Доступно 24/7 по
0755-82798135FET, MOSFET
FET и MOSFET
TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.
Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.
Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.
| Фото | Номер производителя | Наличие | Цена | Количество | Технический лист | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPD50P04P4L11AUMA1MOSFET |
3,526 | - |
|
- |
OptiMOS™ P2 | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 10.6mOhm @ 50A, 10V | 2.2V @ 85µA | 59 nC @ 10 V | +5V, -16V | 3900 pF @ 25 V | - | 58W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3-313 |
|
IPB180P04P4L02AUMA2MOSFET |
7,423 | - |
|
- |
OptiMOS™ P2 | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) | Bulk | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 180A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.4mOhm @ 100A, 10V | 2.2V @ 410µA | 286 nC @ 10 V | +5V, -16V | 18700 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-7-3 |
|
IPD70P04P4L08AUMA2MOSFET |
8,537 | - |
|
- |
OptiMOS™ P2 | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 70A (Tc) | 4.5V, 10V | 7.8mOhm @ 70A, 10V | 2.2V @ 120µA | 92 nC @ 10 V | +5V, -16V | 5430 pF @ 25 V | - | 75W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3-313 |
|
IPD50P04P413AUMA2MOSFET |
2,415 | - |
|
- |
OptiMOS™ P2 | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 50A (Tc) | 10V | 12.6mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 85µA | 51 nC @ 10 V | ±20V | 3670 pF @ 25 V | - | 58W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3-313 |
|
DMN2710UFBQ-7BMOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006- |
8,466 | - |
|
Технический лист |
- | 3-UFDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 1.3A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 450mOhm @ 600mA, 4.5V | 1V @ 250µA | 0.6 nC @ 4.5 V | ±6V | 42 pF @ 16 V | - | 720mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | X1-DFN1006-3 |
|
FDB075N15A-F085CMODULE |
9,086 | - |
|
- |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
AOTF12N50LMOSFET |
2,030 | - |
|
- |
- | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 12A (Tc) | 10V | 520mOhm @ 6A, 10V | 4.5V @ 250µA | 37 nC @ 10 V | ±30V | 1633 pF @ 25 V | - | 50W | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F |
|
AOTF14N50LMOSFET |
4,893 | - |
|
- |
- | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 14A (Tj) | 10V | 380mOhm @ 7A, 10V | 4.5V @ 250µA | 51 nC @ 10 V | ±30V | 2297 pF @ 25 V | - | 50W | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F |
|
AOD1N60MMOSFET |
8,377 | - |
|
- |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 1.3A (Tc) | 10V | 9Ohm @ 650mA, 10V | 4.5V @ 250µA | 8 nC @ 10 V | ±30V | 160 pF @ 25 V | - | 45W (Tc) | -50°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
AOTF42S60MOSFET |
9,205 | - |
|
- |
aMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 39A | 10V | 99mOhm @ 21A, 10V | 3.8V @ 250µA | 40 nC @ 10 V | ±30V | 2154 pF @ 100 V | - | 50W | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F |
|
AOTF11N60MOSFET |
2,896 | - |
|
- |
- | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 11A | 10V | 650mOhm @ 5.5A, 10V | 4.5V @ 250µA | 30.6 nC @ 10 V | ±30V | 1656 pF @ 25 V | - | 50W | -55°C ~ 150°C | - | - | Through Hole | TO-220F |
|
AOTF15S60MOSFET |
8,866 | - |
|
- |
aMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 15A (Tc) | 10V | 290mOhm @ 7.5A, 10V | 3.8V @ 250µA | 15.6 nC @ 10 V | ±30V | 717 pF @ 100 V | - | 27.8W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F |
|
SISC262SN06LX6SA1MOSFET |
9,641 | - |
|
- |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
FMD15-06KC5-PTMOSFET |
3,607 | - |
|
- |
CoolMOS™, HiPerDyn™ | ISOPLUSi5-PAK™ | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 15A (Tc) | 10V | 165mOhm @ 12A, 10V | 3.5V @ 790µA | 52 nC @ 10 V | ±20V | 2000 pF @ 100 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUS i4-PAC™ |
|
GT095N10KMOSFET N-CH 100V 55A TO-252 |
3,113 | - |
|
Технический лист |
SGT | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | - | 55A (Tc) | 4.5V, 10V | 10.5mOhm @ 35A, 10V | 2.5V @ 250µA | - | ±20V | - | - | 74W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 |
|
GPIHV5DKGaNFET N-CH 1200V 5A TO252 |
2,746 | - |
|
Технический лист |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 1200 V | 5A | 6V | - | 1.7V @ 3.5mA | 1.9 nC @ 6 V | +7.5V, -12V | 90 pF @ 700 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | - |
|
GPIHV10DKGaNFET N-CH 1200V 10A TO252 |
2,391 | - |
|
Технический лист |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 1200 V | 10A | 6V | - | 1.7V @ 3.5mA | 3.5 nC @ 6 V | +7.5V, -12V | 105 pF @ 700 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | - |
|
GPIHV7DKGaNFET N-CH 1200V 7A TO252 |
9,717 | - |
|
Технический лист |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 1200 V | 7A | 6V | - | 1.7V @ 3.5mA | 3.1 nC @ 6 V | +7.5V, -12V | 90 pF @ 700 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | - |
|
ICE20N60FPSuperjunction MOSFET |
7,413 | - |
|
Технический лист |
- | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 20A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 10A, 10V | 3.9V @ 250µA | 59 nC @ 10 V | ±20V | 2064 pF @ 25 V | - | 35W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FP |
|
AOD4184LMOSFET |
5,914 | - |
|
- |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 12A (Ta), 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 8mOhm @ 20A, 10V | 2.6V @ 250µA | 33 nC @ 10 V | ±20V | 1800 pF @ 20 V | - | 2.3W (Ta), 50W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |

