TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

Одиночные диоды

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

Одиночные диоды

TomatoElec поставляет одиночные диоды для промышленной электроники, автомобильной электроники, связи, систем питания и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение широко используемыми одиночными диодами для схем выпрямления, переключения, управления сигналом и защиты.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок одиночных диодов и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении одиночными диодами, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
IDWD150E65E7XKSA1

IDWD150E65E7XKSA1

DIODE GEN PURP 650V 200A TO247-2

Infineon Technologies

328 -
IDWD150E65E7XKSA1

Технический лист

- TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 200A 2.1 V @ 150 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 97 ns 20 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
DPG60IM300PC-TRL

DPG60IM300PC-TRL

DIODE GEN PURP 300V 60A TO263AA

IXYS

1,956 -
DPG60IM300PC-TRL

Технический лист

HiPerFRED²™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 300 V 60A 1.43 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 1 µA @ 300 V - - - Surface Mount TO-263AA -55°C ~ 175°C
FFSM2065B

FFSM2065B

DIODE SIL CARB 650V 23.4A 4PQFN

onsemi

2,096 -
FFSM2065B

Технический лист

- 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23.4A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 866pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
STPSC10H12G2-TR

STPSC10H12G2-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK

STMicroelectronics

570 -
STPSC10H12G2-TR

Технический лист

ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 725pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK HV -40°C ~ 175°C
VS-60EPS08-M3

VS-60EPS08-M3

DIODE GP 800V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,185 -
VS-60EPS08-M3

Технический лист

- TO-247-2 Tube Active Standard 800 V 60A 1.09 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 800 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-60EPS12-M3

VS-60EPS12-M3

DIODE GP 1.2KV 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

408 -
VS-60EPS12-M3

Технический лист

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 60A 1.09 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
FFSB2065BDN-F085

FFSB2065BDN-F085

DIODE SIC 650V 23.6A D2PAK-3

onsemi

659 -
FFSB2065BDN-F085

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23.6A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 421pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSD08120A

FFSD08120A

DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA

onsemi

2,010 -
FFSD08120A

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 22.5A 1.75 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 538pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
STPSC10H12G2Y-TR

STPSC10H12G2Y-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK

STMicroelectronics

498 -
STPSC10H12G2Y-TR

Технический лист

ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 725pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK HV -40°C ~ 175°C
1N5802

1N5802

DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL

Microchip Technology

298 -
1N5802

Технический лист

- A, Axial Bulk Active Standard 50 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 50 V 25pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
VS-16F120

VS-16F120

DIODE GEN PURP 1.2KV 16A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

104 -
VS-16F120

Технический лист

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 1200 V 16A 1.23 V @ 50 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 12 mA @ 1200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
1N5807

1N5807

DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Microchip Technology

198 -
1N5807

Технический лист

- B, Axial Bulk Active Standard 50 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 50 V 60pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
JANTX1N5417

JANTX1N5417

DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Microchip Technology

204 -
JANTX1N5417

Технический лист

- B, Axial Bulk Active Standard 200 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
DH20-18A

DH20-18A

DIODE GEN PURP 1.8KV 20A TO247

IXYS

129 -
DH20-18A

Технический лист

- TO-247-2 Tube Active Standard 1800 V 20A 2.24 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 50 µA @ 1800 V - - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 150°C
1N5615US

1N5615US

DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Microchip Technology

630 -
1N5615US

Технический лист

- SQ-MELF, A Bulk Active Standard 200 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 200 V 45pF @ 12V, 1MHz - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
VS-60EPU02-N3

VS-60EPU02-N3

DIODE GP 200V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

554 -
VS-60EPU02-N3

Технический лист

FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 200 V 60A 1.08 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 28 ns 50 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -55°C ~ 175°C
JANTX1N6642

JANTX1N6642

DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35

Microchip Technology

6,996 -
JANTX1N6642

Технический лист

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 75 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 500 nA @ 75 V 5pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/578 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
1N3881

1N3881

DIODE GEN PURP 200V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

414 -
1N3881

Технический лист

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 200 V 6A 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 15 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
GD20MPS12H

GD20MPS12H

DIODE SIL CARB 1.2KV 39A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

2,961 -
GD20MPS12H

Технический лист

SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 39A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1200 V 737pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
S4D15120H

S4D15120H

DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO247AC

SMC Diode Solutions

634 -
S4D15120H

Технический лист

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 35 µA @ 1200 V 1200pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
Total 47512 Record«Prev1... 219220221222223224225226...2376Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь