Калькулятор каскадного усилителя на биполярных транзисторах (BJT)

Данный калькулятор вычисляет уровни смещения напряжения и тока, а также коэффициент усиления и частотную характеристику для каскадного усилителя.

Каскадный усилитель имеет высокий коэффициент усиления и широкую полосу пропускания. Он преодолевает ограничения емкости Миллера,固有ствующие в общем-эмиттерном усилителе, путем использования второго транзистора в качестве буфера тока с общим базисом. В результате он может обеспечить полосу пропускания с коэффициентом усиления, на несколько порядков величин больше, чем у общем-эмиттерных усилителей. Единственным недостатком является то, что требуется второй транзистор и более высокое питание, чтобы транзисторы имели приемлемые рабочие пределы.

Для этого каскадного усилителя коэффициент усиления определяется отношением RC/RE2. Чтобы увеличить полосу пропускания, необходимо максимизировать сумму RE1 и RE2.

Следует отметить, что на практике для частот выше 2 МГц требуется вторая ступень буфера-ослабителя с общим коллектором, чтобы предотвратить перегрузку выходной ступени и снижение частотной характеристики. Даже емкость зонда осциллографа с частотой 1 МГц приведет к откату частоты этого усилителя на уровне 2 МГц. Чтобы измерить частотную характеристику на осциллографе, проводить измерения на выходе каскадного усилителя через буфер.

R1
R2
R3
RC (Коллекторный резистор)
RE1 (Эмиттерный резистор, байпас для переменного тока)
RE2 (Эмиттерный резистор, регулятор коэффициента усиления)
VP (Напряжение питания)
Beta (Коэффициент усиления тока постоянного тока)
VBE (Падение напряжения между базисом и эмиттером)
Rs (Сопротивление источника):
RL (Нагрузочный резистор)
fT (Произведение коэффициента усиления тока и полосы пропускания):
CCB (Емкость между коллектором и базисом (Cu)):
CBE (Емкость между базисом и эмиттером (Cπ): Необязательно
VC1 (Напряжение на коллекторе)
VE1 (Напряжение на эмиттере)
VB1 (Напряжение на базисе)
VC2 (Напряжение на коллекторе)
VE2 (Напряжение на эмиттере)
VB2 (Напряжение на базисе)
IC (Ток на коллекторе)
IB (Ток на базисе)
gm (Трансгнурование)
rπ(Входное сопротивление биполярного транзистора на низких частотах)
RIN (Входное сопротивление усилителя)
A (Коэффициент усиления напряжения усилителя)
f1
f2
BW

Уравнения

VB1= R3/(R1+R2+R3)

VB2= (R2+R3)/(R1+R2+R3)

VE1= VB1-VBE

VE2= VB2-VBE

VC1= VE2

VC2= VP - IC*RC

RB1= R3*(R1+R2)/ (R1+R2+R3)

IB*RB1 + IB*Beta*RE+VBE=VB1

IB= (VB1-VBE)/(RB1+Beta*RE)

IC= Beta*IB

gm = Ic/25mA

rπ=Beta/gm

Если RE2 равен нулю Ом:

A= -gm*((RL||RC)*(R2||R3))/(R23+RS)*(rπ/(rπ+Rx+(R2||R3||RS)),

иначе

A= -(RL||RC)/RE2

Rx обычно составляет 10 - 30 Ом, в калькуляторе используется 20 Ом.

fT= gm/(2π*(CBE+CBC))

f1= 1/(Rin*(Cbe+ 2*Ccb))/(2*π);

f2= 1/(RL*Ccb)/(2*π);

Нижняя полюсная частота доминирует:

BW= f1;

TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь