TomatoElecОтслеживание заказа TomatoElecМой аккаунт
    Популярные запросы CL05B104KA5NNNC INA180A1IDBVR TIP3220SAD01G01 TIP29B BZT585B36T-7 RUT241087000 CRT01261N T491A106M010AT DS2401X1#U GRM188R61E105KA12D
    TomatoElec

    Доступно 24/7 по

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Все категории
    Главная > Продукты  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить все
    Применить ко всем
    Результат

    FET и MOSFET

    TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

    Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

    Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

    Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    MSC025SMA330B4

    MSC025SMA330B4

    MOSFET SIC 3300 V 25 MOHM TO-247

    Microchip Technology

    		 5,810 -
    Запрос цены
    		MSC025SMA330B4 Технический лист - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 3300 V 104A (Tc) 20V 31mOhm @ 40A, 20V 2.7V @ 7mA 410 nC @ 20 V +23V, -10V 8720 pF @ 2640 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    IPB042N10NF2SATMA1

    IPB042N10NF2SATMA1

    TRENCH >=100V

    Infineon Technologies

    		 5,414 -
    Запрос цены
    		IPB042N10NF2SATMA1 Технический лист * - Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key - - - - - - - - - - - - - - - - -
    CMS03N06T-HF

    CMS03N06T-HF

    MOSFET N-CH 60V 3A SOT23-3

    Comchip Technology

    		 7,640 -
    Запрос цены
    		CMS03N06T-HF Технический лист - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 3A (Ta) 4.5V, 10V 105mOhm @ 3A, 10V 2V @ 250µA 14.6 nC @ 10 V ±20V 510 pF @ 30 V - 1.7W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    CMS09N10D-HF

    CMS09N10D-HF

    MOSFET N-CH 100V 9.6A DPAK

    Comchip Technology

    		 3,960 -
    Запрос цены
    		CMS09N10D-HF Технический лист - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9.6A (Tc) 10V 140mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 15.5 nC @ 10 V ±20V 690 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    CMS12P03Q8-HF

    CMS12P03Q8-HF

    MOSFET P-CH 30V 12A 8SOP

    Comchip Technology

    		 2,880 -
    Запрос цены
    		CMS12P03Q8-HF Технический лист - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12A (Tc) 4.5V, 10V 15mOhm @ 10A, 10V 2.2V @ 250µA 44.4 nC @ 10 V ±20V 2419 pF @ 15 V - 3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    AUIRFU8403-701TRL

    AUIRFU8403-701TRL

    MOSFET

    Infineon Technologies

    		 8,521 -
    Запрос цены
    		AUIRFU8403-701TRL Технический лист HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 3.1mOhm @ 76A, 10V 3.9V @ 100µA 99 nC @ 10 V ±20V 3171 pF @ 25 V - 99W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-21
    P3M173K0T3

    P3M173K0T3

    SICFET N-CH 1700V 4A TO-220-3

    PN Junction Semiconductor

    		 7,965 -
    Запрос цены
    		P3M173K0T3 Технический лист P3M TO-220-2 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1700 V 4A 15V 2.6Ohm @ 600mA, 15V 2.2V @ 600µA (Typ) - +19V, -8V - - 75W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-2L
    P3M12025K4

    P3M12025K4

    SICFET N-CH 1200V 112A TO-247-4

    PN Junction Semiconductor

    		 4,264 -
    Запрос цены
    		P3M12025K4 Технический лист P3M TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 112A 15V 35mOhm @ 50A, 15V 2.2V @ 50mA (Typ) - +19V, -8V - - 577W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    P3M171K0K3

    P3M171K0K3

    SICFET N-CH 1700V 6A TO-247-3

    PN Junction Semiconductor

    		 3,426 -
    Запрос цены
    		P3M171K0K3 Технический лист P3M TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1700 V 6A 15V 1.4Ohm @ 2A, 15V 2.2V @ 2mA (Typ) - +19V, -8V - - 68W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3L
    P3M12080K3

    P3M12080K3

    SICFET N-CH 1200V 47A TO-247-3

    PN Junction Semiconductor

    		 2,339 -
    Запрос цены
    		P3M12080K3 Технический лист P3M TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 47A 15V 96mOhm @ 20A, 15V 2.4V @ 5mA (Typ) - +21V, -8V - - 221W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3L
    P3M06040K3

    P3M06040K3

    SICFET N-CH 650V 68A TO247-3

    PN Junction Semiconductor

    		 7,418 -
    Запрос цены
    		P3M06040K3 Технический лист P3M TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 68A 15V 50mOhm @ 40A, 15V 2.4V @ 7.5mA (Typ) - +20V, -8V - - 254W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3L
    P3M12160K3

    P3M12160K3

    SICFET N-CH 1200V 19A TO-247-3

    PN Junction Semiconductor

    		 4,073 -
    Запрос цены
    		P3M12160K3 Технический лист P3M TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 19A 15V 192mOhm @ 10A, 15V 2.4V @ 2.5mA (Typ) - +21V, -8V - - 110W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3L
    P3M12080K4

    P3M12080K4

    SICFET N-CH 1200V 47A TO-247-4

    PN Junction Semiconductor

    		 4,112 -
    Запрос цены
    		P3M12080K4 Технический лист P3M TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 47A 15V 96mOhm @ 20A, 15V 2.4V @ 5mA (Typ) - +21V, -8V - - 221W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    P3M06060T3

    P3M06060T3

    SICFET N-CH 650V 46A TO220-3

    PN Junction Semiconductor

    		 6,339 -
    Запрос цены
    		P3M06060T3 Технический лист P3M TO-220-2 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 46A 15V 79mOhm @ 20A, 15V 2.2V @ 20mA (Typ) - +20V, -8V - - 170W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-2L
    FDPF18N50T-G

    FDPF18N50T-G

    FDPF18N50T-G

    onsemi

    		 9,360 -
    Запрос цены
    		FDPF18N50T-G Технический лист - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRFU2405PBFAKLA1

    IRFU2405PBFAKLA1

    MOSFET N-CH

    Infineon Technologies

    		 9,785 -
    Запрос цены
    		IRFU2405PBFAKLA1 Технический лист * - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDMT800120DC-22897

    FDMT800120DC-22897

    FET 120V 4.2 MOHM PQFN88

    onsemi

    		 2,846 -
    Запрос цены
    		FDMT800120DC-22897 Технический лист PowerTrench® 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 20A (Ta), 128A (Tc) 6V, 10V 4.2mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 107 nC @ 10 V ±20V 7850 pF @ 60 V - 3.2W (Ta), 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-Dual Cool™88
    STP270N8F7W

    STP270N8F7W

    MOSFET N CH 80V 180A TO-220AB

    STMicroelectronics

    		 6,875 -
    Запрос цены
    		STP270N8F7W Технический лист - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 180A (Tc) 10V 2.5mOhm @ 90A, 10V 4V @ 250µA 193 nC @ 10 V ±20V 13600 pF @ 50 V - 315W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    DMJ65H430SCTI

    DMJ65H430SCTI

    MOSFET BVDSS: 501V~650V ITO-220A

    Diodes Incorporated

    		 7,837 -
    Запрос цены
    		DMJ65H430SCTI Технический лист - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 14A (Tc) 10V 430mOhm @ 5A, 10V 5V @ 250µA 24.5 nC @ 10 V ±30V 775 pF @ 100 V - 2.5W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO220AB-N (Type HE)
    DMN3112SQ-7

    DMN3112SQ-7

    MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

    Diodes Incorporated

    		 8,562 -
    Запрос цены
    		DMN3112SQ-7 Технический лист - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.8A (Ta) 4.5V, 10V 57mOhm @ 5.8A, 10V 2.2V @ 250µA - ±20V 268 pF @ 5 V - 1.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOT-23-3
    Total 36284 Record«Prev1... 17801781178217831784178517861787...1815Next»
    TomatoElec

    Поиск

     TomatoElec

    Продукты

     TomatoElec

    Телефон

     TomatoElec

    Пользователь
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135