TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
PSMN1R7-40YLBX

PSMN1R7-40YLBX

PSMN1R7-40YLB/SOT669/LFPAK

Nexperia USA Inc.

1,500 -
PSMN1R7-40YLBX

Технический лист

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 200A (Tc) 4.5V, 10V 1.8mOhm @ 25A, 10V 2.05V @ 1mA 111 nC @ 10 V ±20V 8138 pF @ 20 V Schottky Diode (Body) 194W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
XP4N2R5MT

XP4N2R5MT

FET N-CH 40V 33.8A 125A PMPAK

YAGEO XSEMI

1,000 -
XP4N2R5MT

Технический лист

XP4N2R5 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 33.8A (Ta), 125A (Tc) 10V 2.55mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 112 nC @ 10 V ±20V 6080 pF @ 20 V - 5W (Ta), 69.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PMPAK® 5 x 6
NVMFSW6D1N08HT1G

NVMFSW6D1N08HT1G

MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN

onsemi

9,495 -
NVMFSW6D1N08HT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 17A (Ta), 89A (Tc) 10V 5.5mOhm @ 20A, 10V 4V @ 120µA 32 nC @ 10 V ±20V 2085 pF @ 40 V - 3.8W (Ta), 104W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
NVMYS2D1N04CLTWG

NVMYS2D1N04CLTWG

MOSFET N-CH 40V 29A/132A LFPAK4

onsemi

3,000 -
NVMYS2D1N04CLTWG

Технический лист

- SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 29A (Ta), 132A (Tc) 4.5V, 10V 2.5mOhm @ 50A, 10V 2V @ 90µA 50 nC @ 10 V ±20V 3100 pF @ 25 V - 3.9W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK4 (5x6)
SIR166DP-T1-GE3

SIR166DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

2,380 -
SIR166DP-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 3.2mOhm @ 15A, 10V 2.2V @ 250µA 77 nC @ 10 V ±20V 3340 pF @ 15 V - 5W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
NVMFS4C310NWFT1G

NVMFS4C310NWFT1G

MOSFET N-CH 30V TRENCH

onsemi

1,500 -
NVMFS4C310NWFT1G

Технический лист

- - Tape & Reel (TR) Active - - - 17A (Ta), 51A (Tc) - - - - - - - - - Automotive AEC-Q101 - -
PSMN1R9-40YSBX

PSMN1R9-40YSBX

PSMN1R9-40YSB/SOT669/LFPAK

Nexperia USA Inc.

1,495 -
PSMN1R9-40YSBX

Технический лист

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 200A (Tc) 10V 1.9mOhm @ 25A, 10V 3.6V @ 1mA 78 nC @ 10 V ±20V 6297 pF @ 20 V Schottky Diode (Body) 194W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
NTMFS005P03P8ZST1G

NTMFS005P03P8ZST1G

PT8P PORTFOLIO EXPANSION

onsemi

1,268 -
NTMFS005P03P8ZST1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 15.3A (Ta) 4.5V, 10V 2.7mOhm @ 22A, 10V 3V @ 250µA 183 nC @ 10 V ±25V 7880 pF @ 15 V - 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
SISS60DN-T1-GE3

SISS60DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK

Vishay Siliconix

5,995 -
SISS60DN-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 1212-8S Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50.1A (Ta), 181.8A (Tc) 4.5V, 10V 1.31mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 85.5 nC @ 10 V +16V, -12V 3960 pF @ 15 V Schottky Diode (Body) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
DI100N10PQ

DI100N10PQ

MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM

Diotec Semiconductor

4,792 -
DI100N10PQ

Технический лист

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 30A, 10V 3V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 30 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-QFN (5x6)
SISS66DN-T1-GE3

SISS66DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 49.1/178.3A PPAK

Vishay Siliconix

4,562 -
SISS66DN-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 1212-8S Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 49.1A (Ta), 178.3A (Tc) 4.5V, 10V 1.38mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 85.5 nC @ 10 V +20V, -16V 3327 pF @ 15 V Schottky Diode (Body) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
RQ3G270BKFRATCB

RQ3G270BKFRATCB

AUTOMOTIVE NCH 40V 27A POWER MOS

Rohm Semiconductor

3,475 -
RQ3G270BKFRATCB

Технический лист

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
SIHU7N60E-GE3

SIHU7N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 7A IPAK

Vishay Siliconix

2,990 -
SIHU7N60E-GE3

Технический лист

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Tc) 10V 600mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V 680 pF @ 100 V - 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
RQ3G270BJFRATCB

RQ3G270BJFRATCB

PCH -40V -27A, HSMT8AG, POWER MO

Rohm Semiconductor

2,365 -
RQ3G270BJFRATCB

Технический лист

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 27A (Tc) 4.5V, 10V 22mOhm @ 27A, 10V 2.5V @ 485µA 32 nC @ 10 V +5V, -20V 1810 pF @ 20 V - 69W (Tc) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
STP5NK60ZFP

STP5NK60ZFP

MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP

STMicroelectronics

1,970 -
STP5NK60ZFP

Технический лист

SuperMESH™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5A (Tc) 10V 1.6Ohm @ 2.5A, 10V 4.5V @ 50µA 34 nC @ 10 V ±30V 690 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
NVTFS005N04CTAG

NVTFS005N04CTAG

MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN

onsemi

1,623 -
NVTFS005N04CTAG

Технический лист

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 17A (Ta), 69A (Tc) 10V 5.6mOhm @ 35A, 10V 3.5V @ 40µA 16 nC @ 10 V ±20V 1000 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
XP10NA011J

XP10NA011J

MOSFET N-CH 100V 48.5A TO251S

YAGEO XSEMI

962 -
XP10NA011J

Технический лист

XS10NA011 TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 48.5A (Tc) 6V, 10V 11mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±20V 2288 pF @ 80 V - 1.13W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251S
NTMFS4D0N08XT1G

NTMFS4D0N08XT1G

T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

onsemi

273 -
NTMFS4D0N08XT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 119A (Tc) 6V, 10V 3.5mOhm @ 27A, 10V 3.6V @ 133µA 33 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 40 V - 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
PSMQC098N10LS2_R2_00201

PSMQC098N10LS2_R2_00201

100V/ 9.8M/ EXCELLECT LOW FOM MO

Panjit International Inc.

5,980 -

-

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
MCU90N04YHE3-TP

MCU90N04YHE3-TP

N-CHANNEL MOSFET,DPAK

Micro Commercial Co

5,000 -

-

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 90A (Tc) 10V 3.1mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 2124 pF @ 20 V - 83W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252 (DPAK)
Total 36322 Record«Prev1... 264265266267268269270271...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь