TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
FDFS2P103A

FDFS2P103A

MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC

Fairchild Semiconductor

11,013 -
FDFS2P103A

Технический лист

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.3A (Ta) 4.5V, 10V 59mOhm @ 5.3A, 10V 3V @ 250µA 8 nC @ 5 V ±25V 535 pF @ 15 V Schottky Diode (Isolated) 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
RJK03M7DPA-00#J5A

RJK03M7DPA-00#J5A

MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK

Renesas Electronics Corporation

9,000 -
RJK03M7DPA-00#J5A

Технический лист

- 8-WFDFN Exposed Pad Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Ta) - 9.6mOhm @ 15A, 10V - 6.6 nC @ 4.5 V - 1120 pF @ 10 V - 25W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WPAK
BSF110N06NT3GXUMA1

BSF110N06NT3GXUMA1

N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

8,800 -
BSF110N06NT3GXUMA1

Технический лист

OptiMOS™ 3 DirectFET™ Isometric ST Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 47A (Tc) 10V 11mOhm @ 30A, 10V 4V @ 33µA 46 nC @ 10 V ±20V 3700 pF @ 30 V - 38W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount MG-WDSON-2
MPF6659RLRA

MPF6659RLRA

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

onsemi

8,394 -
MPF6659RLRA

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPP80CN10NGXKSA1

IPP80CN10NGXKSA1

PFET, 13A I(D), 100V, 0.08OHM, 1

Infineon Technologies

5,891 -
IPP80CN10NGXKSA1

Технический лист

OptiMOS™ 2 TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 13A (Tc) 10V 80mOhm @ 13A, 10V 4V @ 12µA 11 nC @ 10 V ±20V 716 pF @ 50 V - 31W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-123
FQU9N25TU

FQU9N25TU

MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK

onsemi

3,583 -
FQU9N25TU

Технический лист

QFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 7.4A (Tc) 10V 420mOhm @ 3.7A, 10V 5V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±30V 700 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 55W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
2SK2111-D-T1-AZ

2SK2111-D-T1-AZ

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

5,000 -
2SK2111-D-T1-AZ

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NTD4854N-35G

NTD4854N-35G

MOSFET N-CH 25V 15.7A/128A IPAK

onsemi

4,460 -
NTD4854N-35G

Технический лист

- TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 15.7A (Ta), 128A (Tc) 4.5V, 10V 3.6mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 49.2 nC @ 4.5 V ±20V 4600 pF @ 12 V - 1.43W (Ta), 93.75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
NVTP2955G

NVTP2955G

MOSFET 60V 12A 196

onsemi

9,553 -

-

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - Automotive AEC-Q101 - -
MTB55N06Z

MTB55N06Z

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

3,606 -
MTB55N06Z

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
MTD5N25E1

MTD5N25E1

NFET DPAK 250V 1.0R

onsemi

3,450 -
MTD5N25E1

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
AO3407A

AO3407A

30V 4.1A 52MR@10V,4.1A 1.4W 3V@2

UMW

3,421 -
AO3407A

Технический лист

UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.2A (Ta) 4.5V, 10V 52mOhm @ 4.1A, 10V 3V @ 250µA 14.3 nC @ 4.5 V ±20V 700 pF @ 15 V - 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
AO3415A

AO3415A

20V 4A [email protected],4A 350MW 1V@250

UMW

3,000 -
AO3415A

Технический лист

UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4A (Ta) 2.5V, 4.5V 36mOhm @ 4A, 4.5V 1V @ 250µA 17.2 nC @ 4.5 V ±8V 1450 pF @ 10 V - 350mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
FDN338P-EV

FDN338P-EV

MOSFET P-CH 20V 1.6A SOT-23

EVVO

3,000 -
FDN338P-EV

Технический лист

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.8A (Ta) 2.5V, 4.5V 112mOhm @ 2.8A, 4.5V 1V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±8V 405 pF @ 10 V - 400mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
FQP17N08L

FQP17N08L

MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3

Fairchild Semiconductor

2,957 -
FQP17N08L

Технический лист

QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 16.5A (Tc) 5V, 10V 100mOhm @ 8.25A, 10V 2V @ 250µA 11.5 nC @ 5 V ±20V 520 pF @ 25 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
SI2328A

SI2328A

SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R

UMW

2,788 -
SI2328A

Технический лист

UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 1.15A (Ta) 4.5V, 10V 245mOhm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 4 nC @ 10 V ±20V - - 730mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
2SK2111-T1-AY

2SK2111-T1-AY

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

2,500 -
2SK2111-T1-AY

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
AO3401A

AO3401A

30V 4.1A 65MR@10V,4.2A 350MW 1.3

UMW

2,393 -
AO3401A

Технический лист

UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.2A (Ta) 2.5V, 10V 50mOhm @ 4.2A, 10V 1.3V @ 250µA 9.4 nC @ 4.5 V ±12V 954 pF @ 15 V - 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
SI6463DQ

SI6463DQ

P-CHANNEL MOSFET

Fairchild Semiconductor

2,350 -
SI6463DQ

Технический лист

PowerTrench® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 8.8A (Ta) 2.5V, 4.5V 12.5mOhm @ 8.8A, 4.5V 1.5V @ 250µA 66 nC @ 4.5 V ±12V 5045 pF @ 10 V - 600mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
G800N06H

G800N06H

N60V, 3A,RD<80M@10V,VTH0.7V~1.2V

Goford Semiconductor

2,325 -
G800N06H

Технический лист

TrenchFET® TO-261-4, TO-261AA Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 3A (Tc) 4.5V, 10V 80mOhm @ 3A, 10V 1.2V @ 250µA 6 nC @ 4.5 V ±20V 457 pF @ 30 V - 1.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
Total 36284 Record«Prev1... 420421422423424425426427...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь