FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IRFZ24PBF-BE3

IRFZ24PBF-BE3

MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB

Vishay Siliconix

158 -

-

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 17A (Tc) - 100mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 640 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
SISS30LDN-T1-GE3

SISS30LDN-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 16A/55.5A PPAK

Vishay Siliconix

10,781 -
SISS30LDN-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 1212-8S Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 16A (Ta), 55.5A (Tc) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V 2070 pF @ 40 V - 4.8W (Ta), 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
RSH065N06GZETB

RSH065N06GZETB

MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP

Rohm Semiconductor

109 -
RSH065N06GZETB

Технический лист

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 6.5A (Ta) 4V, 10V 37mOhm @ 6.5A, 10V 2.5V @ 1mA 16 nC @ 5 V 20V 900 pF @ 10 V - 2W (Ta) 150°C - - Surface Mount 8-SOP
SQJA04EP-T1_GE3

SQJA04EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

5,954 -
SQJA04EP-T1_GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 75A (Tc) 10V 6.2mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 55 nC @ 10 V ±20V 3500 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
SQJ454EP-T1_BE3

SQJ454EP-T1_BE3

N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE

Vishay Siliconix

5,380 -
SQJ454EP-T1_BE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 13A (Tc) 4.5V, 10V 145mOhm @ 7.5A, 10V 2.5V @ 250µA 85 nC @ 10 V ±20V 2600 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
TQM130NB06CR RLG

TQM130NB06CR RLG

MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU

Taiwan Semiconductor Corporation

3,443 -
TQM130NB06CR RLG

Технический лист

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 10A (Ta), 50A (Tc) 7V, 10V 13mOhm @ 10A, 10V 3.8V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V 2234 pF @ 30 V - 3.1W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 8-PDFNU (5x6)
SI4894BDY-T1-E3

SI4894BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO

Vishay Siliconix

11,198 -
SI4894BDY-T1-E3

Технический лист

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.9A (Ta) 4.5V, 10V 11mOhm @ 12A, 10V 3V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 1580 pF @ 15 V - 1.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
CSD17579Q3AT

CSD17579Q3AT

MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON

Texas Instruments

4,869 -
CSD17579Q3AT

Технический лист

NexFET™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Ta) 4.5V, 10V 10.2mOhm @ 8A, 10V 1.9V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 998 pF @ 15 V - 3.2W (Ta), 29W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSONP (3x3.3)
ZXMN10A25KTC

ZXMN10A25KTC

MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3

Diodes Incorporated

4,709 -
ZXMN10A25KTC

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.2A (Ta) 6V, 10V 125mOhm @ 2.9A, 10V 4V @ 250µA 17.16 nC @ 10 V ±20V 859 pF @ 50 V - 2.11W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252-3
BUK9635-55A,118

BUK9635-55A,118

MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK

Nexperia USA Inc.

4,281 -
BUK9635-55A,118

Технический лист

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 34A (Tc) 5V, 10V 32mOhm @ 25A, 10V 2V @ 1mA - ±10V 1173 pF @ 25 V - 85W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
BSZ0503NSIATMA1

BSZ0503NSIATMA1

MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON

Infineon Technologies

3,716 -
BSZ0503NSIATMA1

Технический лист

OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 10V 3.4mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 15 V - 2.1W (Ta), 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
STU9N60M2

STU9N60M2

MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK

STMicroelectronics

1,776 -
STU9N60M2

Технический лист

MDmesh™ II Plus TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5.5A (Tc) 10V 780mOhm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±25V 320 pF @ 100 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251 (IPAK)
SI7117DN-T1-GE3

SI7117DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK

Vishay Siliconix

1,461 -
SI7117DN-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 2.17A (Tc) 6V, 10V 1.2Ohm @ 500mA, 10V 4.5V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 510 pF @ 25 V - 3.2W (Ta), 12.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
NTTFS5D1N06HLTAG

NTTFS5D1N06HLTAG

MOSFET N-CH 60V 18A/78A 8WDFN

onsemi

335 -
NTTFS5D1N06HLTAG

Технический лист

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 18A (Ta), 78A (Tc) 4.5V, 10V 5.2mOhm @ 16A, 10V 2V @ 80µA 22.5 nC @ 10 V ±20V 1610 pF @ 30 V - 3.2W (Ta), 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
UPA2738GR-E1-AX

UPA2738GR-E1-AX

MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP

Renesas Electronics Corporation

10,325 -
UPA2738GR-E1-AX

Технический лист

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta) 4.5V, 10V 15mOhm @ 10A, 10V - 37 nC @ 10 V ±20V 1450 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) 150°C - - Surface Mount 8-SOP
SQJA80EP-T1_BE3

SQJA80EP-T1_BE3

N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

Vishay Siliconix

8,960 -
SQJA80EP-T1_BE3

Технический лист

- PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
SQJ444EP-T1_BE3

SQJ444EP-T1_BE3

N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Vishay Siliconix

6,000 -
SQJ444EP-T1_BE3

Технический лист

- PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 3.2mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V 5000 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
SQJ444EP-T1_GE3

SQJ444EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

3,878 -
SQJ444EP-T1_GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 3.2mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V 5000 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
SIHD6N80AE-GE3

SIHD6N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 5A DPAK

Vishay Siliconix

3,014 -
SIHD6N80AE-GE3

Технический лист

E TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 5A (Tc) 10V 950mOhm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 22.5 nC @ 10 V ±30V 422 pF @ 100 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
RD3T050CNTL1

RD3T050CNTL1

MOSFET N-CH 200V 5A TO252

Rohm Semiconductor

1,982 -
RD3T050CNTL1

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5A (Tc) 10V 760mOhm @ 2.5A, 10V 5.25V @ 1mA 8.3 nC @ 10 V ±30V 330 pF @ 25 V - 29W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
Total 36322 Record«Prev1... 139140141142143144145146...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь