TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
SI4752DY-T1-GE3

SI4752DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 25A 8SO

Vishay Siliconix

9,002 -
SI4752DY-T1-GE3

Технический лист

SkyFET®, TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 25A (Tc) 4.5V, 10V 5.5mOhm @ 10A, 10V 2.2V @ 1mA 43 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 15 V Schottky Diode (Body) 3W (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
SI8469DB-T2-E1

SI8469DB-T2-E1

MOSFET P-CH 8V 4.6A 4MICROFOOT

Vishay Siliconix

9,082 -
SI8469DB-T2-E1

Технический лист

TrenchFET® 4-UFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8 V 4.6A (Ta) 4.5V 64mOhm @ 1.5A, 4.5V 800mV @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±5V 900 pF @ 4 V - 780mW (Ta), 1.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-Microfoot
SI8805EDB-T2-E1

SI8805EDB-T2-E1

MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT

Vishay Siliconix

8,402 -
SI8805EDB-T2-E1

Технический лист

TrenchFET® 4-XFBGA, CSPBGA Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8 V 2.2A (Ta) 1.2V, 4.5V 68mOhm @ 1.5A, 4.5V 700mV @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±5V - - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-Microfoot
SI8809EDB-T2-E1

SI8809EDB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT

Vishay Siliconix

4,764 -
SI8809EDB-T2-E1

Технический лист

TrenchFET® 4-XFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 1.94 (Ta) 1.8V, 4.5V 90mOhm @ 1.5A, 4.5V 900mV @ 250µA 15 nC @ 8 V ±8V - - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-Microfoot
SIB404DK-T1-GE3

SIB404DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 9A PPAK SC75-6

Vishay Siliconix

4,617 -
SIB404DK-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SC-75-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 9A (Tc) 4.5V 19mOhm @ 3A, 4.5V 800mV @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±5V - - 2.5W (Ta), 13W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
SIB437EDKT-T1-GE3

SIB437EDKT-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 9A PPAK TSC75-6

Vishay Siliconix

6,792 -
SIB437EDKT-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® TSC-75-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8 V 9A (Tc) 1.2V, 4.5V 34mOhm @ 3A, 4.5V 700mV @ 250µA 16 nC @ 4.5 V ±5V - - 2.4W (Ta), 13W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® TSC75-6
SIR814DP-T1-GE3

SIR814DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

2,110 -
SIR814DP-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 2.1mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 20 V - 6.25W (Ta), 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
SIS776DN-T1-GE3

SIS776DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8

Vishay Siliconix

4,175 -
SIS776DN-T1-GE3

Технический лист

SkyFET®, TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Tc) 4.5V, 10V 6.2mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V 1360 pF @ 15 V Schottky Diode (Body) 3.8W (Ta), 52W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
SQM120N03-1M5L_GE3

SQM120N03-1M5L_GE3

MOSFET N-CH 30V 120A TO263

Vishay Siliconix

4,546 -
SQM120N03-1M5L_GE3

Технический лист

TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 1.5mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±20V 15605 pF @ 15 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263
SQM50N04-4M1_GE3

SQM50N04-4M1_GE3

MOSFET N-CH 40V 50A TO263

Vishay Siliconix

8,206 -
SQM50N04-4M1_GE3

Технический лист

TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Tc) 10V 4.1mOhm @ 30A, 10V 3.5V @ 250µA 105 nC @ 10 V ±20V 6715 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
AUIRFP4409

AUIRFP4409

MOSFET N-CH 300V 38A TO247AC

Infineon Technologies

9,392 -
AUIRFP4409

Технический лист

HEXFET® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 38A (Tc) 10V 69mOhm @ 24A, 10V 5V @ 250µA 125 nC @ 10 V ±20V 5168 pF @ 50 V - 341W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
AUIRFSL8409

AUIRFSL8409

MOSFET N-CH 40V 195A TO262

Infineon Technologies

4,342 -
AUIRFSL8409

Технический лист

HEXFET® TO-262-3 Short Leads, I2PAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 10V 1.2mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 450 nC @ 10 V ±20V 14240 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-262
STDLED623

STDLED623

MOSFET N-CH 620V 3A DPAK

STMicroelectronics

7,533 -
STDLED623

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 620 V 3A (Tc) 10V 3.6Ohm @ 1.1A, 10V 4.5V @ 50µA 15.5 nC @ 10 V ±30V 350 pF @ 50 V - 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
STDLED625

STDLED625

MOSFET N-CH 620V 5A DPAK

STMicroelectronics

6,641 -
STDLED625

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 620 V 5A (Tc) 10V 1.6Ohm @ 2.1A, 10V 4.5V @ 50µA 35 nC @ 10 V ±30V 890 pF @ 50 V - 70W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
STULED524

STULED524

MOSFET N-CH 525V 4A IPAK

STMicroelectronics

8,605 -
STULED524

Технический лист

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 525 V 4A (Tc) 10V 2.6Ohm @ 2.2A, 10V 4.5V @ 50µA 12 nC @ 10 V ±30V 340 pF @ 100 V - 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251 (IPAK)
WPH4003-1E

WPH4003-1E

MOSFET N-CH 1700V 2.5A TO3PF

onsemi

5,104 -
WPH4003-1E

Технический лист

- TO-3P-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1700 V 2.5A (Tc) 10V 10.5Ohm @ 1.5A, 10V - 48 nC @ 10 V ±30V 850 pF @ 30 V - 3W (Ta), 55W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
IRFHM9391TRPBF

IRFHM9391TRPBF

MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN

Infineon Technologies

5,704 -
IRFHM9391TRPBF

Технический лист

HEXFET® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 14.6mOhm @ 11A, 10V 2.4V @ 25µA 16 nC @ 10 V ±25V 1543 pF @ 25 V - 2.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
IRL6283MTRPBF

IRL6283MTRPBF

MOSFET N-CH 20V 38A DIRECTFET

Infineon Technologies

3,209 -
IRL6283MTRPBF

Технический лист

HEXFET®, StrongIRFET™ DirectFET™ Isometric MD Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 38A (Ta), 211A (Tc) 2.5V, 4.5V 0.75mOhm @ 50A, 10V 1.1V @ 100µA 158 nC @ 4.5 V ±12V 8292 pF @ 10 V - 2.1W (Ta), 63W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MD
EKI04036

EKI04036

MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3

Sanken Electric USA Inc.

4,935 -
EKI04036

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 3.8mOhm @ 58.5A, 10V 2.5V @ 1mA 63.2 nC @ 10 V ±20V 3910 pF @ 25 V - 116W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
EKI06108

EKI06108

MOSFET N-CH 60V 57A TO220-3

Sanken Electric USA Inc.

5,049 -
EKI06108

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 57A (Tc) 4.5V, 10V 9.2mOhm @ 28.5A, 10V 2.5V @ 650µA 38.6 nC @ 10 V ±20V 2520 pF @ 25 V - 90W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь