TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
GSFW02009

GSFW02009

MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.85A, -2

Good-Ark Semiconductor

18,056 -
GSFW02009

Технический лист

- SC-101, SOT-883 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 850mA (Ta) 1.8V, 4.5V 640mOhm @ 550mA, 4.5V 1V @ 250µA 0.8 nC @ 4.5 V ±12V 58 pF @ 10 V - 690mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-883
NTMS4N01R2

NTMS4N01R2

MOSFET PWR N-CHAN 4.2A 20V 8SOIC

onsemi

17,191 -
NTMS4N01R2

Технический лист

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) - - - 40mOhm @ 4.2A, 4.5V - - ±10V - - 770mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
NTD3817N-35G

NTD3817N-35G

MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK

onsemi

5,168 -
NTD3817N-35G

Технический лист

- TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16 V 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) 4.5V, 10V 13.9mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 10.5 nC @ 4.5 V ±16V 702 pF @ 12 V - 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
NTD3817N-1G

NTD3817N-1G

MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK

onsemi

8,923 -
NTD3817N-1G

Технический лист

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16 V 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) 4.5V, 10V 13.9mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 10.5 nC @ 4.5 V ±16V 702 pF @ 12 V - 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
NTD4815NT4G

NTD4815NT4G

MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK

onsemi

3,109 -
NTD4815NT4G

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.9A (Ta), 35A (Tc) 4.5V, 11.5V 15mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 6.6 nC @ 4.5 V ±20V 770 pF @ 12 V - 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
CPH3407-TL-E-ON

CPH3407-TL-E-ON

MOSFET N-CH

onsemi

12,000 -

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NTD4910N-35G

NTD4910N-35G

MOSFET N-CH 30V 8.2A/37A IPAK

onsemi

2,779 -
NTD4910N-35G

Технический лист

- TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.2A (Ta), 37A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 15.4 nC @ 10 V ±20V 1203 pF @ 15 V - 1.37W (Ta), 27.3W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
G26P04D5

G26P04D5

MOSFET P-CH 40V 26A DFN5*6-8L

Goford Semiconductor

10,000 -
G26P04D5

Технический лист

TrenchFET® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) - 26A (Tc) 4.5V, 10V 18mOhm @ 12A, 10V 2.5V @ 250µA - ±20V - - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
NTD70N03RG

NTD70N03RG

MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK

onsemi

2,566 -
NTD70N03RG

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 10A (Ta), 32A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 13.2 nC @ 5 V ±20V 1333 pF @ 20 V - 1.36W (Ta), 62.5W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
NTD4959NHT4G

NTD4959NHT4G

MOSFET N-CH 30V 9A/58A DPAK

onsemi

2,494 -
NTD4959NHT4G

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9A (Ta), 58A (Tc) 4.5V, 11.5V 9mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 44 nC @ 11.5 V ±20V 2155 pF @ 12 V - 1.3W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
2SK669

2SK669

N-CHANNEL MOSFET

Sanyo

6,660 -
2SK669

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPS105N03LG

IPS105N03LG

N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

6,615 -
IPS105N03LG

Технический лист

CoolMOS™ TO-251-3 Stub Leads, IPAK Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Tc) 4.5V, 10V 10.5mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 15 V - 38W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-11
NTD4813N-35G

NTD4813N-35G

MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK

onsemi

6,150 -
NTD4813N-35G

Технический лист

- TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7.6A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 11.5V 13mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 7.9 nC @ 4.5 V ±20V 860 pF @ 12 V - 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
NTD4858NA-1G

NTD4858NA-1G

MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK

onsemi

2,773 -
NTD4858NA-1G

Технический лист

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 11.2A (Ta), 73A (Tc) - 6.2mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 19.2 nC @ 4.5 V - 1563 pF @ 12 V - 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
IRFS820B

IRFS820B

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

4,853 -
IRFS820B

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 2.5A (Tj) 10V 2.6Ohm @ 1.25A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±30V 610 pF @ 25 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
NTD30N02G

NTD30N02G

MOSFET N-CH 24V 30A DPAK

onsemi

4,385 -
NTD30N02G

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 30A (Ta) 4.5V, 10V 14.5mOhm @ 30A, 10V 3V @ 250µA 20 nC @ 4.5 V ±20V 1000 pF @ 20 V - 75W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
NTD4809NH-1G

NTD4809NH-1G

MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK

onsemi

3,603 -
NTD4809NH-1G

Технический лист

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 4.5V, 11.5V 9mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±20V 2155 pF @ 12 V - 1.3W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
SSS2N60B

SSS2N60B

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

3,094 -
SSS2N60B

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2A (Tj) 10V 5Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±30V 490 pF @ 25 V - 23W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
NTLJS4159NT1G

NTLJS4159NT1G

MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN

onsemi

2,863 -
NTLJS4159NT1G

Технический лист

- 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.6A (Ta) 1.8V, 4.5V 35mOhm @ 2A, 4.5V 1V @ 250µA 13 nC @ 4.5 V ±8V 1045 pF @ 15 V - 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WDFN (2x2)
MCH6336-P-TL-E

MCH6336-P-TL-E

MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6

onsemi

3,000 -

-

- 6-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete - - - 5A (Tj) - - - - - - - - - - - Surface Mount 6-MCPH
Total 36322 Record«Prev1... 357358359360361362363364...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь