Одиночные IGBT

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип IGBT Напряжение - Коллектор-Эмиттер Пробой (Макс.) Ток - Коллектор (Ic) (Макс.) Ток - Импульсный коллектор (Icm) Vce(on) (макс.) @ Vge, Ic Мощность - макс. Энергия переключения Тип входа Заряд затвора Td (вкл./выкл.) @ 25°C Условие теста Время обратного восстановления (trr) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

Одиночные IGBT

TomatoElec поставляет одиночные IGBT для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение одиночными биполярными транзисторами с изолированным затвором, используемыми в схемах переключения, преобразования энергии и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок одиночных IGBT и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении одиночными IGBT, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип IGBT Напряжение - Коллектор-Эмиттер Пробой (Макс.) Ток - Коллектор (Ic) (Макс.) Ток - Импульсный коллектор (Icm) Vce(on) (макс.) @ Vge, Ic Мощность - макс. Энергия переключения Тип входа Заряд затвора Td (вкл./выкл.) @ 25°C Условие теста Время обратного восстановления (trr) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IXBT20N300HV

IXBT20N300HV

IGBT 3000V 50A TO268AA

IXYS

5,066 -
IXBT20N300HV

Технический лист

BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Not For New Designs - 3000 V 50 A 140 A 3.2V @ 15V, 20A 250 W - Standard 105 nC - - 1.35 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
IXBF40N160

IXBF40N160

IGBT 1600V 28A ISOPLUSI4

IXYS

5,249 -
IXBF40N160

Технический лист

BIMOSFET™ i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Obsolete - 1600 V 28 A - 7.1V @ 15V, 20A 250 W - Standard 130 nC - 960V, 25A, 22Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
IXXK200N65B4

IXXK200N65B4

IGBT 650V 370A 1150W TO264

IXYS

9,045 -
IXXK200N65B4

Технический лист

GenX4™, XPT™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 650 V 370 A 1000 A 1.7V @ 15V, 160A 1150 W 4.4mJ (on), 2.2mJ (off) Standard 553 nC 62ns/245ns 400V, 100A, 1Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXXK)
APT80GP60B2G

APT80GP60B2G

IGBT PT 600V 100A TMAX

Microchip Technology

3,478 -
APT80GP60B2G

Технический лист

POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active PT 600 V 100 A - 2.7V @ 15V, 80A 1041 W - Standard - - - - - - - Through Hole T-MAX™ [B2]
IXYK120N120B3

IXYK120N120B3

DISC IGBT XPT-GENX3 TO-264(3)

IXYS

4,256 -
IXYK120N120B3

Технический лист

XPT™, GenX3™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 1200 V 320 A 800 A 2.2V @ 15V, 100A 1500 W 9.7mJ (on), 21.5mJ (off) Standard 400 nC 30ns/340ns 960V, 100A, 1Ohm, 15V 54 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXYK)
GA35XCP12-247

GA35XCP12-247

IGBT 1200V SOT247

GeneSiC Semiconductor

8,846 -
GA35XCP12-247

Технический лист

- TO-247-3 Tube Obsolete PT 1200 V - 35 A 3V @ 15V, 35A - 2.66mJ (on), 4.35mJ (off) Standard 50 nC - 800V, 35A, 22Ohm, 15V 36 ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AB
IXYN300N65A3

IXYN300N65A3

DISC IGBT XPT-GENX3 SOT-227B(MIN

IXYS

5,463 -
IXYN300N65A3

Технический лист

XPT™, GenX3™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active PT 650 V 470 A 1600 A 1.6V @ 15V, 100A 1500 W 7.8mJ (on), 4.7mJ (off) Standard 565 nC 42ns/190ns 400V, 100A, 1Ohm, 15V 125 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXYX120N120B3

IXYX120N120B3

IGBT

IXYS

6,775 -
IXYX120N120B3

Технический лист

XPT™, GenX3™ TO-247-3 Variant Tube Active - 1200 V 320 A 800 A 2.2V @ 15V, 100A 1500 W 9.7mJ (on), 21.5mJ (off) Standard 400 nC 30ns/340ns 960V, 100A, 1Ohm, 15V 54 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXBF12N300

IXBF12N300

IGBT 3000V 26A 125W ISOPLUSI4

IXYS

7,490 -
IXBF12N300

Технический лист

BIMOSFET™ i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Not For New Designs - 3000 V 26 A 98 A 3.2V @ 15V, 12A 125 W - Standard 62 nC - - 1.4 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
APT200GN60B2G

APT200GN60B2G

IGBT TRENCH FIELD STOP 600V 283A

Microchip Technology

7,125 -
APT200GN60B2G

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 600 V 283 A 600 A 1.85V @ 15V, 200A 682 W 13mJ (on), 11mJ (off) Standard 1180 nC 50ns/560ns 400V, 200A, 1Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole -
IXG70IF1200NA

IXG70IF1200NA

IGBT PT 1200V 130A SOT227B

IXYS

3,156 -

-

X2PT™, XPT™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active PT 1200 V 130 A - - - - Standard - - - - - - - Chassis Mount SOT-227B
IXXN340N65B4

IXXN340N65B4

IGBT MODULE DISC IGBT SOT227B

IXYS

8,406 -
IXXN340N65B4

Технический лист

GenX4™, XPT™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active PT 650 V 520 A 1200 A 1.7V @ 15V, 160A 1500 W 4.4mJ (on), 2.2mJ (off) Standard 553 nC 62ns/245ns 400V, 100A, 1Ohm, 15V 65 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
RJQ7031PJWS-00#W0

RJQ7031PJWS-00#W0

POWER TRS1 CAR POWER IGBT DIO SA

Renesas Electronics Corporation

6,561 -

-

- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
APT150GN60LDQ4G

APT150GN60LDQ4G

IGBT TRENCH FS 600V 220A TO264

Microchip Technology

5,587 -
APT150GN60LDQ4G

Технический лист

- TO-264-3, TO-264AA Tube Active Trench Field Stop 600 V 220 A 450 A 1.85V @ 15V, 150A 536 W 8.81mJ (on), 4.295mJ (off) Standard 970 nC 44ns/430ns 400V, 150A, 1Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264 [L]
IXGK82N120B3

IXGK82N120B3

IGBT 1200V 230A 1250W TO264

IXYS

6,253 -
IXGK82N120B3

Технический лист

GenX3™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 1200 V 230 A 500 A 3.2V @ 15V, 82A 1250 W 5mJ (on), 3.3mJ (off) Standard 350 nC 30ns/210ns 600V, 80A, 2Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXGK)
MMIX1X200N60B3

MMIX1X200N60B3

IGBT 600V 223A 625W SMPD

IXYS

4,504 -
MMIX1X200N60B3

Технический лист

GenX3™, XPT™ 24-PowerSMD, 21 Leads Tube Active PT 600 V 223 A 1000 A 1.7V @ 15V, 100A 625 W 2.85mJ (on), 2.9mJ (off) Standard 315 nC 48ns/160ns 360V, 100A, 1Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 24-SMPD
IXYA12N250CHV

IXYA12N250CHV

DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE TO-263D

IXYS

9,764 -
IXYA12N250CHV

Технический лист

XPT™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active - 2500 V 28 A 80 A 4.5V @ 15V, 12A 310 W 3.56mJ (on), 1.7mJ (off) Standard 56 nC 12ns/167ns 1250V, 12A, 10Ohm, 15V 16 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263HV
IXGF25N300

IXGF25N300

IGBT 3000V 27A 114W I4-PAK

IXYS

9,305 -
IXGF25N300

Технический лист

- i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Obsolete - 3000 V 27 A 140 A 5.5V @ 15V, 75A 114 W - Standard 75 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
IXBT32N300

IXBT32N300

IGBT 3000V 80A TO268AA

IXYS

7,235 -
IXBT32N300

Технический лист

BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 3000 V 80 A 280 A 3.2V @ 15V, 32A 400 W - Standard 142 nC - - 1.5 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
IXYN120N65C3D1

IXYN120N65C3D1

IGBT PT 650V 190A SOT227B

IXYS

6,261 -
IXYN120N65C3D1

Технический лист

GenX3™, XPT™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete PT 650 V 190 A 620 A 2.8V @ 15V, 100A 830 W 1.25mJ (on), 500µJ (off) Standard 265 nC 28ns/127ns 400V, 50A, 2Ohm, 15V 29 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
Total 4371 Record«Prev1... 144145146147148149150151...219Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь