Доступно 24/7 по
0755-82798135Одиночные диоды
Одиночные диоды
TomatoElec поставляет одиночные диоды для промышленной электроники, автомобильной электроники, связи, систем питания и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение широко используемыми одиночными диодами для схем выпрямления, переключения, управления сигналом и защиты.
Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок одиночных диодов и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.
Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении одиночными диодами, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.
| Фото | Номер производителя | Наличие | Цена | Количество | Технический лист | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Технология | Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) | Ток - Средний выпрямленный (Io) | Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If | Скорость | Время обратного восстановления (trr) | Ток - Обратный утечка @ Vr | Емкость @ Vr, F | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка | Рабочая температура - Переход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDH04G65C5XKSA2DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2-1 |
1,631 | - |
|
Технический лист |
CoolSiC™+ | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 4A | 1.7 V @ 4 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 70 µA @ 650 V | 130pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO220-2-1 | -55°C ~ 175°C |
|
APT30D120BGDIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247 |
180 | - |
|
Технический лист |
- | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 1200 V | 30A | 2.5 V @ 30 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 370 ns | 250 µA @ 1200 V | - | - | - | Through Hole | TO-247 | -55°C ~ 175°C |
|
C3D04060EDIODE SIL CARB 600V 13.5A TO252 |
3,933 | - |
|
Технический лист |
Z-Rec® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 600 V | 13.5A | 1.7 V @ 4 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 600 V | 251pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-252-2 | -55°C ~ 175°C |
|
C3D04060FDIODE SIL CARB 600V 9A TO220-F2 |
3,228 | - |
|
Технический лист |
Z-Rec® | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 600 V | 9A | 1.7 V @ 4 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 600 V | 251pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220-F2 | -55°C ~ 175°C |
|
C6D04065ADIODE SIL CARB 650V 18A TO220-2 |
870 | - |
|
Технический лист |
- | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 18A | 1.27 V @ 4 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | - | - | - | - | Through Hole | TO-220-2 | - |
|
VS-60APU06-N3DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC |
282 | - |
|
Технический лист |
FRED Pt® | TO-247-3 | Tube | Active | Standard | 600 V | 60A | 1.68 V @ 60 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 81 ns | 50 µA @ 600 V | - | - | - | Through Hole | TO-247AC | -55°C ~ 175°C |
|
BY6DIODE GEN PURP 6000V 1A AXIAL |
808 | - |
|
Технический лист |
- | Axial | Tape & Reel (TR) | Active | Standard | 6000 V | 1A | 6 V @ 1 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 1.5 µs | 1 µA @ 6000 V | - | - | - | Through Hole | Axial | -50°C ~ 150°C |
|
STPSC406B-TRDIODE SIL CARBIDE 600V 4A DPAK |
2,211 | - |
|
Технический лист |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 600 V | 4A | 1.9 V @ 4 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 600 V | 200pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | DPAK | -40°C ~ 175°C |
|
C3D04065EDIODE SIL CARB 650V 13.5A TO252 |
1,624 | - |
|
Технический лист |
Z-Rec® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 13.5A | 1.8 V @ 4 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 60 µA @ 650 V | 251pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-252-2 | -55°C ~ 175°C |
|
|
DSEI12-06ADIODE GEN PURP 600V 14A TO220AC |
110 | - |
|
Технический лист |
- | TO-220-2 | Tube | Active | Standard | 600 V | 14A | 1.7 V @ 16 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 50 ns | 50 µA @ 600 V | - | - | - | Through Hole | TO-220AC | -40°C ~ 150°C |
|
IDL04G65C5XUMA2DIODE SIL CARBIDE 650V 4A VSON-4 |
3,064 | - |
|
Технический лист |
CoolSiC™+ | 4-PowerTSFN | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 4A | 1.7 V @ 4 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 70 µA @ 650 V | 130pF @ 1V, 1MHz | - | - | Surface Mount | PG-VSON-4 | -55°C ~ 175°C |
|
|
DSI30-08ADIODE GEN PURP 800V 30A TO220AC |
2,518 | - |
|
Технический лист |
- | TO-220-2 | Tube | Active | Standard | 800 V | 30A | 1.29 V @ 30 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 40 µA @ 800 V | 10pF @ 400V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220AC | -40°C ~ 175°C |
|
APT30S20BGDIODE SCHOTTKY 200V 45A TO247 |
228 | - |
|
Технический лист |
- | TO-247-2 | Tube | Active | Schottky | 200 V | 45A | 850 mV @ 30 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 55 ns | 500 µA @ 200 V | - | - | - | Through Hole | TO-247 [B] | -55°C ~ 150°C |
|
STTH1512GDIODE GEN PURP 1.2KV 15A D2PAK |
1,572 | - |
|
Технический лист |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Active | Standard | 1200 V | 15A | 2.1 V @ 15 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 105 ns | 15 µA @ 1200 V | - | - | - | Surface Mount | D2PAK | 175°C (Max) |
|
BY12DIODE GEN PURP 12000V 0.5A AXIAL |
1,080 | - |
|
Технический лист |
- | Axial | Tape & Reel (TR) | Active | Standard | 12000 V | 500mA | 10 V @ 500 mA | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 1.5 µs | 1 µA @ 12000 V | - | - | - | Through Hole | Axial | -50°C ~ 150°C |
|
STTH30R04G-TRDIODE GEN PURP 400V 30A D2PAK |
1,965 | - |
|
Технический лист |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | Standard | 400 V | 30A | 1.45 V @ 30 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 100 ns | 15 µA @ 400 V | - | - | - | Surface Mount | D2PAK | -40°C ~ 175°C |
|
BY8DIODE GEN PURP 8000V 0.5A AXIAL |
1,792 | - |
|
Технический лист |
- | Axial | Tape & Reel (TR) | Active | Standard | 8000 V | 500mA | 8 V @ 500 mA | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 1.5 µs | 1 µA @ 8000 V | - | - | - | Through Hole | Axial | -50°C ~ 150°C |
|
C4D02120ADIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2 |
1,728 | - |
|
Технический лист |
Z-Rec® | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 10A | 1.8 V @ 2 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | 167pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220-2 | -55°C ~ 175°C |
|
VS-10ETF12FP-M3DIODE GP 1.2KV 10A TO220-2FP |
1,069 | - |
|
Технический лист |
- | TO-220-2 Full Pack | Tube | Active | Standard | 1200 V | 10A | 1.33 V @ 10 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 310 ns | 100 µA @ 1000 V | - | - | - | Through Hole | TO-220-2 Full Pack | -40°C ~ 150°C |
|
D6015LTPDIODE GP 600V 9.5A TO220 |
200 | - |
|
Технический лист |
- | TO-220-3 Isolated Tab | Tube | Active | Standard | 600 V | 9.5A | 1.6 V @ 9.5 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 4 µs | 10 µA @ 600 V | - | - | - | Through Hole | TO-220 Isolated Tab | -40°C ~ 125°C |
