Доступно 24/7 по
0755-82798135Одиночные диоды
Одиночные диоды
TomatoElec поставляет одиночные диоды для промышленной электроники, автомобильной электроники, связи, систем питания и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение широко используемыми одиночными диодами для схем выпрямления, переключения, управления сигналом и защиты.
Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок одиночных диодов и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.
Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении одиночными диодами, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.
| Фото | Номер производителя | Наличие | Цена | Количество | Технический лист | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Технология | Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) | Ток - Средний выпрямленный (Io) | Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If | Скорость | Время обратного восстановления (trr) | Ток - Обратный утечка @ Vr | Емкость @ Vr, F | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка | Рабочая температура - Переход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STPSC10H12G-TRDIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK |
1,955 | - |
|
Технический лист |
ECOPACK® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 10A | 1.5 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 60 µA @ 1200 V | 725pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | D2PAK | -40°C ~ 175°C |
|
1N5804DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL |
299 | - |
|
Технический лист |
- | A, Axial | Bulk | Active | Standard | 100 V | 1A | 875 mV @ 1 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25 ns | 1 µA @ 100 V | 25pF @ 10V, 1MHz | - | - | Through Hole | A, Axial | -65°C ~ 175°C |
|
C3D10065EDIODE SIL CARB 650V 32A TO252-2 |
7,911 | - |
|
Технический лист |
Z-Rec® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 32A | 1.8 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 460.5pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-252-2 | -55°C ~ 175°C |
|
C6D10065Q-TRDIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN |
1,573 | - |
|
Технический лист |
- | 4-PowerVQFN | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 39A | 1.5 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | - | 50 µA @ 650 V | 611pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | 4-QFN (8x8) | -55°C ~ 175°C |
|
C6D10065EDIODE SIL CARB 650V 35A TO252-2 |
3,633 | - |
|
Технический лист |
Z-Rec® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 35A | 1.5 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 611pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-252-2 | -55°C ~ 175°C |
|
|
APT60S20SGDIODE SCHOTTKY 200V 75A D3 |
187 | - |
|
Технический лист |
- | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | Schottky | 200 V | 75A | 900 mV @ 60 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 55 ns | 1 mA @ 200 V | - | - | - | Surface Mount | D3PAK | -55°C ~ 150°C |
|
VS-HFA15PB60-N3DIODE GP 600V 15A TO247AC |
194 | - |
|
Технический лист |
HEXFRED® | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 600 V | 15A | 1.7 V @ 15 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 60 ns | 10 µA @ 600 V | - | - | - | Through Hole | TO-247AC Modified | -55°C ~ 150°C |
|
STTH30RQ06L2Y-TRDIODE GEN PURP 600V 30A HU3PAK |
823 | - |
|
Технический лист |
- | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tape & Reel (TR) | Active | Standard | 600 V | 30A | 2.95 V @ 30 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 55 ns | 40 µA @ 600 V | - | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | HU3PAK | -40°C ~ 175°C |
|
IDK12G65C5XTMA2DIODE SIL CARB 650V 12A TO263-2 |
1,257 | - |
|
Технический лист |
CoolSiC™+ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 12A | 1.8 V @ 12 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | - | 360pF @ 1V, 1MHz | - | - | Surface Mount | PG-TO263-2 | -55°C ~ 175°C |
|
|
1N5614USDIODE GEN PURP 200V 1A D-5A |
250 | - |
|
Технический лист |
- | SQ-MELF, A | Bulk | Active | Standard | 200 V | 1A | 1.3 V @ 3 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 2 µs | 500 nA @ 200 V | - | - | - | Surface Mount | D-5A | -65°C ~ 200°C |
|
IDL12G65C5XUMA2DIODE SIL CARB 650V 12A VSON-4 |
6,146 | - |
|
Технический лист |
CoolSiC™+ | 4-PowerTSFN | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 12A | 1.7 V @ 12 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 190 µA @ 650 V | 360pF @ 1V, 1MHz | - | - | Surface Mount | PG-VSON-4 | -55°C ~ 150°C |
|
DSEI36-06AS-TUBDIODE GEN PURP 600V 37A TO263AA |
1,403 | - |
|
Технический лист |
FRED | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Active | Standard | 600 V | 37A | 1.6 V @ 37 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 50 ns | 100 µA @ 600 V | - | - | - | Surface Mount | TO-263AA | -40°C ~ 150°C |
|
C4D05120E-TRDIODE SIL CARB 1.2KV 19A TO252-2 |
1,520 | - |
|
Технический лист |
Z-Rec® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 19A | 1.8 V @ 5 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 150 µA @ 1200 V | 390pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-252-2 | -55°C ~ 175°C |
|
1N5550DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL |
262 | - |
|
Технический лист |
- | B, Axial | Bulk | Active | Standard | 200 V | 3A | 1.2 V @ 9 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 2 µs | 1 µA @ 200 V | - | - | - | Through Hole | B, Axial | -65°C ~ 175°C |
|
|
STTH75S12WDIODE GEN PURP 1.2KV 75A DO247 |
295 | - |
|
Технический лист |
- | DO-247-2 (Straight Leads) | Tube | Active | Standard | 1200 V | 75A | 3.2 V @ 75 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 55 ns | 50 µA @ 1200 V | - | - | - | Through Hole | DO-247 | -40°C ~ 175°C |
|
VS-40EPS12-M3DIODE GP 1.2KV 40A TO247AC |
343 | - |
|
Технический лист |
- | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 1200 V | 40A | 1 V @ 20 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 100 µA @ 1200 V | - | - | - | Through Hole | TO-247AC Modified | -40°C ~ 150°C |
|
FFSP2065ADIODE SIL CARB 650V 25A TO220-2 |
3,918 | - |
|
Технический лист |
- | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 25A | 1.75 V @ 20 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 200 µA @ 650 V | 1085pF @ 1V, 100kHz | - | - | Through Hole | TO-220-2 | -55°C ~ 175°C |
|
|
DNA30E2200PZ-TRLDIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263 |
3,257 | - |
|
Технический лист |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | Standard | 2200 V | 30A | 1.26 V @ 30 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 40 µA @ 2200 V | 7pF @ 700V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) | -55°C ~ 150°C |
|
C3D08060GDIODE SIL CARB 600V 24A TO263-2 |
205 | - |
|
Технический лист |
Z-Rec® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 600 V | 24A | 1.8 V @ 8 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 600 V | 441pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-263-2 | -55°C ~ 175°C |
|
VS-80APS12-M3DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC |
3,977 | - |
|
Технический лист |
- | TO-247-3 | Tube | Active | Standard | 1200 V | 80A | 1.17 V @ 80 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 100 µA @ 1200 V | - | - | - | Through Hole | TO-247AC | -40°C ~ 150°C |
