TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

Одиночные диоды

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

Одиночные диоды

TomatoElec поставляет одиночные диоды для промышленной электроники, автомобильной электроники, связи, систем питания и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение широко используемыми одиночными диодами для схем выпрямления, переключения, управления сигналом и защиты.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок одиночных диодов и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении одиночными диодами, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
STPSC10H065B-TR

STPSC10H065B-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK

STMicroelectronics

12,231 -
STPSC10H065B-TR

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 480pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -40°C ~ 175°C
1N5417

1N5417

DIODE GEN PURP 200V 3A B AXIAL

Microchip Technology

1,183 -
1N5417

Технический лист

- Axial Bulk Active Standard 200 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 200 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
DSEI20-12A

DSEI20-12A

DIODE GEN PURP 1.2KV 17A TO220AC

IXYS

846 -
DSEI20-12A

Технический лист

- TO-220-2 Tube Active Standard 1200 V 17A 2.15 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 750 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
IDH10G65C6XKSA1

IDH10G65C6XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 24A TO220-2

Infineon Technologies

869 -
IDH10G65C6XKSA1

Технический лист

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 24A 1.35 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 33 µA @ 420 V 495pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2 -55°C ~ 175°C
IDW75D65D1XKSA1

IDW75D65D1XKSA1

DIODE GEN PURP 650V 150A TO247-3

Infineon Technologies

2,129 -
IDW75D65D1XKSA1

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active Standard 650 V 150A 1.7 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 108 ns 40 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-3 -40°C ~ 175°C
JANTX1N5615

JANTX1N5615

DIODE GEN PURP 200V 1A A-PAK

Microchip Technology

2,371 -
JANTX1N5615

Технический лист

- A, Axial Bulk Active Standard 200 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 200 V 45pF @ 12V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/429 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
C3D10060A

C3D10060A

DIODE SIL CARB 600V 30A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

1,991 -
C3D10060A

Технический лист

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 30A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 480pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
C3D10060G

C3D10060G

DIODE SIL CARB 600V 29A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

1,068 -
C3D10060G

Технический лист

Z-Rec® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 29A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 480pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
IDM10G120C5XTMA1

IDM10G120C5XTMA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 38A TO252-2

Infineon Technologies

4,234 -
IDM10G120C5XTMA1

Технический лист

CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 38A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 62 µA @ 12 V 29pF @ 800V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-2 -55°C ~ 150°C
GD05MPS17J-TR

GD05MPS17J-TR

1700V 5A TO-247-2 SIC SCHOTTKY M

GeneSiC Semiconductor

1,286 -
GD05MPS17J-TR

Технический лист

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 15A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 361pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-7 -55°C ~ 175°C
GD05MPS17H

GD05MPS17H

DIODE SIL CARB 1.7KV 15A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

993 -
GD05MPS17H

Технический лист

SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 15A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 361pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
VS-90EPS12L-M3

VS-90EPS12L-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 90A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

862 -
VS-90EPS12L-M3

Технический лист

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 90A 1.2 V @ 90 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
RURG5060-F085

RURG5060-F085

DIODE GEN PURP 600V 50A TO247-2

onsemi

387 -
RURG5060-F085

Технический лист

- TO-247-2 Tube Active Avalanche 600 V 50A 1.6 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 90 ns 250 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
1N5552

1N5552

DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Microchip Technology

911 -
1N5552

Технический лист

- B, Axial Bulk Active Standard 600 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 600 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
C4D05120E

C4D05120E

DIODE SIL CARB 1.2KV 19A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

3,241 -
C4D05120E

Технический лист

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 19A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 1200 V 390pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
C4D05120A

C4D05120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 19A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

587 -
C4D05120A

Технический лист

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 19A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 1200 V 390pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
APT100S20BG

APT100S20BG

DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Microchip Technology

3,777 -
APT100S20BG

Технический лист

- TO-247-2 Tube Active Schottky 200 V 120A 950 mV @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 70 ns 2 mA @ 200 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 150°C
DSEP30-12A

DSEP30-12A

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AD

IXYS

5,978 -
DSEP30-12A

Технический лист

HiPerFRED™ TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 30A 2.74 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
VS-90EPS16L-M3

VS-90EPS16L-M3

DIODE GEN PURP 1.6KV 90A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

435 -
VS-90EPS16L-M3

Технический лист

- TO-247-2 Tube Active Standard 1600 V 90A 1.21 V @ 90 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1600 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
1N5712

1N5712

DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO35

Microchip Technology

529 -
1N5712

Технический лист

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Schottky 20 V 75mA 1 V @ 35 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 150 nA @ 16 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
Total 47512 Record«Prev1... 3738394041424344...2376Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь