TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
FCP190N65F

FCP190N65F

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3

onsemi

2,134 -
FCP190N65F

Технический лист

FRFET®, SuperFET® II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20.6A (Tc) 10V 190mOhm @ 10A, 10V 5V @ 2mA 78 nC @ 10 V ±20V 3225 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
FDBL86363-F085

FDBL86363-F085

MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF

onsemi

1,849 -
FDBL86363-F085

Технический лист

PowerTrench® 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 240A (Tc) 10V 2mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 169 nC @ 10 V ±20V 10000 pF @ 40 V - 357W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-HPSOF
SIHG105N60EF-GE3

SIHG105N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

Vishay Siliconix

367 -
SIHG105N60EF-GE3

Технический лист

EF TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V 102mOhm @ 13A, 10V 5V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±30V 1804 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
TK110U65Z,RQ

TK110U65Z,RQ

DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ

Toshiba Semiconductor and Storage

5,960 -
TK110U65Z,RQ

Технический лист

DTMOSVI 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Ta) 10V 110mOhm @ 12A, 10V 4V @ 1.02mA 40 nC @ 10 V ±30V 2250 pF @ 300 V - 190W (Tc) 150°C - - Surface Mount TOLL
TKR74F04PB,LXGQ

TKR74F04PB,LXGQ

MOSFET N-CH 40V 250A TO220SM

Toshiba Semiconductor and Storage

4,284 -
TKR74F04PB,LXGQ

Технический лист

U-MOSIX-H TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 250A (Ta) 6V, 10V 0.74mOhm @ 125A, 10V 3V @ 1mA 227 nC @ 10 V ±20V 14200 pF @ 10 V - 375W (Tc) 175°C - - Surface Mount TO-220SM(W)
SIHF080N60E-GE3

SIHF080N60E-GE3

E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL

Vishay Siliconix

1,465 -
SIHF080N60E-GE3

Технический лист

E TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 14A (Tc) 10V 80mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±30V 2557 pF @ 100 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
STP20NM50

STP20NM50

MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB

STMicroelectronics

774 -
STP20NM50

Технический лист

MDmesh™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 20A (Tc) 10V 250mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±30V 1480 pF @ 25 V - 192W (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IRFBC40LCPBF

IRFBC40LCPBF

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB

Vishay Siliconix

1,006 -
IRFBC40LCPBF

Технический лист

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.2A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
STP10NK80Z

STP10NK80Z

MOSFET N-CH 800V 9A TO220AB

STMicroelectronics

958 -
STP10NK80Z

Технический лист

SuperMESH™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 9A (Tc) 10V 900mOhm @ 4.5A, 10V 4.5V @ 100µA 72 nC @ 10 V ±30V 2180 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
SIHP080N60E-GE3

SIHP080N60E-GE3

E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,

Vishay Siliconix

716 -
SIHP080N60E-GE3

Технический лист

E TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 35A (Tc) 10V 80mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±30V 2557 pF @ 100 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
STB11NM60T4

STB11NM60T4

MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK

STMicroelectronics

1,512 -
STB11NM60T4

Технический лист

MDmesh™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 450mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±30V 1000 pF @ 25 V - 160W (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
STF11NM60ND

STF11NM60ND

MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP

STMicroelectronics

966 -
STF11NM60ND

Технический лист

FDmesh™ II TO-220-3 Full Pack Tube Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V 450mOhm @ 5A, 10V 5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±25V 850 pF @ 50 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
STH10N80K5-2AG

STH10N80K5-2AG

MOSFET N-CH 800V 8A H2PAK-2

STMicroelectronics

831 -
STH10N80K5-2AG

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tc) 10V 680mOhm @ 4A, 10V 5V @ 100µA 17.3 nC @ 10 V ±30V 426 pF @ 100 V - 121W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount H2Pak-2
FCP125N65S3R0

FCP125N65S3R0

MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3

onsemi

800 -
FCP125N65S3R0

Технический лист

SuperFET® III TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 125mOhm @ 12A, 10V 4.5V @ 2.4mA 46 nC @ 10 V ±30V 1940 pF @ 400 V - 181W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
NTB190N65S3HF

NTB190N65S3HF

MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3

onsemi

2,398 -
NTB190N65S3HF

Технический лист

FRFET®, SuperFET® III TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A (Tc) 10V 190mOhm @ 10A, 10V 5V @ 430µA 34 nC @ 10 V ±30V 1610 pF @ 400 V - 162W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
FDA032N08

FDA032N08

MOSFET N-CH 75V 120A TO3PN

onsemi

220 -
FDA032N08

Технический лист

PowerTrench® TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 120A (Tc) 10V 3.2mOhm @ 75A, 10V 4.5V @ 250µA 220 nC @ 10 V ±20V 15160 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PN
IXTP50N25T

IXTP50N25T

MOSFET N-CH 250V 50A TO220AB

Littelfuse Inc.

518 -
IXTP50N25T

Технический лист

Trench TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 50A (Tc) 10V 50mOhm @ 25A, 10V 5V @ 1mA 78 nC @ 10 V ±30V 4000 pF @ 25 V - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
STW5NK100Z

STW5NK100Z

MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO247-3

STMicroelectronics

378 -
STW5NK100Z

Технический лист

SuperMESH3™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 3.5A (Tc) 10V 3.7Ohm @ 1.75A, 10V 4.5V @ 100µA 59 nC @ 10 V ±30V 1154 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IPP120N08S403AKSA1

IPP120N08S403AKSA1

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

Infineon Technologies

8,103 -
IPP120N08S403AKSA1

Технический лист

OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 120A (Tc) 10V 2.8mOhm @ 100A, 10V 4V @ 223µA 167 nC @ 10 V ±20V 11550 pF @ 25 V - 278W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO220-3-1
SIHG22N60E-GE3

SIHG22N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Vishay Siliconix

432 -
SIHG22N60E-GE3

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 21A (Tc) 10V 180mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±30V 1920 pF @ 100 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
Total 36284 Record«Prev1... 9091929394959697...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь