TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IRFBC40STRLPBF

IRFBC40STRLPBF

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Vishay Siliconix

371 -
IRFBC40STRLPBF

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.2A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRFBC40ASPBF

IRFBC40ASPBF

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Vishay Siliconix

124 -
IRFBC40ASPBF

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.2A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±30V 1036 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
STB17N80K5

STB17N80K5

MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK

STMicroelectronics

948 -
STB17N80K5

Технический лист

MDmesh™ K5 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 14A (Tc) 10V 340mOhm @ 7A, 10V 5V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±30V 866 pF @ 100 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IXTQ50N20P

IXTQ50N20P

MOSFET N-CH 200V 50A TO3P

Littelfuse Inc.

354 -
IXTQ50N20P

Технический лист

Polar TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 50A (Tc) 10V 60mOhm @ 50A, 10V 5V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 2720 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
IXTP14N60X2

IXTP14N60X2

MOSFET N-CH 600V 14A TO220

Littelfuse Inc.

312 -
IXTP14N60X2

Технический лист

Ultra X2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 14A (Tc) 10V 250mOhm @ 7A, 10V 4.5V @ 250µA 16.7 nC @ 10 V ±30V 740 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IXFA130N10T2

IXFA130N10T2

MOSFET N-CH 100V 130A TO263

Littelfuse Inc.

251 -
IXFA130N10T2

Технический лист

HiPerFET™, TrenchT2™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 130A (Tc) 10V 9.1mOhm @ 65A, 10V 4.5V @ 1mA 130 nC @ 10 V ±20V 6600 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA (IXFA)
IPT019N08N5ATMA1

IPT019N08N5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF

Infineon Technologies

3,850 -
IPT019N08N5ATMA1

Технический лист

OptiMOS™ 5 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 32A (Ta), 247A (Tc) 6V, 10V 1.9mOhm @ 150A, 10V 3.8V @ 159µA 127 nC @ 10 V ±20V 9200 pF @ 40 V - 231W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-1
IXFP22N65X2

IXFP22N65X2

MOSFET N-CH 650V 22A TO220

Littelfuse Inc.

269 -
IXFP22N65X2

Технический лист

HiPerFET™, Ultra X2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 22A (Tc) 10V 160mOhm @ 11A, 10V 5.5V @ 1.5mA 38 nC @ 10 V ±30V 2310 pF @ 25 V - 390W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
FDB024N08BL7

FDB024N08BL7

MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7

onsemi

7,507 -
FDB024N08BL7

Технический лист

PowerTrench® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 120A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 4.5V @ 250µA 178 nC @ 10 V ±20V 13530 pF @ 40 V - 246W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
IPP65R150CFDAAKSA1

IPP65R150CFDAAKSA1

MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3

Infineon Technologies

264 -
IPP65R150CFDAAKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 22.4A (Tc) 10V 150mOhm @ 9.3A, 10V 4.5V @ 900µA 86 nC @ 10 V ±20V 2340 pF @ 100 V - 195.3W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO220-3
IPB320P10LMATMA1

IPB320P10LMATMA1

TRENCH >=100V PG-TO263-3

Infineon Technologies

916 -
IPB320P10LMATMA1

Технический лист

OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6.5A (Ta), 63A (Tc) 4.5V, 10V 32mOhm @ 54A, 10V 2V @ 5.55mA 219 nC @ 10 V ±20V 11000 pF @ 50 V - 3.8W (Ta), 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
FDP030N06

FDP030N06

MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

onsemi

759 -
FDP030N06

Технический лист

PowerTrench® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 3.2mOhm @ 75A, 10V 4.5V @ 250µA 151 nC @ 10 V ±20V 9815 pF @ 25 V - 231W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
CSD19506KTT

CSD19506KTT

MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK

Texas Instruments

975 -
CSD19506KTT

Технический лист

NexFET™ TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 200A (Ta) 6V, 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 3.2V @ 250µA 156 nC @ 10 V ±20V 12200 pF @ 40 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
IPP330P10NMAKSA1

IPP330P10NMAKSA1

TRENCH >=100V PG-TO220-3

Infineon Technologies

385 -
IPP330P10NMAKSA1

Технический лист

OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6.9A (Ta), 62A (Tc) 10V 33mOhm @ 53A, 10V 4V @ 5.55mA 236 nC @ 10 V ±20V 11000 pF @ 50 V - 3.8W (Ta), 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
FDP2614

FDP2614

MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3

onsemi

8,994 -
FDP2614

Технический лист

PowerTrench® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 62A (Tc) 10V 27mOhm @ 31A, 10V 5V @ 250µA 99 nC @ 10 V ±30V 7230 pF @ 25 V - 260W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
STW43N60DM2

STW43N60DM2

MOSFET N-CH 600V 34A TO247

STMicroelectronics

600 -
STW43N60DM2

Технический лист

MDmesh™ DM2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 34A (Tc) 10V 93mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±25V 2500 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
STP310N10F7

STP310N10F7

MOSFET N CH 100V 180A TO-220

STMicroelectronics

571 -
STP310N10F7

Технический лист

DeepGATE™, STripFET™ VII TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 2.7mOhm @ 60A, 10V 3.8V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 12800 pF @ 25 V - 315W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
SUP57N20-33-E3

SUP57N20-33-E3

MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB

Vishay Siliconix

401 -
SUP57N20-33-E3

Технический лист

TrenchFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 57A (Tc) 10V 33mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
FDP025N06

FDP025N06

MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

onsemi

939 -
FDP025N06

Технический лист

PowerTrench® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 2.5mOhm @ 75A, 10V 4.5V @ 250µA 226 nC @ 10 V ±20V 14885 pF @ 25 V - 395W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
TK125V65Z,LQ

TK125V65Z,LQ

MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN

Toshiba Semiconductor and Storage

10,000 -
TK125V65Z,LQ

Технический лист

DTMOSVI 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Ta) 10V 125mOhm @ 12A, 10V 4V @ 1.02mA 40 nC @ 10 V ±30V 2250 pF @ 300 V - 190W (Tc) 150°C - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Total 36284 Record«Prev1... 9192939495969798...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь