TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

Одиночные диоды

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

Одиночные диоды

TomatoElec поставляет одиночные диоды для промышленной электроники, автомобильной электроники, связи, систем питания и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение широко используемыми одиночными диодами для схем выпрямления, переключения, управления сигналом и защиты.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок одиночных диодов и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении одиночными диодами, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
STPSC10H12G-TR

STPSC10H12G-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK

STMicroelectronics

1,955 -
STPSC10H12G-TR

Технический лист

ECOPACK® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 725pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
1N5804

1N5804

DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Microchip Technology

299 -
1N5804

Технический лист

- A, Axial Bulk Active Standard 100 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 100 V 25pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
C3D10065E

C3D10065E

DIODE SIL CARB 650V 32A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

7,911 -
C3D10065E

Технический лист

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 32A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 460.5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
C6D10065Q-TR

C6D10065Q-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN

Wolfspeed, Inc.

1,573 -
C6D10065Q-TR

Технический лист

- 4-PowerVQFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 39A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 50 µA @ 650 V 611pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount 4-QFN (8x8) -55°C ~ 175°C
C6D10065E

C6D10065E

DIODE SIL CARB 650V 35A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

3,633 -
C6D10065E

Технический лист

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 35A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 611pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
APT60S20SG

APT60S20SG

DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

Microchip Technology

187 -
APT60S20SG

Технический лист

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active Schottky 200 V 75A 900 mV @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 1 mA @ 200 V - - - Surface Mount D3PAK -55°C ~ 150°C
VS-HFA15PB60-N3

VS-HFA15PB60-N3

DIODE GP 600V 15A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

194 -
VS-HFA15PB60-N3

Технический лист

HEXFRED® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 15A 1.7 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -55°C ~ 150°C
STTH30RQ06L2Y-TR

STTH30RQ06L2Y-TR

DIODE GEN PURP 600V 30A HU3PAK

STMicroelectronics

823 -
STTH30RQ06L2Y-TR

Технический лист

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 30A 2.95 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 40 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount HU3PAK -40°C ~ 175°C
IDK12G65C5XTMA2

IDK12G65C5XTMA2

DIODE SIL CARB 650V 12A TO263-2

Infineon Technologies

1,257 -
IDK12G65C5XTMA2

Технический лист

CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.8 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - 360pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2 -55°C ~ 175°C
1N5614US

1N5614US

DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Microchip Technology

250 -
1N5614US

Технический лист

- SQ-MELF, A Bulk Active Standard 200 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 200 V - - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 200°C
IDL12G65C5XUMA2

IDL12G65C5XUMA2

DIODE SIL CARB 650V 12A VSON-4

Infineon Technologies

6,146 -
IDL12G65C5XUMA2

Технический лист

CoolSiC™+ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.7 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 190 µA @ 650 V 360pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-VSON-4 -55°C ~ 150°C
DSEI36-06AS-TUB

DSEI36-06AS-TUB

DIODE GEN PURP 600V 37A TO263AA

IXYS

1,403 -
DSEI36-06AS-TUB

Технический лист

FRED TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 600 V 37A 1.6 V @ 37 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 100 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-263AA -40°C ~ 150°C
C4D05120E-TR

C4D05120E-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 19A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

1,520 -
C4D05120E-TR

Технический лист

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 19A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 1200 V 390pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
1N5550

1N5550

DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Microchip Technology

262 -
1N5550

Технический лист

- B, Axial Bulk Active Standard 200 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 200 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
STTH75S12W

STTH75S12W

DIODE GEN PURP 1.2KV 75A DO247

STMicroelectronics

295 -
STTH75S12W

Технический лист

- DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1200 V 75A 3.2 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 50 µA @ 1200 V - - - Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
VS-40EPS12-M3

VS-40EPS12-M3

DIODE GP 1.2KV 40A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

343 -
VS-40EPS12-M3

Технический лист

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 40A 1 V @ 20 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
FFSP2065A

FFSP2065A

DIODE SIL CARB 650V 25A TO220-2

onsemi

3,918 -
FFSP2065A

Технический лист

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 25A 1.75 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 1085pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
DNA30E2200PZ-TRL

DNA30E2200PZ-TRL

DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263

IXYS

3,257 -
DNA30E2200PZ-TRL

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 2200 V 30A 1.26 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 2200 V 7pF @ 700V, 1MHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 150°C
C3D08060G

C3D08060G

DIODE SIL CARB 600V 24A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

205 -
C3D08060G

Технический лист

Z-Rec® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 24A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 441pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
VS-80APS12-M3

VS-80APS12-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,977 -
VS-80APS12-M3

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active Standard 1200 V 80A 1.17 V @ 80 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
Total 47512 Record«Prev1... 218219220221222223224225...2376Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь