TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IPT054N15N5ATMA1

IPT054N15N5ATMA1

TRENCH >=100V PG-HSOF-8

Infineon Technologies

1,600 -
IPT054N15N5ATMA1

Технический лист

OptiMOS™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 143A (Tc) 8V, 10V 5.4mOhm @ 50A, 10V 4.6V @ 181µA 69 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 75 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8
SIHP38N60E-GE3

SIHP38N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB

Vishay Siliconix

914 -
SIHP38N60E-GE3

Технический лист

E TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 43A (Tc) 10V 65mOhm @ 19A, 10V 4V @ 250µA 183 nC @ 10 V ±30V 3600 pF @ 100 V - 313W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IPT60R075CFD7XTMA1

IPT60R075CFD7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 33A 8HSOF

Infineon Technologies

1,109 -
IPT60R075CFD7XTMA1

Технический лист

CoolMOS™ CFD7 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 33A (Tc) 10V 75mOhm @ 11.4A, 10V 4.5V @ 570µA 51 nC @ 10 V ±20V 2103 pF @ 400 V - 188W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-2
STW40N60M2

STW40N60M2

MOSFET N-CH 600V 34A TO247

STMicroelectronics

592 -
STW40N60M2

Технический лист

MDmesh™ II Plus TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 34A (Tc) 10V 88mOhm @ 17A, 10V 4V @ 250µA 57 nC @ 10 V ±25V 2500 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IPW60R090CFD7XKSA1

IPW60R090CFD7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3

Infineon Technologies

238 -
IPW60R090CFD7XKSA1

Технический лист

OptiMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 10V 90mOhm @ 11.4A, 10V 4.5V @ 570µA 51 nC @ 10 V ±20V 2103 pF @ 400 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
IPI075N15N3GXKSA1

IPI075N15N3GXKSA1

MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3

Infineon Technologies

991 -
IPI075N15N3GXKSA1

Технический лист

OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 100A (Tc) 8V, 10V 7.5mOhm @ 100A, 10V 4V @ 270µA 93 nC @ 10 V ±20V 5470 pF @ 75 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
STP190N55LF3

STP190N55LF3

MOSFET N-CH 55V 120A TO220-3

STMicroelectronics

711 -
STP190N55LF3

Технический лист

STripFET™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 120A (Tc) 5V, 10V 3.7mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 80 nC @ 5 V ±18V 6200 pF @ 25 V - 312W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
NVHL072N65S3

NVHL072N65S3

MOSFET N-CH 650V 44A TO247-3

onsemi

185 -
NVHL072N65S3

Технический лист

SuperFET® III TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 44A (Tc) 10V 72mOhm @ 22A, 10V 4.5V @ 1mA 82 nC @ 10 V ±30V 3300 pF @ 400 V - 312W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
SIHH26N60E-T1-GE3

SIHH26N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 25A PPAK 8 X 8

Vishay Siliconix

5,625 -
SIHH26N60E-T1-GE3

Технический лист

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 10V 135mOhm @ 13A, 10V 4V @ 250µA 116 nC @ 10 V ±30V 2815 pF @ 100 V - 202W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
STH275N8F7-6AG

STH275N8F7-6AG

MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6

STMicroelectronics

1,842 -
STH275N8F7-6AG

Технический лист

STripFET™ F7 TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 180A (Tc) 10V 2.1mOhm @ 90A, 10V 4.5V @ 250µA 193 nC @ 10 V ±20V 13600 pF @ 50 V - 315W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount H2PAK-6
IXFP180N10T2

IXFP180N10T2

MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB

Littelfuse Inc.

346 -
IXFP180N10T2

Технический лист

HiPerFET™, TrenchT2™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 6mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 185 nC @ 10 V ±20V 10500 pF @ 25 V - 480W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
STF22NM60N

STF22NM60N

MOSFET N-CH 600V 16A TO220FP

STMicroelectronics

1,944 -
STF22NM60N

Технический лист

MDmesh™ II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 16A (Tc) 10V 220mOhm @ 8A, 10V 4V @ 100µA 44 nC @ 10 V ±30V 1300 pF @ 50 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
IPW65R095C7XKSA1

IPW65R095C7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 24A TO247

Infineon Technologies

1,045 -
IPW65R095C7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 95mOhm @ 11.8A, 10V 4V @ 590µA 45 nC @ 10 V ±20V 2140 pF @ 400 V - 128W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
IPB060N15N5ATMA1

IPB060N15N5ATMA1

MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7

Infineon Technologies

2,544 -
IPB060N15N5ATMA1

Технический лист

OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 136A (Tc) 8V, 10V 6mOhm @ 68A, 10V 4.6V @ 180µA 68 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 75 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-3
SCT10N120AG

SCT10N120AG

SICFET N-CH 1200V 12A HIP247

STMicroelectronics

569 -
SCT10N120AG

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 12A (Tc) 20V 690mOhm @ 6A, 20V 3.5V @ 250µA 22 nC @ 20 V +25V, -10V 290 pF @ 400 V - 150W (Tc) -55°C ~ 200°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole HiP247™
IXFH18N60P

IXFH18N60P

MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Littelfuse Inc.

810 -
IXFH18N60P

Технический лист

HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 400mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 2.5mA 50 nC @ 10 V ±30V 2500 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXFH22N50P

IXFH22N50P

MOSFET N-CH 500V 22A TO247AD

Littelfuse Inc.

136 -
IXFH22N50P

Технический лист

HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 22A (Tc) 10V 270mOhm @ 11A, 10V 5.5V @ 2.5mA 50 nC @ 10 V ±30V 2630 pF @ 25 V - 350W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
FDP032N08

FDP032N08

MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3

onsemi

661 -
FDP032N08

Технический лист

PowerTrench® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 120A (Tc) 10V 3.2mOhm @ 75A, 10V 4.5V @ 250µA 220 nC @ 10 V ±20V 15160 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IPW65R090CFD7XKSA1

IPW65R090CFD7XKSA1

HIGH POWER_NEW

Infineon Technologies

153 -
IPW65R090CFD7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ CFD7 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 25A (Tc) 10V 90mOhm @ 12.5A, 10V 4.5V @ 630µA 53 nC @ 10 V ±20V 2513 pF @ 400 V - 127W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
IPB80R290C3AATMA2

IPB80R290C3AATMA2

MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3

Infineon Technologies

8,386 -
IPB80R290C3AATMA2

Технический лист

CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 17A (Tc) 10V 290mOhm @ 11A, 10V 3.9V @ 1mA 117 nC @ 10 V ±20V 2300 pF @ 100 V - 227W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-3-2
Total 36284 Record«Prev1... 96979899100101102103...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь