TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
DMTH6010SK3Q-13

DMTH6010SK3Q-13

MOSFET N-CH 60V 16.3A/70A TO252

Diodes Incorporated

2,291 -
DMTH6010SK3Q-13

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 16.3A (Ta), 70A (Tc) 10V 8mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 38.1 nC @ 10 V ±20V 2841 pF @ 30 V - 3.1W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252-3
IRFU110PBF

IRFU110PBF

MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA

Vishay Siliconix

1,736 -
IRFU110PBF

Технический лист

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.3A (Tc) 10V 540mOhm @ 900mA, 10V 4V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
STL50N6F7

STL50N6F7

MOSFET N-CH 60V 60A POWERFLAT

STMicroelectronics

1,709 -
STL50N6F7

Технический лист

STripFET™ F7 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 60A (Tc) 10V 11mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 1035 pF @ 30 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
NTMFS4C022NT1G

NTMFS4C022NT1G

MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN

onsemi

1,063 -
NTMFS4C022NT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Ta), 136A (Tc) 4.5V, 10V 1.7mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 45.2 nC @ 10 V ±20V 3071 pF @ 15 V - 3.1W (Ta), 64W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
SI4168DY-T1-GE3

SI4168DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 24A 8SO

Vishay Siliconix

26,145 -
SI4168DY-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 24A (Tc) 4.5V, 10V 5.7mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 1720 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
SQ9407EY-T1_BE3

SQ9407EY-T1_BE3

MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SOIC

Vishay Siliconix

12,036 -
SQ9407EY-T1_BE3

Технический лист

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 4.6A (Tc) 4.5V, 10V 85mOhm @ 3.5A, 10V 2.5V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V 1140 pF @ 30 V - 3.75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOIC
TSM60NC1R5CP ROG

TSM60NC1R5CP ROG

600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER

Taiwan Semiconductor Corporation

10,345 -
TSM60NC1R5CP ROG

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1A, 10V 5.5V @ 1mA 8.1 nC @ 10 V ±20V 242 pF @ 25 V - 55W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
XPN12006NC,L1XHQ

XPN12006NC,L1XHQ

MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON

Toshiba Semiconductor and Storage

9,542 -
XPN12006NC,L1XHQ

Технический лист

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 20A 4.5V, 10V 12mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 200µA 23 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 10 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
SQJ418EP-T1_BE3

SQJ418EP-T1_BE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE

Vishay Siliconix

9,000 -
SQJ418EP-T1_BE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 48A (Tc) 10V 14mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
TK65S04N1L,LXHQ

TK65S04N1L,LXHQ

MOSFET N-CH 40V 65A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

4,642 -
TK65S04N1L,LXHQ

Технический лист

U-MOSVIII-H TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 65A (Ta) 4.5V, 10V 4.3mOhm @ 32.5A, 10V 2.5V @ 300µA 39 nC @ 10 V ±20V 2550 pF @ 10 V - 107W (Tc) 175°C - - Surface Mount DPAK+
NVF2955T1G

NVF2955T1G

MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223

onsemi

2,636 -
NVF2955T1G

Технический лист

- TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 2.6A (Ta) 10V 170mOhm @ 750mA, 10V 4V @ 1mA 14.3 nC @ 10 V ±20V 492 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOT-223 (TO-261)
NVMYS6D2N06CLTWG

NVMYS6D2N06CLTWG

MOSFET N-CH 60V 17A/71A 4LFPAK

onsemi

13,324 -
NVMYS6D2N06CLTWG

Технический лист

- SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 17A (Ta), 71A (Tc) - 6.1mOhm @ 35A, 10V 2V @ 53µA 20 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 3.6W (Ta), 61W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK4 (5x6)
XPN7R104NC,L1XHQ

XPN7R104NC,L1XHQ

MOSFET N-CH 40V 20A 8TSON

Toshiba Semiconductor and Storage

11,107 -
XPN7R104NC,L1XHQ

Технический лист

U-MOSIII 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 20A (Ta) 4.5V, 10V 7.1mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 200µA 21 nC @ 10 V ±20V 1290 pF @ 10 V - 840mW (Ta), 65W (Tc) 175°C - - Surface Mount 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
IRFH5301TRPBF

IRFH5301TRPBF

MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN

Infineon Technologies

9,076 -
IRFH5301TRPBF

Технический лист

HEXFET® 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 1.85mOhm @ 50A, 10V 2.35V @ 100µA 77 nC @ 10 V ±20V 5114 pF @ 15 V - 3.6W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
TN0620N3-G-P002

TN0620N3-G-P002

MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3

Microchip Technology

6,309 -
TN0620N3-G-P002

Технический лист

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 250mA (Tj) 5V, 10V 6Ohm @ 500mA, 10V 1.6V @ 1mA - ±20V 150 pF @ 25 V - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92-3
SQJA82EP-T1_GE3

SQJA82EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

5,446 -
SQJA82EP-T1_GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 8.2mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
IPN80R900P7ATMA1

IPN80R900P7ATMA1

MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223

Infineon Technologies

5,077 -
IPN80R900P7ATMA1

Технический лист

CoolMOS™ P7 TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 6A (Tc) 10V 900mOhm @ 2.2A, 10V 3.5V @ 110µA 15 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 500 V - 7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT223
SIHU5N80AE-GE3

SIHU5N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 4.4A TO251AA

Vishay Siliconix

2,885 -
SIHU5N80AE-GE3

Технический лист

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4.4A (Tc) 10V 1.35Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 16.5 nC @ 10 V ±30V 321 pF @ 100 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
IPD19DP10NMATMA1

IPD19DP10NMATMA1

TRENCH >=100V PG-TO252-3

Infineon Technologies

2,847 -
IPD19DP10NMATMA1

Технический лист

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 2.6A (Ta), 13.7A (Tc) 10V 186mOhm @ 12A, 10V 4V @ 1.04mA 45 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 50 V - 3W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
R6002ENHTB1

R6002ENHTB1

600V 1.7A SOP8, LOW-NOISE POWER

Rohm Semiconductor

1,870 -
R6002ENHTB1

Технический лист

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 1.7A (Ta) 10V 3.4Ohm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 6.5 nC @ 10 V ±20V 65 pF @ 25 V - 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
Total 36284 Record«Prev1... 2324252627282930...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь