TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
SI7888DP-T1-GE3

SI7888DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

9,172 -

-

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.4A (Ta) 4.5V, 10V 12mOhm @ 12.4A, 10V 2V @ 250µA 10.5 nC @ 5 V ±12V - - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
SI8405DB-T1-E3

SI8405DB-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 3.6A 4MICROFOOT

Vishay Siliconix

4,929 -

-

TrenchFET® 4-XFBGA, CSPBGA Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 3.6A (Ta) 1.8V, 4.5V 55mOhm @ 1A, 4.5V 950mV @ 250µA 21 nC @ 4.5 V ±8V - - 1.47W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-Microfoot
SI8441DB-T2-E1

SI8441DB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V 10.5A 6MICROFOOT

Vishay Siliconix

3,130 -

-

TrenchFET® 6-UFBGA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 10.5A (Tc) 1.2V, 4.5V 80mOhm @ 1A, 4.5V 700mV @ 250µA 13 nC @ 5 V ±5V 600 pF @ 10 V - 2.77W (Ta), 13W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
SI9410BDY-T1-GE3

SI9410BDY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SO

Vishay Siliconix

6,861 -

-

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.2A (Ta) 4.5V, 10V 24mOhm @ 8.1A, 10V 3V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V - - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
SI9424BDY-T1-GE3

SI9424BDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SO

Vishay Siliconix

6,919 -
SI9424BDY-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.6A (Ta) 2.5V, 4.5V 25mOhm @ 7.1A, 4.5V 850mV @ 250µA 40 nC @ 4.5 V ±9V - - 1.25W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
SI9434BDY-T1-GE3

SI9434BDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO

Vishay Siliconix

4,010 -
SI9434BDY-T1-GE3

Технический лист

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.5A (Ta) 2.5V, 4.5V 40mOhm @ 6.3A, 4.5V 1.5V @ 250µA 18 nC @ 4.5 V ±8V - - 1.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
SIA850DJ-T1-GE3

SIA850DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 190V 950MA PPAK

Vishay Siliconix

5,294 -
SIA850DJ-T1-GE3

Технический лист

LITTLE FOOT® PowerPAK® SC-70-6 Dual Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 190 V 950mA (Tc) 1.8V, 4.5V 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V 1.4V @ 250µA 4.5 nC @ 10 V ±16V 90 pF @ 100 V Schottky Diode (Isolated) 1.9W (Ta), 7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
SIB408DK-T1-GE3

SIB408DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6

Vishay Siliconix

4,442 -
SIB408DK-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SC-75-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7A (Tc) 4.5V, 10V 40mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 9.5 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 15 V - 2.4W (Ta), 13W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
SIB411DK-T1-GE3

SIB411DK-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6

Vishay Siliconix

4,329 -

-

TrenchFET® PowerPAK® SC-75-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 9A (Tc) 1.8V, 4.5V 66mOhm @ 3.3A, 4.5V 1V @ 250µA 15 nC @ 8 V ±8V 470 pF @ 10 V - 2.4W (Ta), 13W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
SIE726DF-T1-GE3

SIE726DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK

Vishay Siliconix

6,317 -

-

SkyFET®, TrenchFET® 10-PolarPAK® (L) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 2.4mOhm @ 25A, 10V 3V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 7400 pF @ 15 V - 5.2W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
SIE800DF-T1-GE3

SIE800DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 50A 10POLARPAK

Vishay Siliconix

8,600 -
SIE800DF-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® 10-PolarPAK® (S) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 7.2mOhm @ 11A, 10V 3V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 1600 pF @ 15 V - 5.2W (Ta), 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 10-PolarPAK® (S)
SIE804DF-T1-GE3

SIE804DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 37A 10POLARPAK

Vishay Siliconix

6,047 -

-

TrenchFET® 10-PolarPAK® (LH) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 37A (Tc) 6V, 10V 38mOhm @ 7.6A, 10V 3V @ 250µA 105 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 50 V - 5.2W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 10-PolarPAK® (LH)
SIE844DF-T1-GE3

SIE844DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 44.5A 10POLARPAK

Vishay Siliconix

2,437 -

-

TrenchFET® 10-PolarPAK® (U) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 44.5A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 12.1A, 10V 3V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 2150 pF @ 15 V - 5.2W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 10-PolarPAK® (U)
SIE848DF-T1-E3

SIE848DF-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK

Vishay Siliconix

8,045 -

-

TrenchFET® 10-PolarPAK® (L) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 1.6mOhm @ 25A, 10V 2.5V @ 250µA 138 nC @ 10 V ±20V 6100 pF @ 15 V - 5.2W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
SIE854DF-T1-E3

SIE854DF-T1-E3

MOSFET N-CH 100V 60A 10POLARPAK

Vishay Siliconix

6,915 -
SIE854DF-T1-E3

Технический лист

TrenchFET® 10-PolarPAK® (L) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 60A (Tc) 10V 14.2mOhm @ 13.2A, 10V 4.4V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V 3100 pF @ 50 V - 5.2W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
SIE876DF-T1-GE3

SIE876DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 60A 10POLARPAK

Vishay Siliconix

8,438 -

-

TrenchFET® 10-PolarPAK® (L) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 60A (Tc) 10V 6.1mOhm @ 20A, 10V 4.4V @ 250µA 77 nC @ 10 V ±20V 3100 pF @ 30 V - 5.2W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
SIHF8N50L-E3

SIHF8N50L-E3

MOSFET N-CH 500V 8A TO220

Vishay Siliconix

3,447 -
SIHF8N50L-E3

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 1Ohm @ 4A, 10V 5V @ 250µA 34 nC @ 0 V ±30V 873 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
SIJ400DP-T1-GE3

SIJ400DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

5,921 -

-

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 32A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 7765 pF @ 15 V - 5W (Ta), 69.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
SIJ484DP-T1-GE3

SIJ484DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

9,265 -
SIJ484DP-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Tc) 4.5V, 10V 6.3mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±20V 1600 pF @ 15 V - 5W (Ta), 27.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
SIJ800DP-T1-GE3

SIJ800DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

2,560 -

-

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 9.5mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 20 V - 4.2W (Ta), 35.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь