FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
SISA18BDN-T1-GE3

SISA18BDN-T1-GE3

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

Vishay Siliconix

3,000 -
SISA18BDN-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® Gen IV 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 18A (Ta), 60A (Tc) 4.5V, 10V 6.83mOhm @ 10A, 10V 2.4V @ 250µA 19 nC @ 10 V +20V, -16V 680 pF @ 15 V - 3.2W (Ta), 36.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8PT
RQ5P035BGTCL

RQ5P035BGTCL

100V 3.5A TSMT3, POWER MOSFET :

Rohm Semiconductor

2,910 -
RQ5P035BGTCL

Технический лист

- SC-96 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 3.5A (Ta) 4.5V, 10V 60mOhm @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 6.7 nC @ 10 V ±20V 305 pF @ 50 V - 700mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT3
DMTH8028LFVWQ-7

DMTH8028LFVWQ-7

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

Diodes Incorporated

2,490 -
DMTH8028LFVWQ-7

Технический лист

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 27A (Tc) 4.5V, 10V 25mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 250µA 10.4 nC @ 10 V ±20V 631 pF @ 40 V - 1.5W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
TSM250NB06LCV RGG

TSM250NB06LCV RGG

60V, 27A, SINGLE N-CHANNEL POWER

Taiwan Semiconductor Corporation

10,000 -
TSM250NB06LCV RGG

Технический лист

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 6A (Ta), 27A (Tc) 4.5V, 10V 25mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V 1307 pF @ 30 V - 1.9W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFN (3.15x3.1)
TSM110NB04LCV RGG

TSM110NB04LCV RGG

40V, 44A, SINGLE N-CHANNEL POWER

Taiwan Semiconductor Corporation

9,996 -
TSM110NB04LCV RGG

Технический лист

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 9A (Ta), 44A (Tc) 4.5V, 10V 11mOhm @ 9A, 10V 2.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V 1329 pF @ 20 V - 1.9W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFN (3.15x3.1)
TSM250NB06CV RGG

TSM250NB06CV RGG

60V, 28A, SINGLE N-CHANNEL POWER

Taiwan Semiconductor Corporation

9,980 -
TSM250NB06CV RGG

Технический лист

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 6A (Ta), 28A (Tc) 7V, 10V 25mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V 1440 pF @ 30 V - 1.9W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFN (3.15x3.1)
SIA4446DJ-T1-GE3

SIA4446DJ-T1-GE3

N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

Vishay Siliconix

5,682 -
SIA4446DJ-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SC-70-6 Dual Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 13A (Ta), 31A (Tc) 4.5V, 10V 11mOhm @ 10A, 10V 2.4V @ 250µA 19 nC @ 10 V +20V, -16V 915 pF @ 20 V - 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
NTMFS024N06CT1G

NTMFS024N06CT1G

MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN

onsemi

1,413 -
NTMFS024N06CT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 8A (Ta), 25A (Tc) 10V 22mOhm @ 3A, 10V 4V @ 20µA 5.7 nC @ 10 V ±20V 333 pF @ 30 V - 3.4W (Ta), 28W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
XP4024EM

XP4024EM

MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SO

YAGEO XSEMI

975 -
XP4024EM

Технический лист

XP4024E 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 18.5A (Ta) 4.5V, 10V 4.5mOhm @ 18A, 10V 3V @ 250µA 28 nC @ 4.5 V ±20V 2720 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
MCG35N04HE3-TP

MCG35N04HE3-TP

N-CHANNEL MOSFET, DFN3333

Micro Commercial Co

9,995 -
MCG35N04HE3-TP

Технический лист

- 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 35A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 25 V - 40W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DFN3333
SI4848BDY-T1-GE3

SI4848BDY-T1-GE3

N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO-

Vishay Siliconix

9,838 -
SI4848BDY-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 3.7A (Ta), 5A (Tc) 6V, 10V 89mOhm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 9 nC @ 10 V ±20V 400 pF @ 75 V - 2.5W (Ta), 4.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
PJD16P06A-AU_L2_000A1

PJD16P06A-AU_L2_000A1

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

8,847 -
PJD16P06A-AU_L2_000A1

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5A (Ta), 16A (Tc) 4.5V, 10V 48mOhm @ 8A, 10V 2.5V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V 1256 pF @ 30 V - 2W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
SIA112LDJ-T1-GE3

SIA112LDJ-T1-GE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW

Vishay Siliconix

5,610 -
SIA112LDJ-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SC-70-6 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 3.5A (Ta), 8.8A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 11.8 nC @ 10 V ±25V 355 pF @ 50 V - 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
DMT35M7LFV-7

DMT35M7LFV-7

MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

Diodes Incorporated

5,070 -
DMT35M7LFV-7

Технический лист

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 76A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V 1667 pF @ 15 V - 1.98W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)
TQM300NB06CV RGG

TQM300NB06CV RGG

MOSFET

Taiwan Semiconductor Corporation

5,000 -
TQM300NB06CV RGG

Технический лист

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 22A (Tc) 7V, 10V 30mOhm @ 11A, 10V 3.8V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±20V 975 pF @ 30 V - 2.3W (Ta), 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-PDFN (3.15x3.1)
TQM130NB04CV RGG

TQM130NB04CV RGG

MOSFET

Taiwan Semiconductor Corporation

4,990 -
TQM130NB04CV RGG

Технический лист

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 38A (Tc) 7V, 10V 13mOhm @ 19A, 10V 3.8V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 994 pF @ 20 V - 2.4W (Ta), 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-PDFN (3.15x3.1)
DMTH6016LFDFW-7

DMTH6016LFDFW-7

MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN

Diodes Incorporated

2,860 -
DMTH6016LFDFW-7

Технический лист

- 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 9.4A (Ta) 4.5V, 10V 18mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA 15.3 nC @ 10 V ±20V 925 pF @ 30 V - 1.06W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
DMN6066SSSQ-13

DMN6066SSSQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2

Diodes Incorporated

2,500 -
DMN6066SSSQ-13

Технический лист

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 3.7A (Ta) 4.5V, 10V 66mOhm @ 4.5A, 10V 3V @ 250µA 10.3 nC @ 10 V ±20V 502 pF @ 30 V - 1.56W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOP
DMN3010LSS-13

DMN3010LSS-13

MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP

Diodes Incorporated

2,357 -
DMN3010LSS-13

Технический лист

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 16A (Ta) 4.5V, 10V 9mOhm @ 16A, 10V 2V @ 250µA 43.7 nC @ 10 V ±20V 2096 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
DMNH6042SK3-13

DMNH6042SK3-13

MOSFET N-CH 60V 25A TO252

Diodes Incorporated

2,297 -
DMNH6042SK3-13

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 25A (Tc) 4.5V, 10V 50mOhm @ 6A, 10V 3V @ 250µA 8.8 nC @ 10 V ±20V 492 pF @ 25 V - 2W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252-3
Total 36322 Record«Prev1... 235236237238239240241242...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь