TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
CSD18511KTT

CSD18511KTT

MOSFET N-CH 40V 194A DDPAK

Texas Instruments

174 -
CSD18511KTT

Технический лист

NexFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 194A (Ta) 4.5V, 10V 2.6mOhm @ 100A, 10V 2.4V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 5940 pF @ 20 V - 188W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
TQM032NH04LCR RLG

TQM032NH04LCR RLG

40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER

Taiwan Semiconductor Corporation

7,932 -
TQM032NH04LCR RLG

Технический лист

PerFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 23A (Ta), 81A (Tc) 4.5V, 10V 3.2mOhm @ 40A, 10V 2.2V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±16V - - 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-PDFN (5x6)
SIJ4106DP-T1-GE3

SIJ4106DP-T1-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

Vishay Siliconix

6,000 -
SIJ4106DP-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 15.8A (Ta), 59A (Tc) 7.5V, 10V 8.3mOhm @ 15A, 10V 3.8V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 3610 pF @ 50 V - 5W (Ta), 69.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
TQM032NH04CR RLG

TQM032NH04CR RLG

40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER

Taiwan Semiconductor Corporation

5,000 -
TQM032NH04CR RLG

Технический лист

PerFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 23A (Ta), 81A (Tc) 7V, 10V 3.2mOhm @ 40A, 10V 3.6V @ 250µA 67.5 nC @ 10 V ±20V 4344 pF @ 25 V - 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 8-PDFNU (4.9x5.75)
DMP6018LPS-13

DMP6018LPS-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

Diodes Incorporated

2,373 -
DMP6018LPS-13

Технический лист

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 18mOhm @ 17A, 10V 2.5V @ 250µA 13.7 nC @ 10 V ±20V 3505 pF @ 30 V - 2.6W (Ta), 113W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerDI5060-8
R6009RND3TL1

R6009RND3TL1

600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I

Rohm Semiconductor

2,286 -
R6009RND3TL1

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Tc) 15V 665mOhm @ 4.5A, 15V 7V @ 5.5mA 22 nC @ 15 V ±30V 640 pF @ 100 V - 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
IRF9Z14STRLPBF

IRF9Z14STRLPBF

MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK

Vishay Siliconix

766 -
IRF9Z14STRLPBF

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 6.7A (Tc) 10V 500mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
STU2N105K5

STU2N105K5

MOSFET N-CH 1050V 1.5A IPAK

STMicroelectronics

7,717 -
STU2N105K5

Технический лист

MDmesh™ K5 TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1050 V 1.5A (Tc) 10V 8Ohm @ 750mA, 10V 5V @ 100µA 10 nC @ 10 V ±30V 115 pF @ 100 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251 (IPAK)
IRFR9120PBF-BE3

IRFR9120PBF-BE3

P-CHANNEL 100V

Vishay Siliconix

3,000 -
IRFR9120PBF-BE3

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 5.6A (Tc) 10V 600mOhm @ 3.4A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 390 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
PJQ5520-AU_R2_002A1

PJQ5520-AU_R2_002A1

30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET

Panjit International Inc.

3,000 -
PJQ5520-AU_R2_002A1

Технический лист

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
STP3NK60ZFP

STP3NK60ZFP

MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP

STMicroelectronics

1,453 -
STP3NK60ZFP

Технический лист

SuperMESH™ TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2.4A (Tc) 10V 3.6Ohm @ 1.2A, 10V 4.5V @ 50µA 11.8 nC @ 10 V ±30V 311 pF @ 25 V - 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
NTMFS0D9N04XLT1G

NTMFS0D9N04XLT1G

40V T10S IN S08FL PACKAGE

onsemi

798 -
NTMFS0D9N04XLT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 278A (Tc) 4.5V, 10V 0.9mOhm @ 35A, 10V 2.2V @ 180µA 70 nC @ 10 V ±20V 5160 pF @ 20 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
IRFR320TRPBF-BE3

IRFR320TRPBF-BE3

N-CHANNEL 400V

Vishay Siliconix

1,918 -
IRFR320TRPBF-BE3

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 3.1A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 1.9A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
IRFB3306PBFXKMA1

IRFB3306PBFXKMA1

TRENCH 40<-<100V

Infineon Technologies

988 -
IRFB3306PBFXKMA1

Технический лист

- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
STF8NM50N

STF8NM50N

MOSFET N-CH 500V 5A TO220FP

STMicroelectronics

950 -
STF8NM50N

Технический лист

MDmesh™ II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Tc) 10V 790mOhm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±25V 364 pF @ 50 V - 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
IPB80N06S405ATMA2

IPB80N06S405ATMA2

MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Infineon Technologies

231 -
IPB80N06S405ATMA2

Технический лист

OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 10V 5.7mOhm @ 80A, 10V 4V @ 60µA 81 nC @ 10 V ±20V 6500 pF @ 25 V - 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-3-2
DI200N04PQ

DI200N04PQ

MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0013OHM

Diotec Semiconductor

5,000 -
DI200N04PQ

Технический лист

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 200A (Tc) 10V 1.3mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±20V 5768 pF @ 20 V - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-QFN (5x6)
IPI80N06S407AKSA2

IPI80N06S407AKSA2

MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

Infineon Technologies

675 -
IPI80N06S407AKSA2

Технический лист

OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 10V 7.4mOhm @ 80A, 10V 4V @ 40µA 56 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO262-3-1
IPI80N04S403AKSA1

IPI80N04S403AKSA1

MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

Infineon Technologies

498 -
IPI80N04S403AKSA1

Технический лист

OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 3.7mOhm @ 80A, 10V 4V @ 53µA 66 nC @ 10 V ±20V 5260 pF @ 25 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
SISS5108DN-T1-GE3

SISS5108DN-T1-GE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW

Vishay Siliconix

12,010 -
SISS5108DN-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® 1212-8S Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 15.4A (Ta), 55.9A (Tc) 7.5V, 10V 10.5mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V 1150 pF @ 50 V - 5W (Ta), 65.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Total 36322 Record«Prev1... 273274275276277278279280...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь