FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IPD50P04P4L11AUMA1

IPD50P04P4L11AUMA1

MOSFET

Infineon Technologies

3,526 -

-

OptiMOS™ P2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 10.6mOhm @ 50A, 10V 2.2V @ 85µA 59 nC @ 10 V +5V, -16V 3900 pF @ 25 V - 58W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-313
IPB180P04P4L02AUMA2

IPB180P04P4L02AUMA2

MOSFET

Infineon Technologies

7,423 -

-

OptiMOS™ P2 TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 180A (Tc) 4.5V, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 2.2V @ 410µA 286 nC @ 10 V +5V, -16V 18700 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-3
IPD70P04P4L08AUMA2

IPD70P04P4L08AUMA2

MOSFET

Infineon Technologies

8,537 -

-

OptiMOS™ P2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 70A (Tc) 4.5V, 10V 7.8mOhm @ 70A, 10V 2.2V @ 120µA 92 nC @ 10 V +5V, -16V 5430 pF @ 25 V - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-313
IPD50P04P413AUMA2

IPD50P04P413AUMA2

MOSFET

Infineon Technologies

2,415 -

-

OptiMOS™ P2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Tc) 10V 12.6mOhm @ 50A, 10V 4V @ 85µA 51 nC @ 10 V ±20V 3670 pF @ 25 V - 58W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-313
DMN2710UFBQ-7B

DMN2710UFBQ-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-

Diodes Incorporated

8,466 -
DMN2710UFBQ-7B

Технический лист

- 3-UFDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 1.3A (Ta) 1.8V, 4.5V 450mOhm @ 600mA, 4.5V 1V @ 250µA 0.6 nC @ 4.5 V ±6V 42 pF @ 16 V - 720mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount X1-DFN1006-3
FDB075N15A-F085C

FDB075N15A-F085C

MODULE

onsemi

9,086 -

-

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
AOTF12N50L

AOTF12N50L

MOSFET

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

2,030 -

-

- TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 12A (Tc) 10V 520mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±30V 1633 pF @ 25 V - 50W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
AOTF14N50L

AOTF14N50L

MOSFET

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

4,893 -

-

- TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 14A (Tj) 10V 380mOhm @ 7A, 10V 4.5V @ 250µA 51 nC @ 10 V ±30V 2297 pF @ 25 V - 50W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
AOD1N60M

AOD1N60M

MOSFET

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

8,377 -

-

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 1.3A (Tc) 10V 9Ohm @ 650mA, 10V 4.5V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±30V 160 pF @ 25 V - 45W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
AOTF42S60

AOTF42S60

MOSFET

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

9,205 -

-

aMOS™ TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 39A 10V 99mOhm @ 21A, 10V 3.8V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V 2154 pF @ 100 V - 50W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
AOTF11N60

AOTF11N60

MOSFET

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

2,896 -

-

- TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A 10V 650mOhm @ 5.5A, 10V 4.5V @ 250µA 30.6 nC @ 10 V ±30V 1656 pF @ 25 V - 50W -55°C ~ 150°C - - Through Hole TO-220F
AOTF15S60

AOTF15S60

MOSFET

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

8,866 -

-

aMOS™ TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Tc) 10V 290mOhm @ 7.5A, 10V 3.8V @ 250µA 15.6 nC @ 10 V ±30V 717 pF @ 100 V - 27.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
SISC262SN06LX6SA1

SISC262SN06LX6SA1

MOSFET

Infineon Technologies

9,641 -

-

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
FMD15-06KC5-PT

FMD15-06KC5-PT

MOSFET

IXYS

3,607 -

-

CoolMOS™, HiPerDyn™ ISOPLUSi5-PAK™ Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Tc) 10V 165mOhm @ 12A, 10V 3.5V @ 790µA 52 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 100 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
GT095N10K

GT095N10K

MOSFET N-CH 100V 55A TO-252

Goford Semiconductor

3,113 -
GT095N10K

Технический лист

SGT TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) - 55A (Tc) 4.5V, 10V 10.5mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 250µA - ±20V - - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
GPIHV5DK

GPIHV5DK

GaNFET N-CH 1200V 5A TO252

GaNPower

2,746 -
GPIHV5DK

Технический лист

- - Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 1200 V 5A 6V - 1.7V @ 3.5mA 1.9 nC @ 6 V +7.5V, -12V 90 pF @ 700 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount -
GPIHV10DK

GPIHV10DK

GaNFET N-CH 1200V 10A TO252

GaNPower

2,391 -
GPIHV10DK

Технический лист

- - Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 1200 V 10A 6V - 1.7V @ 3.5mA 3.5 nC @ 6 V +7.5V, -12V 105 pF @ 700 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount -
GPIHV7DK

GPIHV7DK

GaNFET N-CH 1200V 7A TO252

GaNPower

9,717 -
GPIHV7DK

Технический лист

- - Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 1200 V 7A 6V - 1.7V @ 3.5mA 3.1 nC @ 6 V +7.5V, -12V 90 pF @ 700 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount -
ICE20N60FP

ICE20N60FP

Superjunction MOSFET

IceMOS Technology

7,413 -
ICE20N60FP

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 190mOhm @ 10A, 10V 3.9V @ 250µA 59 nC @ 10 V ±20V 2064 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
AOD4184L

AOD4184L

MOSFET

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

5,914 -

-

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 12A (Ta), 50A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 20A, 10V 2.6V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±20V 1800 pF @ 20 V - 2.3W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь