TomatoElecОтслеживание заказа TomatoElecМой аккаунт
    Популярные запросы CL05B104KA5NNNC INA180A1IDBVR TIP3220SAD01G01 TIP29B BZT585B36T-7 RUT241087000 CRT01261N T491A106M010AT DS2401X1#U GRM188R61E105KA12D
    TomatoElec

    Доступно 24/7 по

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Все категории
    Главная > Продукты  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить все
    Применить ко всем
    Результат

    FET и MOSFET

    TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

    Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

    Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

    Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    SSM3K121TU,LF

    SSM3K121TU,LF

    MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 2,154 -
    Запрос цены
    		SSM3K121TU,LF Технический лист - 3-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3.2A (Ta) 1.5V, 4V 48mOhm @ 2A, 4V 1V @ 1mA 5.9 nC @ 4 V ±10V 400 pF @ 10 V - 500mW (Ta) 150°C - - Surface Mount UFM
    SQ2337CES-T1_GE3

    SQ2337CES-T1_GE3

    MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

    Vishay Siliconix

    		 5,274 -
    Запрос цены
    		SQ2337CES-T1_GE3 Технический лист TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 2.2A (Tc) 6V, 10V 290mOhm @ 1.2A, 10V 2.5V @ 250µA 18 nC @ 40 V ±20V 620 pF @ 40 V - 3W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
    SQJ166ELP-T1_GE3

    SQJ166ELP-T1_GE3

    MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA

    Vishay Siliconix

    		 9,906 -
    Запрос цены
    		SQJ166ELP-T1_GE3 Технический лист TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 67A (Tc) 4.5V, 10V 9.7mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 1903 pF @ 25 V - 89W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SQS124ELNW-T1_GE3

    SQS124ELNW-T1_GE3

    MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA

    Vishay Siliconix

    		 7,710 -
    Запрос цены
    		SQS124ELNW-T1_GE3 Технический лист TrenchFET® Gen IV 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 107A (Tc) 4.5V, 10V 3mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V 2945 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PowerPAK® 1212-8SLW
    SIS5712DN-T1-GE3

    SIS5712DN-T1-GE3

    MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8

    Vishay Siliconix

    		 6,831 -
    Запрос цены
    		SIS5712DN-T1-GE3 Технический лист TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 5.6A (Ta), 18A (Tc) 7.5V, 10V 55.5mOhm @ 5.6A, 10V 4V @ 250µA 11.3 nC @ 10 V ±20V 500 pF @ 75 V - 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
    ISK018NE1LM7ATSA1

    ISK018NE1LM7ATSA1

    ISK018NE1LM7AULA1 MOSFET

    Infineon Technologies

    		 9,028 -
    Запрос цены
    		ISK018NE1LM7ATSA1 Технический лист OptiMOS™ 7 6-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15 V 30A (Ta), 129A (Tc) 4.5V, 7V 1.8mOhm @ 20A, 7V 2V @ 106µA 13.6 nC @ 7 V ±7V 1600 pF @ 7.5 V - 2.1W (Ta), 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-6-1
    ISK057N04LM6ATSA1

    ISK057N04LM6ATSA1

    MOSFET N-CH 40V 64A 6VSON

    Infineon Technologies

    		 6,645 -
    Запрос цены
    		ISK057N04LM6ATSA1 Технический лист OptiMOS™ 6 6-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 15A (Ta), 64A (Tc) 4.5V, 10V 5.75mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 870 pF @ 20 V - 2.1W (Ta), 39.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-6-1
    BSB044N08NN3GXUMA2

    BSB044N08NN3GXUMA2

    MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON

    Infineon Technologies

    		 4,142 -
    Запрос цены
    		BSB044N08NN3GXUMA2 Технический лист OptiMOS™ 3 DirectFET™ Isometric ST Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 18A (Ta), 90A (Tc) 10V 4.4mOhm @ 30A, 10V 3.5V @ 97µA 73 nC @ 10 V ±20V 5700 pF @ 40 V - 2.2W (Ta), 78W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount MG-WDSON-2
    BSF450NE7NH3XUMA2

    BSF450NE7NH3XUMA2

    MOSFET N-CH 75V 5A/15A 2WDSON

    Infineon Technologies

    		 6,776 -
    Запрос цены
    		BSF450NE7NH3XUMA2 Технический лист OptiMOS™ 3 DirectFET™ Isometric ST Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 5A (Ta), 15A (Tc) 7V, 10V 45mOhm @ 8A, 10V 3.8V @ 8µA 6 nC @ 10 V ±20V 390 pF @ 37.5 V - 2.2W (Ta), 18W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount MG-WDSON-2
    BSF134N10NJ3GXUMA2

    BSF134N10NJ3GXUMA2

    MOSFET N-CH 100V 9A/40A 2WDSON

    Infineon Technologies

    		 3,453 -
    Запрос цены
    		BSF134N10NJ3GXUMA2 Технический лист OptiMOS™ DirectFET™ Isometric ST Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9A (Ta), 40A (Tc) 6V, 10V 13.4mOhm @ 30A, 10V 3.5V @ 40µA 30 nC @ 10 V ±20V 2300 pF @ 50 V - 2.2W (Ta), 43W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount MG-WDSON-2
    APT80GA90B2D40

    APT80GA90B2D40

    MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

    Microchip Technology

    		 2,937 -
    Запрос цены
    		APT80GA90B2D40 Технический лист - - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SIR5812DP-T1-RE3

    SIR5812DP-T1-RE3

    MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    		 2,326 -
    Запрос цены
    		SIR5812DP-T1-RE3 Технический лист TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 13A (Ta), 45.3A (Tc) 7.5V, 10V 13.5mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 775 pF @ 40 V - 4.1W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    MSC035SMA070SCT/R

    MSC035SMA070SCT/R

    MOSFET SIC 700 V 35 MOHM PSMT

    Microchip Technology

    		 8,820 -
    Запрос цены
    		MSC035SMA070SCT/R Технический лист mSiC™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 700 V 71A (Tc) 18V, 20V 44mOhm @ 30A, 20V 5V @ 2mA 93 nC @ 20 V +23V, -10V 1806 pF @ 700 V - 276W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-268
    MSC020SMB120D/S

    MSC020SMB120D/S

    MOSFET SIC 1200 V 20 MOHM DIE

    Microchip Technology

    		 3,121 -
    Запрос цены
    		MSC020SMB120D/S Технический лист - - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    MSC045SMB120D/S

    MSC045SMB120D/S

    MOSFET SIC 1200 V 45 MOHM DIE

    Microchip Technology

    		 3,148 -
    Запрос цены
    		MSC045SMB120D/S Технический лист - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    MSC025SMA330B4N

    MSC025SMA330B4N

    MOSFET SIC 3300V 25 MOHM TO-247-

    Microchip Technology

    		 4,377 -
    Запрос цены
    		MSC025SMA330B4N Технический лист - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 3300 V 104A - - - - - - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    MSC025SMA120SCT/R

    MSC025SMA120SCT/R

    MOSFET SIC 1200 V 25 MOHM PSMT

    Microchip Technology

    		 2,441 -
    Запрос цены
    		MSC025SMA120SCT/R Технический лист mSiC™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 108A (Tc) 18V, 20V 31mOhm @ 40A, 20V 3V @ 3mA 232 nC @ 20 V +23V, -10V 3633 pF @ 1000 V - 524W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-268
    MSC030SMB120D/S

    MSC030SMB120D/S

    MOSFET SIC 1200 V 30 MOHM DIE

    Microchip Technology

    		 5,073 -
    Запрос цены
    		MSC030SMB120D/S Технический лист - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    MSC400SMA330B4N

    MSC400SMA330B4N

    MOSFET SIC 3300V 400 MOHM TO-247

    Microchip Technology

    		 8,045 -
    Запрос цены
    		MSC400SMA330B4N Технический лист - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 3300 V 11A (Tc) 20V 520mOhm @ 5A, 20V 2.97V @ 1mA 37 nC @ 20 V +23V, -10V 579 pF @ 2.4 kV - 131W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    MSC011SMC120D/S

    MSC011SMC120D/S

    MOSFET SIC 1200 V 11 MOHM DIE

    Microchip Technology

    		 7,006 -
    Запрос цены
    		MSC011SMC120D/S Технический лист - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    Total 36284 Record«Prev1... 17951796179717981799180018011802...1815Next»
    TomatoElec

    Поиск

     TomatoElec

    Продукты

     TomatoElec

    Телефон

     TomatoElec

    Пользователь
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135