TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
PJQ4463AP_R2_00001

PJQ4463AP_R2_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

9,955 -
PJQ4463AP_R2_00001

Технический лист

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 4.2A (Ta) 4.5V, 10V 68mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 879 pF @ 30 V - 2.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN3333-8
IAUCN04S7N030ATMA1

IAUCN04S7N030ATMA1

MOSFET_(20V 40V)

Infineon Technologies

5,025 -
IAUCN04S7N030ATMA1

Технический лист

OptiMOS™ 7 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A 10V - - - - - - - -55°C ~ 100°C Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TDSON-8-33
SSM6K809R,LF

SSM6K809R,LF

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=60

Toshiba Semiconductor and Storage

3,272 -
SSM6K809R,LF

Технический лист

U-MOSVIII-H 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 6A (Ta) 4V, 10V 36mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 100µA 9.3 nC @ 10 V ±20V 550 pF @ 10 V - 1.5W (Ta) 175°C - - Surface Mount 6-TSOP-F
SIRA96DP-T1-GE3

SIRA96DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

5,243 -
SIRA96DP-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 16A (Tc) 4.5V, 10V 8.8mOhm @ 10A, 10V 2.2V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V +20V, -16V 1385 pF @ 15 V - 34.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Diodes Incorporated

2,853 -
DMN10H170SFDE-7

Технический лист

- 6-PowerUDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 2.9A (Ta) 4.5V, 10V 160mOhm @ 5A, 10V 3V @ 250µA 9.7 nC @ 10 V ±20V 1167 pF @ 25 V - 660mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
CSD23203W

CSD23203W

MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA

Texas Instruments

2,215 -
CSD23203W

Технический лист

NexFET™ 6-UFBGA, DSBGA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8 V 3A (Ta) 1.8V, 4.5V 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.1V @ 250µA 6.3 nC @ 4.5 V -6V 914 pF @ 4 V - 750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
PJQ4534P_R2_00201

PJQ4534P_R2_00201

30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET

Panjit International Inc.

5,000 -
PJQ4534P_R2_00201

Технический лист

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJW5N10A_R2_00001

PJW5N10A_R2_00001

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

Panjit International Inc.

2,245 -
PJW5N10A_R2_00001

Технический лист

- TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 3.5A (Ta), 5A (Tc) 4.5V, 10V 115mOhm @ 4A, 10V 2.5V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 1413 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 5.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
PSMN047-100NSEX

PSMN047-100NSEX

PSMN047-100NSE/SOT1220-2/DFN20

Nexperia USA Inc.

1,390 -
PSMN047-100NSEX

Технический лист

- 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 18.4A (Tc) 10V 53.4mOhm @ 5A, 10V 3.6V @ 1mA 13.3 nC @ 10 V ±20V 815 pF @ 50 V - 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DFN2020M-6
MCG30N04HE3-TP

MCG30N04HE3-TP

N-CHANNEL MOSFET, DFN3333

Micro Commercial Co

13,500 -
MCG30N04HE3-TP

Технический лист

- 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V 990 pF @ 25 V - 24W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DFN3333
PMPB08R4VPHP

PMPB08R4VPHP

PMPB08R4VP/SOT1220-2/DFN2020M-

Nexperia USA Inc.

10,000 -
PMPB08R4VPHP

Технический лист

- 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 12A (Ta) 1.8V, 4.5V 9.6mOhm @ 12A, 4.5V 900mV @ 250µA 40 nC @ 4.5 V ±8V 2200 pF @ 6 V - 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN2020M-6
PMN48XP,125

PMN48XP,125

MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP

Nexperia USA Inc.

5,780 -
PMN48XP,125

Технический лист

- SC-74, SOT-457 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.1A (Ta) 2.5V, 4.5V 55mOhm @ 2.4A, 4.5V 1.25V @ 250µA 13 nC @ 4.5 V ±12V 1000 pF @ 10 V - 530mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
DI017N06PQ-AQ

DI017N06PQ-AQ

MOSFET POWERQFN 5X6 N 60V

Diotec Semiconductor

5,000 -
DI017N06PQ-AQ

Технический лист

- - Tape & Reel (TR) Active N-Channel - - 17A - - - - - - - 21W - - - Surface Mount PowerQFN 5x6
TPC8129,LQ(S

TPC8129,LQ(S

MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP

Toshiba Semiconductor and Storage

4,634 -
TPC8129,LQ(S

Технический лист

U-MOSVI 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9A (Ta) 4.5V, 10V 22mOhm @ 4.5A, 10V 2V @ 200µA 39 nC @ 10 V +20V, -25V 1650 pF @ 10 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
DMT4011LFG-13

DMT4011LFG-13

MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

Diodes Incorporated

2,957 -
DMT4011LFG-13

Технический лист

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 11mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 15.1 nC @ 10 V +20V, -16V 767 pF @ 20 V - 15.6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerDI3333-8
SQA409CEJW-T1_GE3

SQA409CEJW-T1_GE3

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)

Vishay Siliconix

2,944 -
SQA409CEJW-T1_GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SC-70-6 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 9A (Tc) 1.8V, 4.5V 19mOhm @ 4.5A, 4.5V 1V @ 250µA 33 nC @ 4.5 V ±8V 3070 pF @ 6 V - 13.6W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount, Wettable Flank PowerPAK®SC-70W-6
CSD25304W1015

CSD25304W1015

MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

Texas Instruments

2,757 -
CSD25304W1015

Технический лист

NexFET™ 6-UFBGA, DSBGA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3A (Ta) 1.8V, 4.5V 32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.15V @ 250µA 4.4 nC @ 4.5 V ±8V 595 pF @ 10 V - 750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
DMN1004UFDF-7

DMN1004UFDF-7

MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN

Diodes Incorporated

2,324 -
DMN1004UFDF-7

Технический лист

- 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 15A (Ta) 2.5V, 4.5V 4.8mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±8V 2385 pF @ 6 V - 2.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount U-DFN2020-6
DMP3056LSSQ-13

DMP3056LSSQ-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2

Diodes Incorporated

2,300 -
DMP3056LSSQ-13

Технический лист

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.9A (Ta) 4.5V, 10V 45mOhm @ 6A, 10V 2.1V @ 250µA 17.3 nC @ 10 V ±20V 969 pF @ 15 V - 1.2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SO
SIRA88BDP-T1-GE3

SIRA88BDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8

Vishay Siliconix

5,490 -
SIRA88BDP-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 19A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 10V 6.83mOhm @ 10A, 10V 2.4V @ 250µA 19 nC @ 10 V +20V, -16V 680 pF @ 15 V - 3.8W (Ta), 17W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
Total 36322 Record«Prev1... 226227228229230231232233...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь