Одиночные IGBT

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип IGBT Напряжение - Коллектор-Эмиттер Пробой (Макс.) Ток - Коллектор (Ic) (Макс.) Ток - Импульсный коллектор (Icm) Vce(on) (макс.) @ Vge, Ic Мощность - макс. Энергия переключения Тип входа Заряд затвора Td (вкл./выкл.) @ 25°C Условие теста Время обратного восстановления (trr) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

Одиночные IGBT

TomatoElec поставляет одиночные IGBT для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение одиночными биполярными транзисторами с изолированным затвором, используемыми в схемах переключения, преобразования энергии и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок одиночных IGBT и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении одиночными IGBT, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип IGBT Напряжение - Коллектор-Эмиттер Пробой (Макс.) Ток - Коллектор (Ic) (Макс.) Ток - Импульсный коллектор (Icm) Vce(on) (макс.) @ Vge, Ic Мощность - макс. Энергия переключения Тип входа Заряд затвора Td (вкл./выкл.) @ 25°C Условие теста Время обратного восстановления (trr) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IXBT32N300HV

IXBT32N300HV

IGBT 3000V 80A TO268HV

IXYS

8,252 -
IXBT32N300HV

Технический лист

BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 3000 V 80 A 280 A 3.2V @ 15V, 32A 400 W - Standard 142 nC 50ns/160ns 1250V, 32A, 2Ohm, 15V 1500 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXBT)
IXBH14N300HV

IXBH14N300HV

DISC IGBT BIMSFT VERYHIVOLT TO-2

IXYS

5,891 -
IXBH14N300HV

Технический лист

BIMOSFET™ TO-247-3 Tube Active - 3000 V 38 A 120 A 2.7V @ 15V, 14A 200 W - Standard 62 nC - - 1.4 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247HV (IXBH)
IXGF20N250

IXGF20N250

IGBT 2500V 23A ISOPLUSI4

IXYS

2,701 -
IXGF20N250

Технический лист

- i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Obsolete - 2500 V 23 A 105 A 3.1V @ 15V, 20A 100 W - Standard 53 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
IXGF30N400

IXGF30N400

IGBT 4000V 30A 160W I4-PAK

IXYS

9,830 -
IXGF30N400

Технический лист

- i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Active - 4000 V 30 A 360 A 5.2V @ 15V, 90A 160 W - Standard 135 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
MMIX1G120N120A3V1

MMIX1G120N120A3V1

IGBT 1200V 220A 400W SMPD

IXYS

7,047 -
MMIX1G120N120A3V1

Технический лист

GenX3™ 24-PowerSMD, 21 Leads Tube Obsolete PT 1200 V 220 A 700 A 2.2V @ 15V, 100A 400 W 10mJ (on), 33mJ (off) Standard 420 nC 40ns/490ns 960V, 100A, 1Ohm, 15V 700 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 24-SMPD
IXGT25N250HV

IXGT25N250HV

IGBT 2500V 60A TO268HV

IXYS

3,747 -
IXGT25N250HV

Технический лист

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 2500 V 60 A 200 A 2.9V @ 15V, 25A 250 W - Standard 75 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXGT)
IXBH32N300HV

IXBH32N300HV

DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2

IXYS

3,593 -
IXBH32N300HV

Технический лист

BIMOSFET™ TO-247-3 Variant Tube Active - 3000 V 80 A 280 A 3.2V @ 15V, 32A 400 W - Standard 142 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247HV
IXGT25N250-T/R

IXGT25N250-T/R

IGBT NPT 2500V 60A TO268HV

IXYS

4,726 -

-

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active NPT 2500 V 60 A 200 A 2.9V @ 15V, 25A 250 W - Standard 75 nC 68ns/209ns 1250V, 50A, 5Ohm, 15V 233 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXGT)
IXBF42N300

IXBF42N300

IGBT 3000V ISOPLUSI4

IXYS

2,852 -
IXBF42N300

Технический лист

BIMOSFET™ i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Active - 3000 V 60 A 380 A 3V @ 15V, 42A 240 W - Standard 200 nC 72ns/445ns 1500V, 42A, 20Ohm, 15V 1.7 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
IXBT20N360HV

IXBT20N360HV

IGBT 3600V 70A TO268AA

IXYS

6,080 -
IXBT20N360HV

Технический лист

BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Not For New Designs - 3600 V 70 A 220 A 3.4V @ 15V, 20A 430 W 15.5mJ (on), 4.3mJ (off) Standard 110 nC 18ns/238ns 1500V, 20A, 10Ohm, 15V 1.7 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
DF400R07W2S5FB77BPSA1

DF400R07W2S5FB77BPSA1

LOW POWER EASY

Infineon Technologies

3,845 -

-

- - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXG65I3300KN

IXG65I3300KN

IGBT PT 3300V 85A ISOPLUS264

IXYS

6,988 -

-

X2PT™ ISOPLUS264™ Tube Active PT 3300 V 85 A - - - - Standard - - - - - - - Through Hole ISOPLUS264™
IXG50I4500KN

IXG50I4500KN

IGBT PT 4500V 74A ISOPLUS264

IXYS

5,404 -
IXG50I4500KN

Технический лист

X2PT™ ISOPLUS264™ Tube Active PT 4500 V 74 A - - - - Standard - - - - - - - Through Hole ISOPLUS264™
IXBX55N300

IXBX55N300

IGBT 3000V 130A 625W PLUS247

IXYS

4,057 -
IXBX55N300

Технический лист

BIMOSFET™ TO-247-3 Variant Tube Not For New Designs - 3000 V 130 A 600 A 3.2V @ 15V, 55A 625 W - Standard 335 nC - - 1.9 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXBF55N300

IXBF55N300

DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT I4-P

IXYS

2,073 -
IXBF55N300

Технический лист

BIMOSFET™ i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Active - 3000 V 86 A 600 A 3.2V @ 15V, 55A 357 W - Standard 335 nC - - 1.9 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
IXBF50N360

IXBF50N360

IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK

IXYS

4,195 -
IXBF50N360

Технический лист

BIMOSFET™ i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Obsolete - 3600 V 70 A 420 A 2.9V @ 15V, 50A 290 W - Standard 210 nC 46ns/205ns 960V, 50A, 5Ohm, 15V 1.7 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
IXBL60N360

IXBL60N360

IGBT 3600V 92A ISOPLUSI5

IXYS

4,754 -
IXBL60N360

Технический лист

BIMOSFET™ ISOPLUSi5-Pak™ Tube Active - 3600 V 92 A 720 A 3.4V @ 15V, 60A 417 W - Standard 450 nC 50ns/340ns 960V, 60A, 4.7Ohm, 15V 1.95 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUSi5-Pak™
IXBH42N300HV

IXBH42N300HV

DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2

IXYS

9,189 -

-

BIMOSFET™ TO-247-3 Variant Tube Active - 3000 V 104 A 400 A 3V @ 15V, 42A 500 W - Standard 200 nC - - 1.7 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247HV
CSM350KN

CSM350KN

DISC IGBT XPT-GENX3 TO-264(3)

IXYS

5,680 -

-

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXBL64N250

IXBL64N250

IGBT 2500V 116A ISOPLUSI5

IXYS

6,835 -
IXBL64N250

Технический лист

BIMOSFET™ ISOPLUSi5-PAK™ Tube Active - 2500 V 116 A 750 A 3V @ 15V, 64A 500 W - Standard 400 nC - - 160 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUSi5-Pak™
Total 4371 Record«Prev1... 146147148149150151152153...219Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь