TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

Одиночные диоды

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

Одиночные диоды

TomatoElec поставляет одиночные диоды для промышленной электроники, автомобильной электроники, связи, систем питания и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение широко используемыми одиночными диодами для схем выпрямления, переключения, управления сигналом и защиты.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок одиночных диодов и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении одиночными диодами, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
STPSC20065WY

STPSC20065WY

DIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247

STMicroelectronics

258 -
STPSC20065WY

Технический лист

ECOPACK®2 DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.45 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 300 µA @ 650 V 1250pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
FFSB3065B

FFSB3065B

DIODE SIL CARB 650V 73A D2PAK-2

onsemi

3,732 -
FFSB3065B

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 73A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 1280pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
IDDD20G65C6XTMA1

IDDD20G65C6XTMA1

DIODE SIL CARB 650V 51A HDSOP-10

Infineon Technologies

606 -
IDDD20G65C6XTMA1

Технический лист

CoolSiC™+ 10-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 51A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 67 µA @ 420 V 970pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-HDSOP-10-1 -55°C ~ 175°C
VS-12FR120

VS-12FR120

DIODE GEN PURP 1.2KV 12A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

475 -
VS-12FR120

Технический лист

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1200 V 12A 1.26 V @ 38 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 12 mA @ 1200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
VS-40HF40

VS-40HF40

DIODE GEN PURP 400V 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

221 -
VS-40HF40

Технический лист

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 400 V 40A 1.3 V @ 125 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 400 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 190°C
JANTX1N5554

JANTX1N5554

DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Microchip Technology

118 -
JANTX1N5554

Технический лист

- B, Axial Bulk Active Standard 1000 V 5A 1.3 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 2 µA @ 1000 V - Military MIL-PRF-19500/420 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
DSEI60-12A

DSEI60-12A

DIODE GEN PURP 1.2KV 52A TO247AD

IXYS

561 -
DSEI60-12A

Технический лист

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 52A 2.55 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 2.2 mA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
PCDD08120G1_L2_00001

PCDD08120G1_L2_00001

1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

2,137 -
PCDD08120G1_L2_00001

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 418pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
JANTX1N5712-1

JANTX1N5712-1

DIODE SCHOTTKY 20V 750MA DO35

Microchip Technology

154 -
JANTX1N5712-1

Технический лист

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Schottky 20 V 750mA 1 V @ 35 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 150 nA @ 16 V 2pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/444 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
C3D16065D1

C3D16065D1

DIODE SIL CARBIDE 650V TO247-3

Wolfspeed, Inc.

651 -
C3D16065D1

Технический лист

Z-Rec® TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 43A 1.8 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 95 µA @ 650 V 740pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
VS-40HF60

VS-40HF60

DIODE GEN PURP 600V 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

139 -
VS-40HF60

Технический лист

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 600 V 40A 1.3 V @ 125 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 190°C
FFSH10120A-F085

FFSH10120A-F085

DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2

onsemi

895 -
FFSH10120A-F085

Технический лист

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 17A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 612pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
FFSB3065B-F085

FFSB3065B-F085

DIODE SIL CARBIDE 650V 73A D2PAK

onsemi

4,032 -
FFSB3065B-F085

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 73A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 1280pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSB10120A-F085

FFSB10120A-F085

DIODE SIL CARB 1.2KV 21A D2PAK

onsemi

197 -
FFSB10120A-F085

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 21A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 612pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSB20120A

FFSB20120A

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 32A D2PAK-3

onsemi

503 -
FFSB20120A

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 32A 1.75 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 1200 V 1220pF @ 1V, 100KHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
NDSH10170A

NDSH10170A

DIODE SIL CARB 1.7KV 16A TO247-2

onsemi

374 -
NDSH10170A

Технический лист

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 16A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1700 V 856pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GP3D010A170B

GP3D010A170B

DIODE SIL CARB 1.7KV 39A TO247-2

SemiQ

360 -
GP3D010A170B

Технический лист

Amp+™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 39A 1.65 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1700 V 699pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
1N5804US

1N5804US

DIODE GEN PURP 100V 1A D-5A

Microchip Technology

1,182 -
1N5804US

Технический лист

- SQ-MELF, A Bulk Active Standard 100 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 100 V 25pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
VS-60APF12-M3

VS-60APF12-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

627 -
VS-60APF12-M3

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active Standard 1200 V 60A 1.4 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
DSEP60-06A

DSEP60-06A

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD

IXYS

300 -
DSEP60-06A

Технический лист

HiPerFRED™ TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 2.04 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 650 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
Total 47512 Record«Prev1... 220221222223224225226227...2376Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь