Доступно 24/7 по
0755-82798135Одиночные диоды
Одиночные диоды
TomatoElec поставляет одиночные диоды для промышленной электроники, автомобильной электроники, связи, систем питания и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение широко используемыми одиночными диодами для схем выпрямления, переключения, управления сигналом и защиты.
Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок одиночных диодов и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.
Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении одиночными диодами, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.
| Фото | Номер производителя | Наличие | Цена | Количество | Технический лист | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Технология | Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) | Ток - Средний выпрямленный (Io) | Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If | Скорость | Время обратного восстановления (trr) | Ток - Обратный утечка @ Vr | Емкость @ Vr, F | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка | Рабочая температура - Переход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
C3D06060GDIODE SIL CARB 600V 19A TO263-2 |
7,066 | - |
|
Технический лист |
Z-Rec® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 600 V | 19A | 1.7 V @ 6 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 600 V | 295pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-263-2 | -55°C ~ 175°C |
|
IDD06SG60CXTMA2DIODE SIL CARB 600V 6A TO252-3 |
9,208 | - |
|
Технический лист |
CoolSiC™+ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 600 V | 6A | 2.3 V @ 6 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 600 V | 130pF @ 1V, 1MHz | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3 | -55°C ~ 175°C |
|
IDL08G65C5XUMA2DIODE SIL CARBIDE 650V 8A VSON-4 |
7,147 | - |
|
Технический лист |
CoolSiC™+ | 4-PowerTSFN | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 8A | 1.7 V @ 8 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 140 µA @ 650 V | 250pF @ 1V, 1MHz | - | - | Surface Mount | PG-VSON-4 | -55°C ~ 150°C |
|
STTH3010WDIODE GEN PURP 1KV 30A DO247 |
1,194 | - |
|
Технический лист |
- | DO-247-2 (Straight Leads) | Tube | Active | Standard | 1000 V | 30A | 2 V @ 30 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 100 ns | 15 µA @ 1000 V | - | - | - | Through Hole | DO-247 | 175°C (Max) |
|
DSEP40-03AS-TRLDIODE GEN PURP 300V 40A TO263AA |
3,638 | - |
|
Технический лист |
HiPerFRED™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | Standard | 300 V | 40A | 1.44 V @ 40 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 35 ns | 5 µA @ 300 V | 50pF @ 150V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-263AA | -55°C ~ 175°C |
|
DSI30-16AS-TUBDIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263AA |
2,458 | - |
|
Технический лист |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Active | Standard | 1600 V | 30A | 1.29 V @ 30 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 40 µA @ 1600 V | 10pF @ 400V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-263AA | -40°C ~ 175°C |
|
STTH6004WDIODE GEN PURP 400V 60A DO247 |
6,790 | - |
|
Технический лист |
- | DO-247-2 (Straight Leads) | Tube | Active | Standard | 400 V | 60A | 1.2 V @ 60 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 90 ns | 50 µA @ 400 V | - | - | - | Through Hole | DO-247 | 175°C (Max) |
|
|
JAN1N5617DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL |
177 | - |
|
Технический лист |
- | A, Axial | Bulk | Active | Standard | 400 V | 1A | 1.6 V @ 3 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 150 ns | 500 nA @ 400 V | - | Military | MIL-PRF-19500/429 | Through Hole | A, Axial | -65°C ~ 175°C |
|
DSEP30-06ADIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD |
990 | - |
|
Технический лист |
HiPerFRED™ | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 600 V | 30A | 1.6 V @ 30 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 35 ns | 250 µA @ 600 V | - | - | - | Through Hole | TO-247AD | -55°C ~ 175°C |
|
IDM08G120C5XTMA1DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO252-2 |
1,688 | - |
|
Технический лист |
CoolSiC™+ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 8A | 1.95 V @ 8 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 40 µA @ 1200 V | 365pF @ 1V, 1MHz | - | - | Surface Mount | PG-TO252-2 | -55°C ~ 175°C |
|
|
DNA30E2200PADIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO220AC |
219 | - |
|
Технический лист |
- | TO-220-2 | Tube | Active | Standard | 2200 V | 30A | 1.26 V @ 30 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 40 µA @ 2200 V | 7pF @ 700V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220AC | -55°C ~ 175°C |
|
1N5620DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL |
300 | - |
|
Технический лист |
- | A, Axial | Bulk | Active | Standard | 800 V | 1A | 1.3 V @ 3 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 2 µs | 500 nA @ 800 V | - | - | - | Through Hole | A, Axial | -65°C ~ 200°C |
|
STPSC10H065DIDIODE SIC 650V 10A TO220AC INS |
999 | - |
|
Технический лист |
- | TO-220-2 Insulated, TO-220AC | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 10A | 1.75 V @ 10 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | 100 µA @ 650 V | - | - | - | Through Hole | TO-220AC ins | -40°C ~ 175°C |
|
IDW100E60FKSA1DIODE GP 600V 150A TO247-3-1 |
388 | - |
|
Технический лист |
- | TO-247-3 | Tube | Active | Standard | 600 V | 150A | 2 V @ 100 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 120 ns | 40 µA @ 600 V | - | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-1 | -55°C ~ 175°C |
|
|
C3D06065IDIODE SIL CARB 650V 13A TO220-2 |
970 | - |
|
Технический лист |
Z-Rec® | TO-220-2 Isolated Tab | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 13A | 1.7 V @ 6 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 295pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220-2 Isolated Tab | -55°C ~ 175°C |
|
C3D08060ADIODE SIL CARB 600V 24A TO220-2 |
357 | - |
|
Технический лист |
Z-Rec® | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 600 V | 24A | 1.8 V @ 8 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 600 V | 441pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220-2 | -55°C ~ 175°C |
|
|
1N3611DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL |
341 | - |
|
Технический лист |
- | A, Axial | Bulk | Active | Standard | 200 V | 1A | 1.1 V @ 1 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 1 µA @ 200 V | - | - | - | Through Hole | A, Axial | -65°C ~ 175°C |
|
VS-30EPH06-N3DIODE GP 600V 30A TO247AC |
5,744 | - |
|
Технический лист |
FRED Pt® | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 600 V | 30A | 2.6 V @ 30 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 31 ns | 50 µA @ 600 V | - | - | - | Through Hole | TO-247AC Modified | -65°C ~ 175°C |
|
STPSC12065DYDIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC |
7,548 | - |
|
Технический лист |
ECOPACK®2 | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 12A | 1.45 V @ 12 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 600 V | 750pF @ 0V, 1MHz | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-220AC | -40°C ~ 175°C |
|
|
ISL9R3060G2-F085DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2 |
418 | - |
|
Технический лист |
Stealth™ | TO-247-2 | Tube | Active | Avalanche | 600 V | 30A | 2.4 V @ 30 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 45 ns | 100 µA @ 600 V | - | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247-2 | -55°C ~ 175°C |
