TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

Одиночные диоды

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

Одиночные диоды

TomatoElec поставляет одиночные диоды для промышленной электроники, автомобильной электроники, связи, систем питания и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение широко используемыми одиночными диодами для схем выпрямления, переключения, управления сигналом и защиты.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок одиночных диодов и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении одиночными диодами, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
C3D06060G

C3D06060G

DIODE SIL CARB 600V 19A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

7,066 -
C3D06060G

Технический лист

Z-Rec® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 19A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 295pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
IDD06SG60CXTMA2

IDD06SG60CXTMA2

DIODE SIL CARB 600V 6A TO252-3

Infineon Technologies

9,208 -
IDD06SG60CXTMA2

Технический лист

CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 6A 2.3 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 130pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-3 -55°C ~ 175°C
IDL08G65C5XUMA2

IDL08G65C5XUMA2

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A VSON-4

Infineon Technologies

7,147 -
IDL08G65C5XUMA2

Технический лист

CoolSiC™+ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 140 µA @ 650 V 250pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-VSON-4 -55°C ~ 150°C
STTH3010W

STTH3010W

DIODE GEN PURP 1KV 30A DO247

STMicroelectronics

1,194 -
STTH3010W

Технический лист

- DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1000 V 30A 2 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 15 µA @ 1000 V - - - Through Hole DO-247 175°C (Max)
DSEP40-03AS-TRL

DSEP40-03AS-TRL

DIODE GEN PURP 300V 40A TO263AA

IXYS

3,638 -
DSEP40-03AS-TRL

Технический лист

HiPerFRED™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 300 V 40A 1.44 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 5 µA @ 300 V 50pF @ 150V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AA -55°C ~ 175°C
DSI30-16AS-TUB

DSI30-16AS-TUB

DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263AA

IXYS

2,458 -
DSI30-16AS-TUB

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 1600 V 30A 1.29 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 1600 V 10pF @ 400V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AA -40°C ~ 175°C
STTH6004W

STTH6004W

DIODE GEN PURP 400V 60A DO247

STMicroelectronics

6,790 -
STTH6004W

Технический лист

- DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 400 V 60A 1.2 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 90 ns 50 µA @ 400 V - - - Through Hole DO-247 175°C (Max)
JAN1N5617

JAN1N5617

DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Microchip Technology

177 -
JAN1N5617

Технический лист

- A, Axial Bulk Active Standard 400 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 400 V - Military MIL-PRF-19500/429 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
DSEP30-06A

DSEP30-06A

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD

IXYS

990 -
DSEP30-06A

Технический лист

HiPerFRED™ TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 30A 1.6 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 250 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
IDM08G120C5XTMA1

IDM08G120C5XTMA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO252-2

Infineon Technologies

1,688 -
IDM08G120C5XTMA1

Технический лист

CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 8A 1.95 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1200 V 365pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-2 -55°C ~ 175°C
DNA30E2200PA

DNA30E2200PA

DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO220AC

IXYS

219 -
DNA30E2200PA

Технический лист

- TO-220-2 Tube Active Standard 2200 V 30A 1.26 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 2200 V 7pF @ 700V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
1N5620

1N5620

DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Microchip Technology

300 -
1N5620

Технический лист

- A, Axial Bulk Active Standard 800 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 800 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
STPSC10H065DI

STPSC10H065DI

DIODE SIC 650V 10A TO220AC INS

STMicroelectronics

999 -
STPSC10H065DI

Технический лист

- TO-220-2 Insulated, TO-220AC Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.75 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-220AC ins -40°C ~ 175°C
IDW100E60FKSA1

IDW100E60FKSA1

DIODE GP 600V 150A TO247-3-1

Infineon Technologies

388 -
IDW100E60FKSA1

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 150A 2 V @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 120 ns 40 µA @ 600 V - - - Through Hole PG-TO247-3-1 -55°C ~ 175°C
C3D06065I

C3D06065I

DIODE SIL CARB 650V 13A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

970 -
C3D06065I

Технический лист

Z-Rec® TO-220-2 Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 13A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 295pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 Isolated Tab -55°C ~ 175°C
C3D08060A

C3D08060A

DIODE SIL CARB 600V 24A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

357 -
C3D08060A

Технический лист

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 24A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 441pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
1N3611

1N3611

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Microchip Technology

341 -
1N3611

Технический лист

- A, Axial Bulk Active Standard 200 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 1 µA @ 200 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
VS-30EPH06-N3

VS-30EPH06-N3

DIODE GP 600V 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,744 -
VS-30EPH06-N3

Технический лист

FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 30A 2.6 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 31 ns 50 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -65°C ~ 175°C
STPSC12065DY

STPSC12065DY

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC

STMicroelectronics

7,548 -
STPSC12065DY

Технический лист

ECOPACK®2 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.45 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 750pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
ISL9R3060G2-F085

ISL9R3060G2-F085

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2

onsemi

418 -
ISL9R3060G2-F085

Технический лист

Stealth™ TO-247-2 Tube Active Avalanche 600 V 30A 2.4 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 100 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
Total 47512 Record«Prev1... 216217218219220221222223...2376Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь