TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
APT50MC120JCU2

APT50MC120JCU2

MOSFET N-CH 1200V 71A SOT227

Microchip Technology

6,825 -
APT50MC120JCU2

Технический лист

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 71A (Tc) 20V 34mOhm @ 50A, 20V 2.3V @ 1mA (Typ) 179 nC @ 20 V +25V, -10V 2980 pF @ 1000 V - 300W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227
IPD50R280CEATMA1

IPD50R280CEATMA1

MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3

Infineon Technologies

7,270 -
IPD50R280CEATMA1

Технический лист

CoolMOS™ CE TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 13A (Tc) 13V 280mOhm @ 4.2A, 13V 3.5V @ 350µA 32.6 nC @ 10 V ±20V 773 pF @ 100 V - 119W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
IPD50R500CEATMA1

IPD50R500CEATMA1

MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3

Infineon Technologies

5,872 -
IPD50R500CEATMA1

Технический лист

CoolMOS™ CE TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 7.6A (Tc) 13V 500mOhm @ 2.3A, 13V 3.5V @ 200µA 18.7 nC @ 10 V ±20V 433 pF @ 100 V - 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
IPD50R650CEATMA1

IPD50R650CEATMA1

MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3

Infineon Technologies

5,552 -
IPD50R650CEATMA1

Технический лист

CoolMOS™ CE TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 6.1A (Tc) 13V 650mOhm @ 1.8A, 13V 3.5V @ 150µA 15 nC @ 10 V ±20V 342 pF @ 100 V - 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
IPD50R800CEATMA1

IPD50R800CEATMA1

MOSFET N CH 500V 5A TO252

Infineon Technologies

8,146 -
IPD50R800CEATMA1

Технический лист

CoolMOS™ CE TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Tc) 13V 800mOhm @ 1.5A, 13V 3.5V @ 130µA 12.4 nC @ 10 V ±20V 280 pF @ 100 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
IPD50R950CEATMA1

IPD50R950CEATMA1

MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3

Infineon Technologies

6,073 -
IPD50R950CEATMA1

Технический лист

CoolMOS™ CE TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4.3A (Tc) 13V 950mOhm @ 1.2A, 13V 3.5V @ 100µA 10.5 nC @ 10 V ±20V 231 pF @ 100 V - 53W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
IPD60R750E6ATMA1

IPD60R750E6ATMA1

MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3

Infineon Technologies

3,929 -
IPD60R750E6ATMA1

Технический лист

CoolMOS™ E6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5.7A (Tc) 10V 750mOhm @ 2A, 10V 3.5V @ 170µA 17.2 nC @ 10 V ±20V 373 pF @ 100 V - 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
IPU60R600C6AKMA1

IPU60R600C6AKMA1

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251-3

Infineon Technologies

7,425 -
IPU60R600C6AKMA1

Технический лист

CoolMOS™ C6 TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7.3A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.4A, 10V 3.5V @ 200µA 20.5 nC @ 10 V ±20V 440 pF @ 100 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
IPU60R950C6AKMA1

IPU60R950C6AKMA1

MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251-3

Infineon Technologies

7,339 -
IPU60R950C6AKMA1

Технический лист

CoolMOS™ C6 TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4.4A (Tc) 10V 950mOhm @ 1.5A, 10V 3.5V @ 130µA 13 nC @ 10 V ±20V 280 pF @ 100 V - 37W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
IPB77N06S212ATMA2

IPB77N06S212ATMA2

MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3

Infineon Technologies

4,419 -
IPB77N06S212ATMA2

Технический лист

OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 77A (Tc) 10V 11.7mOhm @ 38A, 10V 4V @ 93µA 60 nC @ 10 V ±20V 1770 pF @ 25 V - 158W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
IPB80N06S207ATMA4

IPB80N06S207ATMA4

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Infineon Technologies

6,079 -
IPB80N06S207ATMA4

Технический лист

OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 6.3mOhm @ 68A, 10V 4V @ 180µA 110 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
IPB80N06S208ATMA2

IPB80N06S208ATMA2

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Infineon Technologies

7,139 -
IPB80N06S208ATMA2

Технический лист

OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 7.7mOhm @ 58A, 10V 4V @ 150µA 96 nC @ 10 V ±20V 2860 pF @ 25 V - 215W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
IPB80N06S2L09ATMA2

IPB80N06S2L09ATMA2

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Infineon Technologies

7,459 -
IPB80N06S2L09ATMA2

Технический лист

OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 8.2mOhm @ 52A, 10V 2V @ 125µA 105 nC @ 10 V ±20V 2620 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
IPD65R1K4CFDATMA1

IPD65R1K4CFDATMA1

MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3

Infineon Technologies

5,879 -
IPD65R1K4CFDATMA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 2.8A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 1A, 10V 4.5V @ 100µA 10 nC @ 10 V ±20V 262 pF @ 100 V - 28.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
IPD65R420CFDATMA1

IPD65R420CFDATMA1

MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3

Infineon Technologies

5,019 -
IPD65R420CFDATMA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8.7A (Tc) 10V 420mOhm @ 3.4A, 10V 4.5V @ 300µA 31.5 nC @ 10 V ±20V 870 pF @ 100 V - 83.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
IPD65R600E6ATMA1

IPD65R600E6ATMA1

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3

Infineon Technologies

5,457 -
IPD65R600E6ATMA1

Технический лист

CoolMOS™ E6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7.3A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.1A, 10V 3.5V @ 210µA 23 nC @ 10 V ±20V 440 pF @ 100 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
IPD65R660CFDATMA1

IPD65R660CFDATMA1

MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3

Infineon Technologies

2,229 -
IPD65R660CFDATMA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 6A (Tc) 10V 660mOhm @ 2.1A, 10V 4.5V @ 200µA 22 nC @ 10 V ±20V 615 pF @ 100 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
IPD65R950CFDATMA1

IPD65R950CFDATMA1

MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3

Infineon Technologies

8,775 -
IPD65R950CFDATMA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 3.9A (Tc) 10V 950mOhm @ 1.5A, 10V 4.5V @ 200µA 14.1 nC @ 10 V ±20V 380 pF @ 100 V - 36.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
IPI80N06S208AKSA2

IPI80N06S208AKSA2

MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

Infineon Technologies

3,188 -
IPI80N06S208AKSA2

Технический лист

OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 8mOhm @ 58A, 10V 4V @ 150µA 96 nC @ 10 V ±20V 2860 pF @ 25 V - 215W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3-1
IPP80N04S2H4AKSA2

IPP80N04S2H4AKSA2

MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3

Infineon Technologies

3,616 -
IPP80N04S2H4AKSA2

Технический лист

OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 4mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 148 nC @ 10 V ±20V 4400 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь