FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
FDN337N-F169

FDN337N-F169

MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3

onsemi

6,158 -
FDN337N-F169

Технический лист

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 2.2A (Ta) 2.5V, 4.5V 65mOhm @ 2.2A, 4.5V 1V @ 250µA 9 nC @ 4.5 V ±8V 300 pF @ 10 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
FDN360P-NBGT003B

FDN360P-NBGT003B

MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3

onsemi

8,677 -
FDN360P-NBGT003B

Технический лист

PowerTrench® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 2A (Ta) 4.5V, 10V 80mOhm @ 2A, 10V 3V @ 250µA 9 nC @ 10 V ±20V 298 pF @ 15 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
NDS355AN-F169

NDS355AN-F169

MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3

onsemi

6,911 -
NDS355AN-F169

Технический лист

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.7A (Ta) 4.5V, 10V 85mOhm @ 1.9A, 10V 2V @ 250µA 5 nC @ 5 V ±20V 195 pF @ 15 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
NDS355AN-NB9L007A

NDS355AN-NB9L007A

MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3

onsemi

6,526 -
NDS355AN-NB9L007A

Технический лист

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.7A (Ta) 4.5V, 10V 85mOhm @ 1.9A, 10V 2V @ 250µA 5 nC @ 5 V ±20V 195 pF @ 15 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
NDS356AP-NB8L005A

NDS356AP-NB8L005A

MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3

onsemi

9,897 -
NDS356AP-NB8L005A

Технический лист

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tray Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.1A (Ta) 4.5V, 10V 200mOhm @ 1.3A, 10V 2.5V @ 250µA 4.4 nC @ 5 V ±20V 280 pF @ 10 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
TK12P60W,RVQ(S

TK12P60W,RVQ(S

MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

3,909 -
TK12P60W,RVQ(S

Технический лист

DTMOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11.5A (Ta) 10V 340mOhm @ 5.8A, 10V 3.7V @ 600µA 25 nC @ 10 V ±30V 890 pF @ 300 V - 100W (Tc) 150°C - - Surface Mount DPAK
TK1P90A,LQ(CO

TK1P90A,LQ(CO

MOSFET N-CH 900V 1A PW-MOLD

Toshiba Semiconductor and Storage

3,853 -

-

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 1A (Ta) 10V 9Ohm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 13 nC @ 10 V ±30V 320 pF @ 25 V - 20W (Tc) 150°C - - Surface Mount PW-MOLD
TK2P60D(TE16L1,NV)

TK2P60D(TE16L1,NV)

MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD

Toshiba Semiconductor and Storage

5,540 -
TK2P60D(TE16L1,NV)

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2A (Ta) 10V 4.3Ohm @ 1A, 10V 4.4V @ 1mA 7 nC @ 10 V ±30V 280 pF @ 25 V - 60W (Tc) 150°C - - Surface Mount PW-MOLD
2N7002-7-F-79

2N7002-7-F-79

MOSFET N-CH 60V SOT23-3

Diodes Incorporated

6,138 -

-

* - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
2N7002-7-G

2N7002-7-G

MOSFET N-CH 60V SOT23-3

Diodes Incorporated

4,074 -

-

* - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
2N7002E-7-G

2N7002E-7-G

MOSFET N-CH 60V SOT23

Diodes Incorporated

7,956 -

-

* - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
2N7002KX-7

2N7002KX-7

MOSFET N-CH 60V SOT23-3

Diodes Incorporated

9,559 -

-

* - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
2N7002T-13-G

2N7002T-13-G

MOSFET N-CH 60V SOT523

Diodes Incorporated

5,927 -

-

* - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
2N7002T-7-G

2N7002T-7-G

MOSFET N-CH 60V SOT523

Diodes Incorporated

6,956 -

-

* - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
BSS138TA-79

BSS138TA-79

MOSFET N-CH SOT23

Diodes Incorporated

7,002 -

-

* - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
DMG3415U-13

DMG3415U-13

MOSFET P-CH DFN-3

Diodes Incorporated

4,143 -
DMG3415U-13

Технический лист

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4A (Ta) 1.8V, 4.5V 42.5mOhm @ 4A, 4.5V 1V @ 250µA 9.1 nC @ 4.5 V ±8V 294 pF @ 10 V - 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOT-23-3
DMN2400UFB4-7B

DMN2400UFB4-7B

MOSFET N-CH X2-DFN1006-3

Diodes Incorporated

5,711 -
DMN2400UFB4-7B

Технический лист

- 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 750mA (Ta) 1.8V, 4.5V 550mOhm @ 600mA, 4.5V 900mV @ 250µA 0.5 nC @ 4.5 V ±12V 36 pF @ 16 V - 470mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount X2-DFN1006-3
DMN2400UFB4-7R

DMN2400UFB4-7R

MOSFET N-CH X2-DFN1006-3

Diodes Incorporated

6,123 -
DMN2400UFB4-7R

Технический лист

- 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 750mA (Ta) 1.8V, 4.5V 550mOhm @ 600mA, 4.5V 900mV @ 250µA 0.5 nC @ 4.5 V ±12V 36 pF @ 16 V - 470mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount X2-DFN1006-3
DMN2500UFB4-7B

DMN2500UFB4-7B

MOSFET N-CH X2-DFN1006-3

Diodes Incorporated

3,483 -
DMN2500UFB4-7B

Технический лист

- 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 810mA (Ta) 1.8V, 4.5V 400mOhm @ 600mA, 4.5V 1V @ 250µA 0.737 nC @ 4.5 V ±6V 60.67 pF @ 16 V - 460mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount X2-DFN1006-3
DMN62D0LFD-13

DMN62D0LFD-13

MOSFET N-CH X1-DFN1212-3

Diodes Incorporated

5,047 -

-

- 3-UDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 310mA (Ta) 1.8V, 4V 2Ohm @ 100mA, 4V 1V @ 250µA 0.5 nC @ 4.5 V ±20V 31 pF @ 25 V - 480mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount X1-DFN1212-3
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь