TomatoElecОтслеживание заказа TomatoElecМой аккаунт
    Популярные запросы DDZ7V5CS-7 RS1MWF-7 BAS116-7-F AP7345D-1833RH4-7 FCX493TA SDM02U30CSP-7 LM5164DDAR AP22653W6-7 ZXSC410E6TA D8V0L1B2LP-7B
    TomatoElec

    Доступно 24/7 по

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Все категории
    Главная > Продукты  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить все
    Применить ко всем
    Результат

    FET и MOSFET

    TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

    Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

    Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

    Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPI120N10S405AKSA1

    IPI120N10S405AKSA1

    MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3

    Infineon Technologies

    		 8,076 -
    Запрос цены
    		IPI120N10S405AKSA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ T2 TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 5.3mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 120µA 91 nC @ 10 V ±20V 6540 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO262-3-1
    IPI120P04P4L03AKSA1

    IPI120P04P4L03AKSA1

    MOSFET P-CH 40V 120A TO262-3

    Infineon Technologies

    		 8,811 -
    Запрос цены
    		IPI120P04P4L03AKSA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 3.4mOhm @ 100A, 10V 2.2V @ 340µA 234 nC @ 10 V ±16V 15000 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO262-3-1
    IPI65R280E6XKSA1

    IPI65R280E6XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3

    Infineon Technologies

    		 9,829 -
    Запрос цены
    		IPI65R280E6XKSA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ E6 TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 13.8A (Tc) 10V 280mOhm @ 4.4A, 10V 3.5V @ 440µA 45 nC @ 10 V ±20V 950 pF @ 100 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3-1
    IPI80P03P405AKSA1

    IPI80P03P405AKSA1

    MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3

    Infineon Technologies

    		 4,711 -
    Запрос цены
    		IPI80P03P405AKSA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 80A (Tc) 10V 5mOhm @ 80A, 10V 4V @ 253µA 130 nC @ 10 V ±20V 10300 pF @ 25 V - 137W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO262-3-1
    IPI80P04P405AKSA1

    IPI80P04P405AKSA1

    MOSFET P-CH 40V 80A TO262-3

    Infineon Technologies

    		 8,067 -
    Запрос цены
    		IPI80P04P405AKSA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 5.2mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 151 nC @ 10 V ±20V 10300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO262-3-1
    IPI80P04P4L04AKSA1

    IPI80P04P4L04AKSA1

    MOSFET P-CH 40V 80A TO262-3

    Infineon Technologies

    		 8,204 -
    Запрос цены
    		IPI80P04P4L04AKSA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 4.7mOhm @ 80A, 10V 2.2V @ 250µA 176 nC @ 10 V +5V, -16V 3800 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO262-3-1
    IPL65R165CFDAUMA1

    IPL65R165CFDAUMA1

    MOSFET N-CH 650V 21.3A 4VSON

    Infineon Technologies

    		 6,819 -
    Запрос цены
    		IPL65R165CFDAUMA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 21.3A (Tc) 10V 165mOhm @ 9.3A, 10V 4.5V @ 900µA 86 nC @ 10 V ±20V 2340 pF @ 100 V - 195W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    IPL65R190E6AUMA1

    IPL65R190E6AUMA1

    MOSFET N-CH 650V 20.2A 4VSON

    Infineon Technologies

    		 7,482 -
    Запрос цены
    		IPL65R190E6AUMA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ E6 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20.2A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.3A, 10V 3.5V @ 700µA 73 nC @ 10 V ±20V 1620 pF @ 100 V - 151W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    IPL65R210CFDAUMA1

    IPL65R210CFDAUMA1

    MOSFET N-CH 650V 16.6A 4VSON

    Infineon Technologies

    		 6,956 -
    Запрос цены
    		IPL65R210CFDAUMA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 16.6A (Tc) 10V 210mOhm @ 7.3A, 10V 4.5V @ 700µA 68 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 100 V - 151W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    IPL65R310E6AUMA1

    IPL65R310E6AUMA1

    MOSFET N-CH 650V 13.1A THIN-PAK

    Infineon Technologies

    		 2,333 -
    Запрос цены
    		IPL65R310E6AUMA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ E6 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 13.1A (Tc) 10V 310mOhm @ 4.4A, 10V 3.5V @ 400µA 45 nC @ 10 V ±20V 950 pF @ 100 V - 104W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    IPL65R340CFDAUMA1

    IPL65R340CFDAUMA1

    MOSFET N-CH 650V 10.9A THIN-PAK

    Infineon Technologies

    		 4,797 -
    Запрос цены
    		IPL65R340CFDAUMA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10.9A (Tc) 10V 340mOhm @ 4.4A, 10V 4.5V @ 400µA 41 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 100 V - 104.2W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    IPL65R420E6AUMA1

    IPL65R420E6AUMA1

    MOSFET N-CH 650V 10.1A THIN-PAK

    Infineon Technologies

    		 6,988 -
    Запрос цены
    		IPL65R420E6AUMA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ E6 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10.1A (Tc) 10V 420mOhm @ 3.4A, 10V 3.5V @ 300µA 39 nC @ 10 V ±20V 710 pF @ 100 V - 83W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    IPL65R460CFDAUMA1

    IPL65R460CFDAUMA1

    MOSFET N-CH 650V 8.3A THIN-PAK

    Infineon Technologies

    		 2,551 -
    Запрос цены
    		IPL65R460CFDAUMA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8.3A (Tc) 10V 460mOhm @ 3.4A, 10V 4.5V @ 300µA 31.5 nC @ 10 V ±20V 870 pF @ 100 V - 83.3W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    IPL65R660E6AUMA1

    IPL65R660E6AUMA1

    MOSFET N-CH 650V 7A THIN-PAK

    Infineon Technologies

    		 5,788 -
    Запрос цены
    		IPL65R660E6AUMA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ E6 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7A (Tc) 10V 660mOhm @ 2.1A, 10V 3.5V @ 200µA 23 nC @ 10 V ±20V 440 pF @ 100 V - 63W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    IPP120P04P404AKSA1

    IPP120P04P404AKSA1

    MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 3,291 -
    Запрос цены
    		IPP120P04P404AKSA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 3.8mOhm @ 100A, 10V 4V @ 340µA 205 nC @ 10 V ±20V 14790 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO220-3-1
    IPP65R190CFDAAKSA1

    IPP65R190CFDAAKSA1

    MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 5,088 -
    Запрос цены
    		IPP65R190CFDAAKSA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17.5A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.3A, 10V 4.5V @ 700µA 68 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 100 V - 151W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO220-3
    IPP80P03P405AKSA1

    IPP80P03P405AKSA1

    MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 5,569 -
    Запрос цены
    		IPP80P03P405AKSA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 80A (Tc) 10V 5mOhm @ 80A, 10V 4V @ 253µA 130 nC @ 10 V ±20V 10300 pF @ 25 V - 137W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO220-3-1
    IPP80P04P4L04AKSA1

    IPP80P04P4L04AKSA1

    MOSFET P-CH 40V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 2,581 -
    Запрос цены
    		IPP80P04P4L04AKSA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 4.7mOhm @ 80A, 10V 2.2V @ 250µA 176 nC @ 10 V +5V, -16V 3800 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO220-3-1
    IPP80P04P4L06AKSA1

    IPP80P04P4L06AKSA1

    MOSFET P-CH 40V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 2,198 -
    Запрос цены
    		IPP80P04P4L06AKSA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 6.7mOhm @ 80A, 10V 2.2V @ 150µA 104 nC @ 10 V +5V, -16V 6580 pF @ 25 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO220-3-1
    IPP80P04P4L08AKSA1

    IPP80P04P4L08AKSA1

    MOSFET P-CH 40V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 9,250 -
    Запрос цены
    		IPP80P04P4L08AKSA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 8.2mOhm @ 80A, 10V 2.2V @ 120µA 92 nC @ 10 V +5V, -16V 5430 pF @ 25 V - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO220-3-1
    Total 36322 Record«Prev1... 17181719172017211722172317241725...1817Next»
    TomatoElec

    Поиск

     TomatoElec

    Продукты

     TomatoElec

    Телефон

     TomatoElec

    Пользователь
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135