TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

Одиночные диоды

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

Одиночные диоды

TomatoElec поставляет одиночные диоды для промышленной электроники, автомобильной электроники, связи, систем питания и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение широко используемыми одиночными диодами для схем выпрямления, переключения, управления сигналом и защиты.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок одиночных диодов и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении одиночными диодами, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
IDH20G65C6XKSA1

IDH20G65C6XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 41A TO220-2

Infineon Technologies

1,342 -
IDH20G65C6XKSA1

Технический лист

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 41A 1.35 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 67 µA @ 420 V 970pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2 -55°C ~ 175°C
C4D08120A

C4D08120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 24.5A TO220

Wolfspeed, Inc.

711 -
C4D08120A

Технический лист

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 24.5A 1.8 V @ 7.5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 560pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
DH40-18A

DH40-18A

DIODE GEN PURP 1.8KV 40A TO247AD

IXYS

406 -
DH40-18A

Технический лист

SONIC-FRD™ TO-247-2 Tube Active Standard 1800 V 40A 2.7 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 100 µA @ 1800 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
JAN1N5819UR-1

JAN1N5819UR-1

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Microchip Technology

175 -
JAN1N5819UR-1

Технический лист

- DO-213AB, MELF (Glass) Bulk Active Schottky 45 V 1A 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V 70pF @ 5V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/586 Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) -65°C ~ 125°C
1N5809US

1N5809US

DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

629 -
1N5809US

Технический лист

- SQ-MELF, B Bulk Active Standard 100 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V 60pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
IDH20G65C5XKSA2

IDH20G65C5XKSA2

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-1

Infineon Technologies

864 -
IDH20G65C5XKSA2

Технический лист

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 210 µA @ 650 V 590pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
JANTX1N5811US

JANTX1N5811US

DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

116 -
JANTX1N5811US

Технический лист

- SQ-MELF, B Bulk Active Standard 150 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 150 V 60pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
GD10MPS17H

GD10MPS17H

DIODE SIL CARB 1.7KV 26A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

780 -
GD10MPS17H

Технический лист

SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 26A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 721pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
1N5819UR-1

1N5819UR-1

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Microchip Technology

376 -
1N5819UR-1

Технический лист

- DO-213AB, MELF (Glass) Bulk Active Schottky 45 V 1A 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V 70pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) -65°C ~ 150°C
IDW20G65C5XKSA1

IDW20G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3

Infineon Technologies

270 -
IDW20G65C5XKSA1

Технический лист

CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 210 µA @ 650 V 590pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3-41 -55°C ~ 175°C
1N5554

1N5554

DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Microchip Technology

218 -
1N5554

Технический лист

- B, Axial Bulk Active Standard 1000 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 1000 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
C4D10120A

C4D10120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

469 -
C4D10120A

Технический лист

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 33A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 754pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
IDH20G120C5XKSA1

IDH20G120C5XKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO220-1

Infineon Technologies

974 -
IDH20G120C5XKSA1

Технический лист

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 56A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 123 µA @ 1200 V 1050pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
IDK20G120C5XTMA1

IDK20G120C5XTMA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO263-1

Infineon Technologies

1,079 -
IDK20G120C5XTMA1

Технический лист

CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 56A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 123 µA @ 1200 V 1050pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2-1 -55°C ~ 175°C
STPSC20H12G-TR

STPSC20H12G-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A D2PAK

STMicroelectronics

4,630 -
STPSC20H12G-TR

Технический лист

ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 1200 V 1650pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
1N5711UR-1

1N5711UR-1

DIODE SCHOTTKY 50V 33MA DO213AA

Microchip Technology

223 -
1N5711UR-1

Технический лист

- DO-213AA Bulk Active Schottky 50 V 33mA 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 150°C
GD60MPS06H

GD60MPS06H

DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

849 -
GD60MPS06H

Технический лист

SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 82A 1.8 V @ 60 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 650 V 1463pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
STPSC20H12GY-TR

STPSC20H12GY-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A D2PAK

STMicroelectronics

1,492 -
STPSC20H12GY-TR

Технический лист

ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 1200 V 1650pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
GAP3SLT33-214

GAP3SLT33-214

DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA

GeneSiC Semiconductor

6,598 -
GAP3SLT33-214

Технический лист

SiC Schottky MPS™ DO-214AA, SMB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 3300 V 300mA 2.2 V @ 300 mA - 0 ns 10 µA @ 3300 V 42pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount DO-214AA -55°C ~ 175°C
JANTX1N5711UR-1

JANTX1N5711UR-1

DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

Microchip Technology

207 -
JANTX1N5711UR-1

Технический лист

- DO-213AA Bulk Active Schottky 70 V 33mA 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 100 V 2pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/444 Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 150°C
Total 47512 Record«Prev1... 3940414243444546...2376Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь