TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IPD60R950C6ATMA1

IPD60R950C6ATMA1

MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3

Infineon Technologies

6,743 -
IPD60R950C6ATMA1

Технический лист

CoolMOS™ C6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4.4A (Tc) 10V 950mOhm @ 1.5A, 10V 3.5V @ 130µA 13 nC @ 10 V ±20V 280 pF @ 100 V - 37W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
RQ7E055ATTCR

RQ7E055ATTCR

MOSFET P-CH 30V 5.5A TSMT8

Rohm Semiconductor

6,311 -
RQ7E055ATTCR

Технический лист

- 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.5A (Tc) 10V 24.5mOhm @ 5.5A, 10V 2.5V @ 1mA 18.8 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 15 V - 1.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
SI4431CDY-T1-E3

SI4431CDY-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 9A 8SO

Vishay Siliconix

6,218 -
SI4431CDY-T1-E3

Технический лист

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9A (Tc) 4.5V, 10V 32mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 1006 pF @ 15 V - 4.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
SQJ170ELP-T1_GE3

SQJ170ELP-T1_GE3

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Vishay Siliconix

6,174 -
SQJ170ELP-T1_GE3

Технический лист

- PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 63A (Tc) 4.5V, 10V 16.3mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 1165 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
RS3E135BNGZETB

RS3E135BNGZETB

MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Rohm Semiconductor

4,961 -
RS3E135BNGZETB

Технический лист

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.5A (Ta) 10V 14.6mOhm @ 9.5A, 10V 2.5V @ 1mA 8.3 nC @ 4.5 V ±20V 680 pF @ 15 V - 2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
SIHF9Z24STRR-GE3

SIHF9Z24STRR-GE3

MOSFET P-CHANNEL 60V

Vishay Siliconix

4,767 -
SIHF9Z24STRR-GE3

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 11A (Tc) 10V 280mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
CSD16404Q5A

CSD16404Q5A

MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON

Texas Instruments

4,328 -
CSD16404Q5A

Технический лист

NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 21A (Ta), 81A (Tc) 4.5V, 10V 5.1mOhm @ 20A, 10V 2.1V @ 250µA 8.5 nC @ 4.5 V +16V, -12V 1220 pF @ 12.5 V - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSONP (5x6)
DMT10H015LSS-13

DMT10H015LSS-13

MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO

Diodes Incorporated

3,900 -
DMT10H015LSS-13

Технический лист

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 8.3A (Ta) 4.5V, 10V 16mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 33.3 nC @ 10 V ±20V 1871 pF @ 50 V - 1.2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
SISH410DN-T1-GE3

SISH410DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAK

Vishay Siliconix

3,114 -
SISH410DN-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® 1212-8SH Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 22A (Ta), 35A (Tc) 4.5V, 10V 4.8mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V 1600 pF @ 10 V - 3.8W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
NVTFS6H860NLWFTAG

NVTFS6H860NLWFTAG

MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN

onsemi

2,910 -
NVTFS6H860NLWFTAG

Технический лист

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 8.1A (Ta), 30A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 5A, 10V 2V @ 30µA 12 nC @ 10 V ±20V 610 pF @ 40 V - 3.1W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
NVTFS6H860NLTAG

NVTFS6H860NLTAG

MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN

onsemi

2,777 -
NVTFS6H860NLTAG

Технический лист

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 8.1A (Ta), 30A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 5A, 10V 2V @ 30µA 12 nC @ 10 V ±20V 610 pF @ 40 V - 3.1W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
SQJ186EP-T1_GE3

SQJ186EP-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

Vishay Siliconix

2,510 -
SQJ186EP-T1_GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 60A (Tc) 10V 15mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V 1942 pF @ 25 V - 135W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
SISS98DN-T1-GE3

SISS98DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK

Vishay Siliconix

1,990 -
SISS98DN-T1-GE3

Технический лист

ThunderFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 14.1A (Tc) 7.5V, 10V 105mOhm @ 7A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 7.5 V ±20V 608 pF @ 100 V - 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
IPD130N10NF2SATMA1

IPD130N10NF2SATMA1

MOSFET

Infineon Technologies

1,934 -
IPD130N10NF2SATMA1

Технический лист

StrongIRFET™ 2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 11A (Ta), 52A (Tc) 6V, 10V 13mOhm @ 30A, 10V 3.8V @ 30µA 28 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 50 V - 3W (Ta), 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
IRF40B207

IRF40B207

MOSFET N-CH 40V 95A TO220AB

Infineon Technologies

1,841 -
IRF40B207

Технический лист

HEXFET®, StrongIRFET™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 95A (Tc) 6V, 10V 4.5mOhm @ 57A, 10V 3.9V @ 50µA 68 nC @ 10 V ±20V 2110 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IPD50P03P4L11ATMA2

IPD50P03P4L11ATMA2

MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31

Infineon Technologies

19,021 -
IPD50P03P4L11ATMA2

Технический лист

OptiMOS™ P2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Tc) - 10.5mOhm @ 50A, 10V 2V @ 85µA 55 nC @ 10 V +5V, -16V 3770 pF @ 25 V - 58W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO252-3-11
RQ6L020SPTCR

RQ6L020SPTCR

MOSFET P-CH 60V 2A TSMT6

Rohm Semiconductor

15,100 -
RQ6L020SPTCR

Технический лист

- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 2A (Ta) 4V, 10V 210mOhm @ 2A, 10V 3V @ 1mA 7.2 nC @ 5 V ±20V 750 pF @ 10 V - 1.25W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT6 (SC-95)
IPA65R1K0CEXKSA1

IPA65R1K0CEXKSA1

MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220

Infineon Technologies

1,456 -
IPA65R1K0CEXKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7.2A (Tc) 10V 1Ohm @ 1.5A, 10V 3.5V @ 200µA 15.3 nC @ 10 V ±20V 328 pF @ 100 V - 68W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
IPD040N03LGATMA1

IPD040N03LGATMA1

MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Infineon Technologies

186 -
IPD040N03LGATMA1

Технический лист

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 3900 pF @ 15 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
FDMA7672

FDMA7672

MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET

onsemi

7,388 -
FDMA7672

Технический лист

PowerTrench® 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9A (Ta) 4.5V, 10V 21mOhm @ 9A, 10V 3V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V 760 pF @ 15 V - 2.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Total 36284 Record«Prev1... 1819202122232425...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь