TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
FCH040N65S3-F155

FCH040N65S3-F155

MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3

onsemi

1,010 -
FCH040N65S3-F155

Технический лист

SuperFET® III TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 65A (Tc) 10V 40mOhm @ 32.5A, 10V 4.5V @ 6.5mA 136 nC @ 10 V ±30V 4740 pF @ 400 V - 417W (Tc) -55°C ~ 150°C - - Through Hole TO-247-3
SCT4062KEHRC11

SCT4062KEHRC11

1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Rohm Semiconductor

166 -
SCT4062KEHRC11

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 26A (Tc) 18V 81mOhm @ 12A, 18V 4.8V @ 6.45mA 64 nC @ 18 V +21V, -4V 1498 pF @ 800 V - 115W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
STW45NM50

STW45NM50

MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3

STMicroelectronics

491 -
STW45NM50

Технический лист

MDmesh™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 45A (Tc) 10V 100mOhm @ 22.5A, 10V 5V @ 250µA 117 nC @ 10 V ±30V 3700 pF @ 25 V - 417W (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
FCH041N60E

FCH041N60E

MOSFET N-CH 600V 77A TO247-3

onsemi

430 -
FCH041N60E

Технический лист

SuperFET® II TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 77A (Tc) 10V 41mOhm @ 39A, 10V 3.5V @ 250µA 380 nC @ 10 V ±20V 13700 pF @ 100 V - 592W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
SIHG73N60E-GE3

SIHG73N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC

Vishay Siliconix

114 -
SIHG73N60E-GE3

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 73A (Tc) 10V 39mOhm @ 36A, 10V 4V @ 250µA 362 nC @ 10 V ±30V 7700 pF @ 100 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IMBG65R030M1HXTMA1

IMBG65R030M1HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Infineon Technologies

924 -
IMBG65R030M1HXTMA1

Технический лист

CoolSiC™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 63A (Tc) 18V 42mOhm @ 29.5A, 18V 5.7V @ 8.8mA 49 nC @ 18 V +23V, -5V 1643 pF @ 400 V - 234W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-12
STW88N65M5-4

STW88N65M5-4

MOSFET N-CH 650V 84A TO247-4L

STMicroelectronics

183 -
STW88N65M5-4

Технический лист

MDmesh™ M5 TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 84A (Tc) 10V 29mOhm @ 42A, 10V 5V @ 250µA 204 nC @ 10 V ±25V 8825 pF @ 100 V - 450W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
C3M0120100K

C3M0120100K

SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4L

Wolfspeed, Inc.

2,476 -
C3M0120100K

Технический лист

C3M™ TO-247-4 Tube Last Time Buy N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1000 V 22A (Tc) 15V 155mOhm @ 15A, 15V 3.5V @ 3mA 21.5 nC @ 15 V ±15V 350 pF @ 600 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
C3M0120090J-TR

C3M0120090J-TR

SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7

Wolfspeed, Inc.

1,756 -
C3M0120090J-TR

Технический лист

C3M™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 900 V 22A (Tc) 15V 155mOhm @ 15A, 15V 3.5V @ 3mA 17.3 nC @ 15 V +18V, -8V 350 pF @ 600 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
TP65H070LDG-TR

TP65H070LDG-TR

650 V 25 A GAN FET

Transphorm

662 -
TP65H070LDG-TR

Технический лист

TP65H070L 3-PowerDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 25A (Tc) 10V 85mOhm @ 16A, 10V 4.8V @ 700µA 9.3 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 400 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-PQFN (8x8)
SCT3060ALGC11

SCT3060ALGC11

SICFET N-CH 650V 39A TO247N

Rohm Semiconductor

462 -
SCT3060ALGC11

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 39A (Tc) 18V 78mOhm @ 13A, 18V 5.6V @ 6.67mA 58 nC @ 18 V +22V, -4V 852 pF @ 500 V - 165W (Tc) 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
IXFX520N075T2

IXFX520N075T2

MOSFET N-CH 75V 520A PLUS247-3

Littelfuse Inc.

310 -
IXFX520N075T2

Технический лист

HiPerFET™, TrenchT2™ TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 520A (Tc) 10V 2.2mOhm @ 100A, 10V 5V @ 8mA 545 nC @ 10 V ±20V 41000 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXFK520N075T2

IXFK520N075T2

MOSFET N-CH 75V 520A TO264AA

Littelfuse Inc.

315 -
IXFK520N075T2

Технический лист

HiPerFET™, TrenchT2™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 520A (Tc) 10V 2.2mOhm @ 100A, 10V 5V @ 8mA 545 nC @ 10 V ±20V 41000 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
NVHL040N65S3F

NVHL040N65S3F

MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3

onsemi

573 -
NVHL040N65S3F

Технический лист

SuperFET® III, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 65A (Tc) 10V 40mOhm @ 32.5A, 10V 5V @ 2.1mA 153 nC @ 10 V ±30V 5875 pF @ 400 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
FCH041N65F-F085

FCH041N65F-F085

MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3

onsemi

306 -
FCH041N65F-F085

Технический лист

SuperFET® II TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 76A (Tc) 10V 41mOhm @ 38A, 10V 5V @ 250µA 304 nC @ 10 V ±20V 13566 pF @ 25 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
IXFK360N10T

IXFK360N10T

MOSFET N-CH 100V 360A TO264AA

Littelfuse Inc.

242 -
IXFK360N10T

Технический лист

HiPerFET™, Trench TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 360A (Tc) 10V 2.9mOhm @ 100A, 10V 5V @ 3mA 525 nC @ 10 V ±20V 33000 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
SCTH35N65G2V-7

SCTH35N65G2V-7

SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7

STMicroelectronics

1,694 -
SCTH35N65G2V-7

Технический лист

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 45A (Tc) 18V, 20V 67mOhm @ 20A, 20V 5V @ 1mA 73 nC @ 20 V +22V, -10V 1370 pF @ 400 V - 208W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount H2PAK-7
SCT4045DRC15

SCT4045DRC15

750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Rohm Semiconductor

3,459 -
SCT4045DRC15

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 34A (Tc) 18V 59mOhm @ 17A, 18V 4.8V @ 8.89mA 63 nC @ 18 V +21V, -4V 1460 pF @ 500 V - 115W 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
MSC035SMA070B4

MSC035SMA070B4

TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4

Microchip Technology

136 -
MSC035SMA070B4

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 700 V 77A (Tc) 20V 44mOhm @ 30A, 20V 2.7V @ 2mA (Typ) 99 nC @ 20 V +23V, -10V 2010 pF @ 700 V - 283W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
IXTK120N65X2

IXTK120N65X2

MOSFET N-CH 650V 120A TO264

Littelfuse Inc.

221 -
IXTK120N65X2

Технический лист

Ultra X2 TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 120A (Tc) 10V 24mOhm @ 60A, 10V 4.5V @ 8mA 240 nC @ 10 V ±30V 13600 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXTK)
Total 36322 Record«Prev1... 110111112113114115116117...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь