) 10V 13mOhm @ 43A, 10V 4.5V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 2250 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IXTA15N50L2

IXTA15N50L2

MOSFET N-CH 500V 15A TO263

IXYS

134 -
IXTA15N50L2

Технический лист

Linear L2™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 15A (Tc) 10V 480mOhm @ 7.5A, 10V 4.5V @ 250µA 123 nC @ 10 V ±20V 4080 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
NVBG075N065SC1

NVBG075N065SC1

SIC MOS D2PAK-7L 650V

onsemi

3,116 -
NVBG075N065SC1

Технический лист

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 37A (Tc) 15V, 18V 85mOhm @ 15A, 18V 4.3V @ 5mA 59 nC @ 18 V - 1191 pF @ 325 V - 139W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK-7
IXFH40N85X

IXFH40N85X

MOSFET N-CH 850V 40A TO247

Littelfuse Inc.

368 -
IXFH40N85X

Технический лист

HiPerFET™, Ultra X TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 850 V 40A (Tc) 10V 145mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 4mA 98 nC @ 10 V ±30V 3700 pF @ 25 V - 860W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
UF3C120080K3S

UF3C120080K3S

SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3

Qorvo

16,414 -
UF3C120080K3S

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 1200 V 33A (Tc) 12V 100mOhm @ 20A, 12V 6V @ 10mA 51 nC @ 15 V ±25V 1500 pF @ 100 V - 254.2W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
UF3C120080K4S

UF3C120080K4S

SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4

Qorvo

16,390 -
UF3C120080K4S

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 1200 V 33A (Tc) 12V 100mOhm @ 20A, 12V 6V @ 10mA 43 nC @ 12 V ±25V 1500 pF @ 100 V - 254.2W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
APT30M70BVRG

APT30M70BVRG

MOSFET N-CH 300V 48A TO247

Microchip Technology

101 -
APT30M70BVRG

Технический лист

POWER MOS V® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 48A (Tc) 10V 70mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 225 nC @ 10 V ±30V 5870 pF @ 25 V - 370W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
Total 36322 Record«Prev1... 109110111112113114115116...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь