FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
ISK036N03LM5AULA1

ISK036N03LM5AULA1

TRENCH <= 40V PG-VSON-6

Infineon Technologies

3,818 -
ISK036N03LM5AULA1

Технический лист

OptiMOS™ 5 6-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 44A (Tc) 4.5V, 10V 3.6mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 21.5 nC @ 10 V ±16V 1400 pF @ 15 V - 11W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-6-1
IPT039N15N5XTMA1

IPT039N15N5XTMA1

TRENCH >=100V PG-HSOF-8

Infineon Technologies

3,173 -

-

OptiMOS™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 190A (Tc) 8V, 10V 3.9mOhm @ 50A, 10V 4.6V @ 257µA 98 nC @ 10 V ±20V 7700 pF @ 75 V - 319W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8
IAUS300N04S4N007ATMA1

IAUS300N04S4N007ATMA1

MOSFET_(20V 40V) PG-HSOG-8

Infineon Technologies

2,411 -
IAUS300N04S4N007ATMA1

Технический лист

OptiMOS™ 8-PowerSMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 300A (Tc) 10V 0.74mOhm @ 100A, 10V 4V @ 275µA 342 nC @ 10 V ±20V 27356 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOG-8-1
IMT65R022M1HXTMA1

IMT65R022M1HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8

Infineon Technologies

8,536 -

-

* - Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key - - - - - - - - - - - - - - - - -
IMT65R039M1HXTMA1

IMT65R039M1HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8

Infineon Technologies

9,446 -
IMT65R039M1HXTMA1

Технический лист

* - Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPB80P03P405ATMA2

IPB80P03P405ATMA2

MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3

Infineon Technologies

3,626 -
IPB80P03P405ATMA2

Технический лист

OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 80A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 80A, 10V 4V @ 253µA 130 nC @ 10 V ±20V 10300 pF @ 25 V - 137W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
GPI65060DFN

GPI65060DFN

GANFET N-CH 650V 60A DFN8X8

GaNPower

3,790 -
GPI65060DFN

Технический лист

- Die Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 60A 6V - 1.2V @ 3.5mA 16 nC @ 6 V +7.5V, -12V 420 pF @ 400 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
GPIHV30SB5L

GPIHV30SB5L

GANFET N-CH 1200V 30A TO263-5L

GaNPower

6,073 -
GPIHV30SB5L

Технический лист

- Die Tube Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 1200 V 30A 6V - 1.4V @ 3.5mA 8.25 nC @ 6 V +7.5V, -12V 236 pF @ 400 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
PJP6NA90_T0_00001

PJP6NA90_T0_00001

900V N-CHANNEL MOSFET

Panjit International Inc.

8,995 -
PJP6NA90_T0_00001

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 6A (Ta) 10V 2.3Ohm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 23.6 nC @ 10 V ±30V 915 pF @ 25 V - 167W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
PJP100P03_T0_00001

PJP100P03_T0_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

8,758 -
PJP100P03_T0_00001

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 15.8A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 107 nC @ 10 V ±20V 6067 pF @ 25 V - 2W (Ta), 119W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
PCFC041N60EW

PCFC041N60EW

MOSFET N-CH SMD

onsemi

6,805 -

-

* - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
BSS84-F169

BSS84-F169

MOSFET

onsemi

5,750 -

-

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
SC9611MX

SC9611MX

MOSFET N-CH SMD

onsemi

6,334 -

-

* - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
NTMJS0D9N03CGTWG

NTMJS0D9N03CGTWG

MOSFET N-CH 30V LFPAK8

onsemi

4,424 -
NTMJS0D9N03CGTWG

Технический лист

- SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Ta), 315A (Tc) 10V 0.9mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 200µA 131.4 nC @ 10 V ±20V 9550 pF @ 15 V - 3.9W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-LFPAK
FDN5630-G

FDN5630-G

MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3

onsemi

9,116 -

-

PowerTrench® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 1.7A (Ta) 6V, 10V 100mOhm @ 1.7A, 10V 3V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V 560 pF @ 15 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
FDP045N10A-F032

FDP045N10A-F032

MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3

onsemi

6,307 -

-

PowerTrench® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250mA 74 nC @ 10 V ±20V 5270 pF @ 50 V - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
FDP075N15A-F032

FDP075N15A-F032

MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3

onsemi

2,191 -

-

PowerTrench® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 130A (Tc) 10V 7.5mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 7350 pF @ 75 V - 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
FDT3612-SB82273

FDT3612-SB82273

MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4

onsemi

6,034 -

-

PowerTrench® TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 3.7A (Ta) 6V, 10V 120mOhm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 632 pF @ 50 V - 1.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223-4
DMP1018UCB9-7

DMP1018UCB9-7

MOSFET P-CH 12V 7.6A U-WLB1515-9

Diodes Incorporated

5,597 -

-

- 9-UFBGA, WLBGA Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 7.6A (Ta) 2.5V, 4.5V 18mOhm @ 2A, 4.5V 1.3V @ 250µA 4.9 nC @ 4.5 V -6V 457 pF @ 6 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount U-WLB1515-9
NTC080N120SC1

NTC080N120SC1

SIC MOS WAFER SALES 80MOHM 1200V

onsemi

7,882 -
NTC080N120SC1

Технический лист

- Die Tray Obsolete N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 31A (Tc) 20V 110mOhm @ 20A, 20V 4.3V @ 5mA 56 nC @ 20 V +25V, -15V 1112 pF @ 800 V - 178W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount Die
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь