TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
FK8V03030L

FK8V03030L

MOSFET N CH 33V 12A WMINI8

Panasonic Electronic Components

8,563 -
FK8V03030L

Технический лист

- 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 33 V 12A (Ta) 4.5V, 10V 7mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 1.73mA 10.2 nC @ 4.5 V ±20V 1100 pF @ 10 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount WMini8-F1
FL6L52010L

FL6L52010L

MOSFET P-CH 20V 2A WSSMINI6-F1

Panasonic Electronic Components

6,734 -
FL6L52010L

Технический лист

- 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2A (Ta) 1.8 V, 4V 120mOhm @ 1A, 4V 1.1V @ 1mA - ±10V 300 pF @ 10 V - 540mW (Ta) 125°C (TJ) - - Surface Mount WSSMini6-F1
FDMS8570SDC

FDMS8570SDC

MOSFET N-CH 25V 28A/60A DLCOOL56

onsemi

5,982 -
FDMS8570SDC

Технический лист

PowerTrench®, SyncFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 28A (Ta), 60A (Tc) 4.5V, 10V 2.8mOhm @ 28A, 10V 2.2V @ 1mA 42 nC @ 10 V ±12V 2825 pF @ 13 V Schottky Diode (Body) 3.3W (Ta), 59W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
IRF9383MTR1PBF

IRF9383MTR1PBF

MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET

Infineon Technologies

7,708 -
IRF9383MTR1PBF

Технический лист

HEXFET® DirectFET™ Isometric MX Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 22A (Ta), 160A (Tc) 4.5V, 10V 2.9mOhm @ 22A, 10V 2.4V @ 150µA 130 nC @ 10 V ±20V 7305 pF @ 15 V - 2.1W (Ta), 113W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MX
IXTF03N400

IXTF03N400

MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAC

IXYS

2,597 -

-

- i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4000 V 300mA (Tc) 10V 300Ohm @ 150mA, 10V 4V @ 250µA 16.3 nC @ 10 V ±20V 435 pF @ 25 V - 70W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
IRFB4510GPBF

IRFB4510GPBF

MOSFET N CH 100V 62A TO-220AB

Infineon Technologies

3,858 -
IRFB4510GPBF

Технический лист

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 62A (Tc) 10V 13.5mOhm @ 37A, 10V 4V @ 100µA 87 nC @ 10 V ±20V 3180 pF @ 50 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
AUIRF6218STRL

AUIRF6218STRL

MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK

Infineon Technologies

9,502 -
AUIRF6218STRL

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 27A (Tc) 10V 150mOhm @ 16A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2210 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
AUIRFR4292

AUIRFR4292

MOSFET N-CH 250V 9.3A DPAK

Infineon Technologies

9,935 -
AUIRFR4292

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 9.3A (Tc) 10V 345mOhm @ 5.6A, 10V 5V @ 50µA 20 nC @ 10 V ±20V 705 pF @ 25 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
AUIRFZ48N

AUIRFZ48N

MOSFET N-CH 55V 69A TO220AB

Infineon Technologies

3,172 -
AUIRFZ48N

Технический лист

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 69A (Tc) 10V 14mOhm @ 40A, 10V 4V @ 100µA 63 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 25 V - 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
AUIRF7805QTR

AUIRF7805QTR

MOSFET N CH 30V 13A 8-SO

Infineon Technologies

8,053 -
AUIRF7805QTR

Технический лист

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta) 4.5V 11mOhm @ 7A, 4.5V 3V @ 250µA 31 nC @ 5 V ±12V - - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
AUIRFBA1405

AUIRFBA1405

MOSFET N-CH 55V 95A SUPER-220

Infineon Technologies

4,752 -
AUIRFBA1405

Технический лист

HEXFET® TO-273AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 95A (Tc) 10V 5mOhm @ 101A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 5480 pF @ 25 V - 330W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
AUIRF7805Q

AUIRF7805Q

MOSFET N-CH 30V 13A 8SO

Infineon Technologies

5,601 -
AUIRF7805Q

Технический лист

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta) 4.5V 11mOhm @ 7A, 4.5V 3V @ 250µA 31 nC @ 5 V ±12V - - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
AUIRFU540Z

AUIRFU540Z

MOSFET N-CH 100V 35A IPAK

Infineon Technologies

3,749 -
AUIRFU540Z

Технический лист

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 35A (Tc) 10V 28.5mOhm @ 21A, 10V 4V @ 50µA 59 nC @ 10 V ±20V 1690 pF @ 25 V - 91W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
AUIRF7484QTR

AUIRF7484QTR

MOSFET N CH 40V 14A 8-SO

Infineon Technologies

7,942 -
AUIRF7484QTR

Технический лист

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 14A (Ta) 7V 10mOhm @ 14A, 7V 2V @ 250µA 100 nC @ 7 V ±8V 3520 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
AUIRF7484Q

AUIRF7484Q

MOSFET N CH 40V 14A 8-SO

Infineon Technologies

2,466 -
AUIRF7484Q

Технический лист

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 14A (Ta) 7V 10mOhm @ 14A, 7V 2V @ 250µA 100 nC @ 7 V ±8V 3520 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
AUIRF6215S

AUIRF6215S

MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK

Infineon Technologies

2,501 -
AUIRF6215S

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 13A (Tc) 10V 290mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
AUIRF6218S

AUIRF6218S

MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK

Infineon Technologies

3,108 -
AUIRF6218S

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 27A (Tc) 10V 150mOhm @ 16A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2210 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
AUIRLR024Z

AUIRLR024Z

MOSFET N CH 55V 16A DPAK

Infineon Technologies

6,039 -
AUIRLR024Z

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 16A (Tc) 4.5V, 10V 58mOhm @ 9.6A, 10V 3V @ 250µA 9.9 nC @ 5 V ±16V 380 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
AUIRLL024Z

AUIRLL024Z

MOSFET N-CH 55V 5A SOT223

Infineon Technologies

2,872 -
AUIRLL024Z

Технический лист

HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 5A (Ta) 4.5V, 10V 60mOhm @ 3A, 10V 3V @ 250µA 11 nC @ 5 V ±16V 380 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
AUIRLU024Z

AUIRLU024Z

MOSFET N-CH 55V 16A IPAK

Infineon Technologies

2,245 -
AUIRLU024Z

Технический лист

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 16A (Tc) 4.5V, 10V 58mOhm @ 9.6A, 10V 3V @ 250µA 9.9 nC @ 5 V ±16V 380 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь