TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
FDMS86255ET150

FDMS86255ET150

MOSFET N-CH 150V 10A/63A POWER56

onsemi

669 -
FDMS86255ET150

Технический лист

PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 10A (Ta), 63A (Tc) 6V, 10V 12.4mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 4480 pF @ 75 V - 3.3W (Ta), 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
NTBGS4D1N15MC

NTBGS4D1N15MC

MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK

onsemi

545 -
NTBGS4D1N15MC

Технический лист

- TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 20A (Ta), 185A (Tc) 8V, 10V 4.1mOhm @ 104A, 10V 4.5V @ 574µA 88.9 nC @ 10 V ±20V 7285 pF @ 75 V - 3.7W (Ta), 316W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
SIHP35N60EF-GE3

SIHP35N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB

Vishay Siliconix

728 -
SIHP35N60EF-GE3

Технический лист

EF TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 32A (Tc) 10V 97mOhm @ 17A, 10V 4V @ 250µA 134 nC @ 10 V ±30V 2568 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
SIHB053N60E-GE3

SIHB053N60E-GE3

E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-

Vishay Siliconix

1,005 -
SIHB053N60E-GE3

Технический лист

E TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 54mOhm @ 26.5A, 10V 5V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±30V 3722 pF @ 100 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IPW65R110CFDFKSA2

IPW65R110CFDFKSA2

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3

Infineon Technologies

200 -
IPW65R110CFDFKSA2

Технический лист

CoolMOS™ CFD2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 31.2A (Tc) 10V 110mOhm @ 12.7A, 10V 4.5V @ 1.3mA 118 nC @ 10 V ±20V 3240 pF @ 100 V - 277.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-41
SIHG30N60E-GE3

SIHG30N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

Vishay Siliconix

500 -
SIHG30N60E-GE3

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V 125mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±30V 2600 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
FDB86135

FDB86135

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

onsemi

3,108 -
FDB86135

Технический лист

PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 75A (Tc) 10V 3.5mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 116 nC @ 10 V ±20V 7295 pF @ 25 V - 2.4W (Ta), 227W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
FCB290N80

FCB290N80

MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK

onsemi

1,482 -
FCB290N80

Технический лист

SuperFET® II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 17A (Tc) 10V 290mOhm @ 8.5A, 10V 4.5V @ 1.7mA 75 nC @ 10 V ±20V 3205 pF @ 100 V - 212W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IXTP140N12T2

IXTP140N12T2

MOSFET N-CH 120V 140A TO220AB

Littelfuse Inc.

312 -
IXTP140N12T2

Технический лист

TrenchT2™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 140A (Tc) 10V 10mOhm @ 70A, 10V 4.5V @ 250µA 174 nC @ 10 V ±20V 9700 pF @ 25 V - 577W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
STW36N60M6

STW36N60M6

MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

STMicroelectronics

596 -
STW36N60M6

Технический лист

MDmesh™ M6 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 99mOhm @ 15A, 10V 4.75V @ 250µA 44.3 nC @ 10 V ±25V 1960 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
STW25N80K5

STW25N80K5

MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247

STMicroelectronics

555 -
STW25N80K5

Технический лист

SuperMESH5™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 19.5A (Tc) 10V 260mOhm @ 19.5A, 10V 5V @ 100µA 40 nC @ 10 V ±30V 1600 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
SIJH5800E-T1-GE3

SIJH5800E-T1-GE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET

Vishay Siliconix

3,786 -
SIJH5800E-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® 8 x 8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 30A (Ta), 302A (Tc) 7.5V, 10V 1.35mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 155 nC @ 10 V ±20V 7730 pF @ 40 V - 3.3W (Ta), 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
CSD19506KTTT

CSD19506KTTT

MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK

Texas Instruments

700 -
CSD19506KTTT

Технический лист

NexFET™ TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 200A (Ta) 6V, 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 3.2V @ 250µA 156 nC @ 10 V ±20V 12200 pF @ 40 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
STFW4N150

STFW4N150

MOSFET N-CH 1500V 4A ISOWATT

STMicroelectronics

189 -
STFW4N150

Технический лист

PowerMESH™ TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1500 V 4A (Tc) 10V 7Ohm @ 2A, 10V 5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V 1300 pF @ 25 V - 63W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
STH200N10WF7-2

STH200N10WF7-2

N-CHANNEL 100 V, 4.8 MOHM TYP.,

STMicroelectronics

796 -
STH200N10WF7-2

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 4mOhm @ 90A, 10V 4.5V @ 250µA 93 nC @ 10 V ±20V 4430 pF @ 25 V - 340W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount H2PAK-2
SIHG100N60E-GE3

SIHG100N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 30A TO247AC

Vishay Siliconix

359 -
SIHG100N60E-GE3

Технический лист

E TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 100mOhm @ 13A, 10V 5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V 1851 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
PSMN1R2-55SLHX

PSMN1R2-55SLHX

N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A

Nexperia USA Inc.

1,651 -
PSMN1R2-55SLHX

Технический лист

- SOT-1235 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 330A (Tc) 4.5V, 10V 1.03mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 1mA 395 nC @ 10 V ±20V 25773 pF @ 27 V Schottky Diode (Isolated) 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)
SUP85N10-10-E3

SUP85N10-10-E3

MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB

Vishay Siliconix

315 -
SUP85N10-10-E3

Технический лист

TrenchFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 85A (Tc) 4.5V, 10V 10.5mOhm @ 30A, 10V 3V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 6550 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
AUIRFSA8409-7TRL

AUIRFSA8409-7TRL

MOSFET N-CH 40V 523A D2PAK

Infineon Technologies

1,471 -
AUIRFSA8409-7TRL

Технический лист

HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 523A (Tc) 10V 0.69mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 460 nC @ 10 V ±20V 13975 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-7
FCA20N60F

FCA20N60F

MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

onsemi

409 -
FCA20N60F

Технический лист

SuperFET™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 190mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±30V 3080 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PN
Total 36322 Record«Prev1... 99100101102103104105106...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь