TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
STL165N4F8AG

STL165N4F8AG

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40V, 2.6MOH

STMicroelectronics

500 -

-

ECOPACK® 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 2.6mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 28 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 111W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
TQM070NH04LCR RLG

TQM070NH04LCR RLG

40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER

Taiwan Semiconductor Corporation

5,000 -
TQM070NH04LCR RLG

Технический лист

PerFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 16A (Ta), 54A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 27A, 10V 2.2V @ 250µA 34.5 nC @ 10 V ±16V 2169 pF @ 25 V - 46.8W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-PDFN (5x6)
TQM070NH04CR RLG

TQM070NH04CR RLG

40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER

Taiwan Semiconductor Corporation

3,480 -
TQM070NH04CR RLG

Технический лист

PerFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 16A (Ta), 54A (Tc) 7V, 10V 7mOhm @ 27A, 10V 3.6V @ 250µA 28.5 nC @ 10 V ±20V 2006 pF @ 25 V - 46.8W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-PDFN (5x6)
XP3N9R5AH

XP3N9R5AH

MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252

YAGEO XSEMI

992 -
XP3N9R5AH

Технический лист

XP3N9R5A TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 38.5A (Ta) 4.5V, 10V 9.5mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 14.4 nC @ 4.5 V ±20V 1280 pF @ 15 V - 2W (Ta), 22.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
SIHD2N80AE-GE3

SIHD2N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK

Vishay Siliconix

3,000 -
SIHD2N80AE-GE3

Технический лист

E TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 2.9A (Tc) 10V 2.9Ohm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 10.5 nC @ 10 V ±30V 180 pF @ 100 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
NVTYS003N04CLTWG

NVTYS003N04CLTWG

T6 40V N-CH LL IN LFPAK33

onsemi

3,000 -
NVTYS003N04CLTWG

Технический лист

- SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 23A (Ta), 106A (Tc) 4.5V, 10V 3.4mOhm @ 40A, 10V 2V @ 60µA 36 nC @ 10 V ±20V 2240 pF @ 25 V - 3.2W (Ta), 69W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-LFPAK
DMTH4007SPSQ-13

DMTH4007SPSQ-13

MOSFET N-CH 40V 15.7A PWRDI5060

Diodes Incorporated

2,491 -
DMTH4007SPSQ-13

Технический лист

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 15.7A (Ta), 100A (Tc) 10V 7.6mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 41.9 nC @ 10 V ±20V 2082 pF @ 25 V - 2.8W (Ta), 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerDI5060-8
DMTH3002LPS-13

DMTH3002LPS-13

MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8

Diodes Incorporated

2,450 -
DMTH3002LPS-13

Технический лист

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 1.6mOhm @ 25A, 10V 2V @ 1mA 77 nC @ 10 V ±16V 5000 pF @ 15 V - 1.2W (Ta), 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerDI5060-8
DI040P04D1-AQ

DI040P04D1-AQ

MOSFET DPAK P -40V -40A 0.015? 1

Diotec Semiconductor

2,352 -
DI040P04D1-AQ

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 15mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 59 nC @ 10 V ±20V 3538 pF @ 20 V - 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252 (DPAK)
AOSP21357

AOSP21357

MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

2,213 -
AOSP21357

Технический лист

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 16A (Ta) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 16A, 10V 2.3V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±25V 2830 pF @ 15 V - 3.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
NVMFS6H864NLWFT1G

NVMFS6H864NLWFT1G

MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN

onsemi

1,480 -
NVMFS6H864NLWFT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 7A (Ta), 22A (Tc) 4.5V, 10V 29mOhm @ 5A, 10V 2V @ 20µA 9 nC @ 10 V ±20V 431 pF @ 40 V - 3.5W (Ta), 33W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
NVTFS016N06CTAG

NVTFS016N06CTAG

MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN

onsemi

1,000 -
NVTFS016N06CTAG

Технический лист

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 8A (Ta), 32A (Tc) 10V 16.3mOhm @ 5A, 10V 4V @ 25µA 6.9 nC @ 10 V ±20V 489 pF @ 30 V - 2.5W (Ta), 36W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
TSM060NB06LCZ C0G

TSM060NB06LCZ C0G

60V, 111A, SINGLE N-CHANNEL POWE

Taiwan Semiconductor Corporation

3,980 -
TSM060NB06LCZ C0G

Технический лист

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 13A (Ta), 111A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 13A, 10V 2.5V @ 250µA 107 nC @ 10 V ±20V 6273 pF @ 30 V - 2W (Ta), 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
R6502END3TL1

R6502END3TL1

650V 1.7A TO-252, LOW-NOISE POWE

Rohm Semiconductor

2,500 -
R6502END3TL1

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 1.7A (Tc) 10V 4Ohm @ 600mA, 10V 4V @ 40µA 6.5 nC @ 10 V ±20V 65 pF @ 25 V - 26W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
RD3P01BATTL1

RD3P01BATTL1

PCH -100V -10A POWER MOSFET: RD3

Rohm Semiconductor

2,414 -
RD3P01BATTL1

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 10A (Ta) 6V, 10V 240mOhm @ 5A, 10V 4V @ 1mA 19.4 nC @ 10 V ±20V 660 pF @ 50 V - 25W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
R6004KNXC7G

R6004KNXC7G

600V 4A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

Rohm Semiconductor

952 -
R6004KNXC7G

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4A (Ta) 10V 980mOhm @ 1.5A, 10V 5V @ 1mA 10.2 nC @ 10 V ±20V 280 pF @ 25 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
IPAN65R650CEXKSA1

IPAN65R650CEXKSA1

MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220

Infineon Technologies

462 -
IPAN65R650CEXKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10.1A (Tc) 10V 650mOhm @ 2.1A, 10V 3.5V @ 210µA 23 nC @ 10 V ±20V 440 pF @ 100 V - 28W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
TSM60NC620CI C0G

TSM60NC620CI C0G

600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER

Taiwan Semiconductor Corporation

3,990 -
TSM60NC620CI C0G

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Tc) 10V 620mOhm @ 2.4A, 10V 5V @ 1mA 15 nC @ 10 V ±20V 506 pF @ 300 V - 46W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220
TK5P50D(T6RSS-Q)

TK5P50D(T6RSS-Q)

MOSFET N-CH 500V 5A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

3,871 -
TK5P50D(T6RSS-Q)

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Ta) 10V 1.5Ohm @ 2.5A, 10V 4.4V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±30V 490 pF @ 25 V - 80W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IAUC64N08S5L075ATMA1

IAUC64N08S5L075ATMA1

MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8

Infineon Technologies

3,580 -
IAUC64N08S5L075ATMA1

Технический лист

OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 64A (Tj) 4.5V, 10V 7.5mOhm @ 32A, 10V 2V @ 30µA 37 nC @ 10 V ±20V 2106 pF @ 40 V - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-33
Total 36322 Record«Prev1... 257258259260261262263264...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь