TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

Одиночные диоды

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

Одиночные диоды

TomatoElec поставляет одиночные диоды для промышленной электроники, автомобильной электроники, связи, систем питания и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение широко используемыми одиночными диодами для схем выпрямления, переключения, управления сигналом и защиты.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок одиночных диодов и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении одиночными диодами, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
IDH04G65C5XKSA2

IDH04G65C5XKSA2

DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2-1

Infineon Technologies

1,631 -
IDH04G65C5XKSA2

Технический лист

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.7 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 70 µA @ 650 V 130pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
APT30D120BG

APT30D120BG

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

Microchip Technology

180 -
APT30D120BG

Технический лист

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 30A 2.5 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 370 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
C3D04060E

C3D04060E

DIODE SIL CARB 600V 13.5A TO252

Wolfspeed, Inc.

3,933 -
C3D04060E

Технический лист

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 13.5A 1.7 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 251pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
C3D04060F

C3D04060F

DIODE SIL CARB 600V 9A TO220-F2

Wolfspeed, Inc.

3,228 -
C3D04060F

Технический лист

Z-Rec® TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 9A 1.7 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 251pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-F2 -55°C ~ 175°C
C6D04065A

C6D04065A

DIODE SIL CARB 650V 18A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

870 -
C6D04065A

Технический лист

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 18A 1.27 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-220-2 -
VS-60APU06-N3

VS-60APU06-N3

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

282 -
VS-60APU06-N3

Технический лист

FRED Pt® TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 60A 1.68 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 81 ns 50 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
BY6

BY6

DIODE GEN PURP 6000V 1A AXIAL

Diotec Semiconductor

808 -
BY6

Технический лист

- Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 6000 V 1A 6 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 1 µA @ 6000 V - - - Through Hole Axial -50°C ~ 150°C
STPSC406B-TR

STPSC406B-TR

DIODE SIL CARBIDE 600V 4A DPAK

STMicroelectronics

2,211 -
STPSC406B-TR

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 4A 1.9 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 200pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -40°C ~ 175°C
C3D04065E

C3D04065E

DIODE SIL CARB 650V 13.5A TO252

Wolfspeed, Inc.

1,624 -
C3D04065E

Технический лист

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 13.5A 1.8 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 251pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
DSEI12-06A

DSEI12-06A

DIODE GEN PURP 600V 14A TO220AC

IXYS

110 -
DSEI12-06A

Технический лист

- TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 14A 1.7 V @ 16 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 50 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
IDL04G65C5XUMA2

IDL04G65C5XUMA2

DIODE SIL CARBIDE 650V 4A VSON-4

Infineon Technologies

3,064 -
IDL04G65C5XUMA2

Технический лист

CoolSiC™+ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.7 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 70 µA @ 650 V 130pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-VSON-4 -55°C ~ 175°C
DSI30-08A

DSI30-08A

DIODE GEN PURP 800V 30A TO220AC

IXYS

2,518 -
DSI30-08A

Технический лист

- TO-220-2 Tube Active Standard 800 V 30A 1.29 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 800 V 10pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
APT30S20BG

APT30S20BG

DIODE SCHOTTKY 200V 45A TO247

Microchip Technology

228 -
APT30S20BG

Технический лист

- TO-247-2 Tube Active Schottky 200 V 45A 850 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 500 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 150°C
STTH1512G

STTH1512G

DIODE GEN PURP 1.2KV 15A D2PAK

STMicroelectronics

1,572 -
STTH1512G

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 1200 V 15A 2.1 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 105 ns 15 µA @ 1200 V - - - Surface Mount D2PAK 175°C (Max)
BY12

BY12

DIODE GEN PURP 12000V 0.5A AXIAL

Diotec Semiconductor

1,080 -
BY12

Технический лист

- Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 12000 V 500mA 10 V @ 500 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 1 µA @ 12000 V - - - Through Hole Axial -50°C ~ 150°C
STTH30R04G-TR

STTH30R04G-TR

DIODE GEN PURP 400V 30A D2PAK

STMicroelectronics

1,965 -
STTH30R04G-TR

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 30A 1.45 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 15 µA @ 400 V - - - Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
BY8

BY8

DIODE GEN PURP 8000V 0.5A AXIAL

Diotec Semiconductor

1,792 -
BY8

Технический лист

- Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 8000 V 500mA 8 V @ 500 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 1 µA @ 8000 V - - - Through Hole Axial -50°C ~ 150°C
C4D02120A

C4D02120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

1,728 -
C4D02120A

Технический лист

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.8 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 167pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
VS-10ETF12FP-M3

VS-10ETF12FP-M3

DIODE GP 1.2KV 10A TO220-2FP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,069 -
VS-10ETF12FP-M3

Технический лист

- TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 1200 V 10A 1.33 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 310 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-220-2 Full Pack -40°C ~ 150°C
D6015LTP

D6015LTP

DIODE GP 600V 9.5A TO220

Littelfuse Inc.

200 -
D6015LTP

Технический лист

- TO-220-3 Isolated Tab Tube Active Standard 600 V 9.5A 1.6 V @ 9.5 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 4 µs 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220 Isolated Tab -40°C ~ 125°C
Total 47512 Record«Prev1... 213214215216217218219220...2376Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь