Доступно 24/7 по
0755-82798135FET, MOSFET
FET и MOSFET
TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.
Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.
Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.
| Фото | Номер производителя | Наличие | Цена | Количество | Технический лист | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOB11C60MOSFET N-CH 600V 11A TO263 |
3,208 | - |
|
Технический лист |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 11A (Tc) | 10V | 440mOhm @ 5.5A, 10V | 5V @ 250µA | 42 nC @ 10 V | ±30V | 2000 pF @ 100 V | - | 278W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
AOB20C60MOSFET N-CH 600V 20A TO263 |
3,726 | - |
|
Технический лист |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 20A (Tc) | 10V | 250mOhm @ 10A, 10V | 5V @ 250µA | 74 nC @ 10 V | ±30V | 3440 pF @ 100 V | - | 463W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
AOD4160MOSFET N-CH TO-252 |
7,003 | - |
|
- |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
AOI452AMOSFET N-CH 25V 55A TO251A |
5,840 | - |
|
Технический лист |
SDMOS™ | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 55A (Tc) | 4.5V, 10V | 7.3mOhm @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 26 nC @ 10 V | ±20V | 1450 pF @ 12.5 V | - | 3.2W (Ta), 50W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-251A |
|
AON7548MOSFET N-CH 30V 24A 8DFN |
6,193 | - |
|
Технический лист |
AlphaMOS | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 24A (Tc) | 4.5V, 10V | 8.8mOhm @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 22 nC @ 10 V | ±20V | 1086 pF @ 15 V | - | 3.1W (Ta), 23W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-DFN-EP (3x3) |
|
AOY516MOSFET N-CH 30V 46A TO251B |
3,443 | - |
|
Технический лист |
AlphaMOS | TO-251-3 Stub Leads, IPAK | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 46A (Tc) | 4.5V, 10V | 5mOhm @ 20A, 10V | 2.6V @ 250µA | 33 nC @ 10 V | ±20V | 1333 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-251B |
|
TPH3202PSGANFET N-CH 600V 9A TO220AB |
4,635 | - |
|
Технический лист |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 600 V | 9A (Tc) | 10V | 350mOhm @ 5.5A, 8V | 2.5V @ 250µA | 9.3 nC @ 4.5 V | ±18V | 760 pF @ 480 V | - | 65W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
TPH3202LDGANFET N-CH 600V 9A 4PQFN |
2,850 | - |
|
Технический лист |
- | 4-PowerDFN | Tube | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 600 V | 9A (Tc) | 10V | 350mOhm @ 5.5A, 8V | 2.5V @ 250µA | 9.3 nC @ 4.5 V | ±18V | 760 pF @ 480 V | - | 65W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-PQFN (8x8) |
|
TPH3206LDGANFET N-CH 600V 17A PQFN |
6,343 | - |
|
Технический лист |
- | 4-PowerDFN | Tube | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 600 V | 17A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 11A, 8V | 2.6V @ 500µA | 9.3 nC @ 4.5 V | ±18V | 760 pF @ 480 V | - | 96W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-PQFN (8x8) |
|
TPH3208PSGANFET N-CH 650V 20A TO220AB |
5,167 | - |
|
Технический лист |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | 650 V | 20A (Tc) | 10V | 130mOhm @ 13A, 8V | 2.6V @ 300µA | 14 nC @ 8 V | ±18V | 760 pF @ 400 V | - | 96W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
TPH3208LDGANFET N-CH 650V 20A 4PQFN |
4,804 | - |
|
Технический лист |
- | 4-PowerDFN | Tube | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 20A (Tc) | 10V | 130mOhm @ 13A, 8V | 2.6V @ 300µA | 14 nC @ 8 V | ±18V | 760 pF @ 400 V | - | 96W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-PQFN (8x8) |
|
TPH3207WSGANFET N-CH 650V 50A TO247-3 |
6,522 | - |
|
Технический лист |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 50A (Tc) | 10V | 41mOhm @ 32A, 8V | 2.65V @ 700µA | 42 nC @ 8 V | ±18V | 2197 pF @ 400 V | - | 178W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
TPH3202PDGANFET N-CH 600V 9A TO220AB |
8,196 | - |
|
Технический лист |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 600 V | 9A (Tc) | 10V | 350mOhm @ 5.5A, 8V | 2.5V @ 250µA | 9.3 nC @ 4.5 V | ±18V | 760 pF @ 480 V | - | 65W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
TPH3202LSGANFET N-CH 600V 9A 3PQFN |
3,416 | - |
|
Технический лист |
- | 3-PowerDFN | Tube | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 600 V | 9A (Tc) | 10V | 350mOhm @ 5.5A, 8V | 2.5V @ 250µA | 9.3 nC @ 4.5 V | ±18V | 760 pF @ 480 V | - | 65W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 3-PQFN (8x8) |
|
TPH3208PDGANFET N-CH 650V 20A TO220AB |
6,493 | - |
|
Технический лист |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 20A (Tc) | 10V | 130mOhm @ 13A, 8V | 2.6V @ 300µA | 14 nC @ 8 V | ±18V | 760 pF @ 400 V | - | 96W (Tc) | -55°C ~ 150°C | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
TPH3208LSGANFET N-CH 650V 20A 3PQFN |
4,216 | - |
|
Технический лист |
- | 3-PowerDFN | Tube | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 20A (Tc) | 10V | 130mOhm @ 13A, 8V | 2.6V @ 300µA | 14 nC @ 8 V | ±18V | 760 pF @ 400 V | - | 96W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 3-PQFN (8x8) |
|
64-0055PBFMOSFET N-CH 60V 160A TO220AB |
7,602 | - |
|
Технический лист |
HEXFET® | - | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 160A (Tc) | 10V | 4.2mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | 4520 pF @ 50 V | - | 230W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | - |
|
TPH3205WSBGANFET N-CH 650V 36A TO247-3 |
7,363 | - |
|
Технический лист |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 36A (Tc) | 10V | 60mOhm @ 22A, 8V | 2.6V @ 700µA | 42 nC @ 8 V | ±18V | 2200 pF @ 400 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
IRFC3004EBMOSFET N-CH WAFER |
4,010 | - |
|
Технический лист |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
IRFC3205ZEBMOSFET N-CH WAFER |
3,961 | - |
|
Технический лист |
* | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
