TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
STI150N10F7

STI150N10F7

MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK

STMicroelectronics

4,252 -
STI150N10F7

Технический лист

STripFET™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 110A (Tc) 10V 4.2mOhm @ 55A, 10V 4.5V @ 250µA 117 nC @ 10 V ±20V 8115 pF @ 50 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
PCP1402-TD-H

PCP1402-TD-H

MOSFET N-CH 250V 1.2A SOT89

onsemi

3,410 -

-

- TO-243AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 1.2A (Ta) 10V 2.4Ohm @ 600mA, 10V 3.5V @ 1mA 4.2 nC @ 10 V ±30V 210 pF @ 20 V - 3.5W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-89/PCP-2
AUIRFN8401TR

AUIRFN8401TR

MOSFET N-CH 40V 84A PQFN

Infineon Technologies

2,297 -
AUIRFN8401TR

Технический лист

HEXFET® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 84A (Tc) 10V 4.6mOhm @ 50A, 10V 3.9V @ 50µA 66 nC @ 10 V ±20V 2170 pF @ 25 V - 4.2W (Ta), 63W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PQFN (5x6)
AUIRFS4115

AUIRFS4115

MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK

Infineon Technologies

7,255 -
AUIRFS4115

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 99A (Tc) 10V 12.1mOhm @ 62A, 10V 5V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 5270 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
AUIRFSL4115

AUIRFSL4115

MOSFET N-CH 150V 99A TO262

Infineon Technologies

3,382 -
AUIRFSL4115

Технический лист

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 99A (Tc) 10V 12.1mOhm @ 62A, 10V 5V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 5270 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRFH4209DTRPBF

IRFH4209DTRPBF

MOSFET N-CH 25V 44A/260A PQFN

Infineon Technologies

9,147 -
IRFH4209DTRPBF

Технический лист

FASTIRFET™, HEXFET® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 44A (Ta), 260A (Tc) 4.5V, 10V 1.1mOhm @ 50A, 10V 2.1V @ 100µA 74 nC @ 10 V ±20V 4620 pF @ 13 V - 3.5W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PQFN (5x6)
IRFP7718PBF

IRFP7718PBF

MOSFET N-CH 75V 195A TO247AC

Infineon Technologies

9,590 -
IRFP7718PBF

Технический лист

HEXFET®, StrongIRFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 195A (Tc) 6V, 10V 1.8mOhm @ 100A, 10V 3.7V @ 250µA 830 nC @ 10 V ±20V 29550 pF @ 25 V - 517W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRFS4321-7PPBF

IRFS4321-7PPBF

MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK

Infineon Technologies

2,509 -
IRFS4321-7PPBF

Технический лист

HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 86A (Tc) 10V 14.7mOhm @ 34A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 4460 pF @ 50 V - 350W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
IRFU7540PBF

IRFU7540PBF

MOSFET N-CH 60V 90A IPAK

Infineon Technologies

5,777 -
IRFU7540PBF

Технический лист

HEXFET®, StrongIRFET™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 6V, 10V 4.8mOhm @ 66A, 10V 3.7V @ 100µA 130 nC @ 10 V ±20V 4360 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
IRFU7546PBF

IRFU7546PBF

MOSFET N-CH 60V 56A IPAK

Infineon Technologies

3,359 -
IRFU7546PBF

Технический лист

HEXFET®, StrongIRFET™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 56A (Tc) 6V, 10V 7.9mOhm @ 43A, 10V 3.7V @ 100µA 87 nC @ 10 V ±20V 3020 pF @ 25 V - 99W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
IRFU7740PBF

IRFU7740PBF

MOSFET N-CH 75V 87A IPAK

Infineon Technologies

5,462 -
IRFU7740PBF

Технический лист

HEXFET®, StrongIRFET™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 87A (Tc) 6V, 10V 7.2mOhm @ 52A, 10V 3.7V @ 100µA 126 nC @ 10 V ±20V 4430 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
IRFU7746PBF

IRFU7746PBF

MOSFET N-CH 75V 56A IPAK

Infineon Technologies

7,236 -
IRFU7746PBF

Технический лист

HEXFET®, StrongIRFET™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 56A (Tc) 6V, 10V 11.2mOhm @ 35A, 10V 3.7V @ 100µA 89 nC @ 10 V ±20V 3107 pF @ 25 V - 99W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
IRLS3813PBF

IRLS3813PBF

MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK

Infineon Technologies

9,793 -
IRLS3813PBF

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 160A (Tc) 10V 1.95mOhm @ 148A, 10V 2.35V @ 150µA 83 nC @ 4.5 V ±20V 8020 pF @ 25 V - 195W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
FCPF190N65FL1

FCPF190N65FL1

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F

onsemi

9,256 -
FCPF190N65FL1

Технический лист

SuperFET® II TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20.6A (Tc) 10V 190mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 3055 pF @ 100 V - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
FCPF260N65FL1

FCPF260N65FL1

MOSFET N-CH 650V 15A TO220F

onsemi

6,904 -
FCPF260N65FL1

Технический лист

FRFET®, SuperFET® II TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 260mOhm @ 7.5A, 10V 5V @ 1.5mA 60 nC @ 10 V ±20V 2340 pF @ 100 V - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
FCPF380N65FL1

FCPF380N65FL1

MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220F

onsemi

4,750 -
FCPF380N65FL1

Технический лист

FRFET®, SuperFET® II TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10.2A (Tc) 10V 380mOhm @ 5.1A, 10V 5V @ 1mA 43 nC @ 10 V ±20V 1680 pF @ 100 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
STP6N65M2

STP6N65M2

MOSFET N-CH 650V 4A TO220

STMicroelectronics

9,038 -
STP6N65M2

Технический лист

MDmesh™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 4A (Tc) 10V 1.35Ohm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 9.8 nC @ 10 V ±25V 226 pF @ 100 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
PH2230DLSX

PH2230DLSX

MOSFET N-CH LFPAK5 POWER-SO8

Nexperia USA Inc.

4,944 -

-

* SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
R8010ANX

R8010ANX

MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM

Rohm Semiconductor

3,604 -
R8010ANX

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 10A (Tc) 10V 560mOhm @ 5A, 10V 5V @ 1mA 62 nC @ 10 V ±30V 1750 pF @ 25 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
R6020ENZ1C9

R6020ENZ1C9

MOSFET N-CH 600V 20A TO247

Rohm Semiconductor

9,187 -
R6020ENZ1C9

Технический лист

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 196mOhm @ 9.5A, 10V 4V @ 1mA 60 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 120W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь