TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
STH270N8F7-6

STH270N8F7-6

MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK

STMicroelectronics

2,814 -
STH270N8F7-6

Технический лист

DeepGATE™, STripFET™ VII TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 180A (Tc) 10V 2.1mOhm @ 90A, 10V 4V @ 250µA 193 nC @ 10 V ±20V 13600 pF @ 50 V - 315W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount H2PAK
STB18NM80

STB18NM80

MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK

STMicroelectronics

9,305 -
STB18NM80

Технический лист

MDmesh™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 17A (Tc) 10V 295mOhm @ 8.5A, 10V 5V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±25V 2070 pF @ 50 V - 190W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
STH260N6F6-2

STH260N6F6-2

MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2

STMicroelectronics

978 -
STH260N6F6-2

Технический лист

DeepGATE™, STripFET™ VI TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 180A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 183 nC @ 10 V ±20V 11800 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount H2PAK-2
STF11NM80

STF11NM80

MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP

STMicroelectronics

954 -
STF11NM80

Технический лист

MDmesh™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 11A (Tc) 10V 400mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 43.6 nC @ 10 V ±30V 1630 pF @ 25 V - 35W (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
NVMFS4C01NT1G

NVMFS4C01NT1G

MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN

onsemi

2,984 -
NVMFS4C01NT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 49A (Ta), 319A (Tc) 4.5V, 10V 0.9mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 139 nC @ 10 V ±20V 10144 pF @ 15 V - 3.84W (Ta), 161W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
IXFA22N65X2

IXFA22N65X2

MOSFET N-CH 650V 22A TO263

Littelfuse Inc.

548 -
IXFA22N65X2

Технический лист

HiPerFET™, Ultra X2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 22A (Tc) 10V 160mOhm @ 11A, 10V 5.5V @ 1.5mA 38 nC @ 10 V ±30V 2310 pF @ 25 V - 390W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263HV
IRFP048PBF

IRFP048PBF

MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3

Vishay Siliconix

392 -

-

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 70A (Tc) 10V 18mOhm @ 44A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IPB011N04LGATMA1

IPB011N04LGATMA1

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

Infineon Technologies

2,111 -
IPB011N04LGATMA1

Технический лист

OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 180A (Tc) 4.5V, 10V 1.1mOhm @ 100A, 10V 2V @ 200µA 346 nC @ 10 V ±20V 29000 pF @ 20 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-3
FCH104N60F

FCH104N60F

MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3

onsemi

760 -
FCH104N60F

Технический лист

HiPerFET™, Polar™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 37A (Tc) 10V 104mOhm @ 18.5A, 10V 5V @ 250µA 139 nC @ 10 V ±20V 5950 pF @ 100 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
FCB125N65S3

FCB125N65S3

MOSFET N-CH 650V 24A TO263

onsemi

568 -
FCB125N65S3

Технический лист

SuperFET® III TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 125mOhm @ 12A, 10V 4.5V @ 590µA 46 nC @ 10 V ±30V 1940 pF @ 400 V - 181W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
FCPF125N65S3

FCPF125N65S3

MOSFET N-CH 650V 24A TO220F

onsemi

534 -
FCPF125N65S3

Технический лист

SuperFET® III TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 125mOhm @ 12A, 10V 4.5V @ 2.4mA 44 nC @ 10 V ±30V 1790 pF @ 400 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
STP315N10F7

STP315N10F7

MOSFET N-CH 100V 180A TO220

STMicroelectronics

778 -
STP315N10F7

Технический лист

DeepGATE™, STripFET™ VII TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 2.7mOhm @ 60A, 10V 4.5V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 12800 pF @ 25 V - 315W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220
FDH3632

FDH3632

MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO247-3

onsemi

604 -
FDH3632

Технический лист

PowerTrench® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12A (Ta), 80A (Tc) 6V, 10V 9mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 6000 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXTA1R4N120P

IXTA1R4N120P

MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263

Littelfuse Inc.

296 -
IXTA1R4N120P

Технический лист

Polar TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 1.4A (Tc) 10V 13Ohm @ 500mA, 10V 4.5V @ 100µA 24.8 nC @ 10 V ±20V 666 pF @ 25 V - 86W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
IPB60R125C6ATMA1

IPB60R125C6ATMA1

MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK

Infineon Technologies

1,840 -
IPB60R125C6ATMA1

Технический лист

CoolMOS™ C6 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 125mOhm @ 14.5A, 10V 3.5V @ 960µA 96 nC @ 10 V ±20V 2127 pF @ 100 V - 219W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
IPP60R125C6XKSA1

IPP60R125C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3

Infineon Technologies

440 -
IPP60R125C6XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 125mOhm @ 14.5A, 10V 3.5V @ 960µA 96 nC @ 10 V ±20V 2127 pF @ 100 V - 219W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
IPA60R125C6XKSA1

IPA60R125C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP

Infineon Technologies

132 -
IPA60R125C6XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 125mOhm @ 14.5A, 10V 3.5V @ 960µA 96 nC @ 10 V ±20V 2127 pF @ 100 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
SIJH800E-T1-GE3

SIJH800E-T1-GE3

N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

Vishay Siliconix

4,154 -
SIJH800E-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 8 x 8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 29A (Ta), 299A (Tc) 7.5V, 10V 1.55mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±20V 10230 pF @ 40 V - 3.3W (Ta), 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
SIHG24N80AEF-GE3

SIHG24N80AEF-GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

Vishay Siliconix

372 -
SIHG24N80AEF-GE3

Технический лист

EF TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 20A (Tc) 10V 195mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±30V 1889 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
FDMS86152

FDMS86152

MOSFET N-CH 100V 14A/45A POWER56

onsemi

5,114 -
FDMS86152

Технический лист

PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 14A (Ta), 45A (Tc) 6V, 10V 6mOhm @ 14A, 10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V 3370 pF @ 50 V - 2.7W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Total 36284 Record«Prev1... 9293949596979899...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь