TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
NP80N055MHE-S18-AY

NP80N055MHE-S18-AY

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

Renesas Electronics Corporation

7,562 -
NP80N055MHE-S18-AY

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 11mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 3600 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 120W (Tc) 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
NP80N06MLG-S18-AY

NP80N06MLG-S18-AY

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

Renesas Electronics Corporation

2,397 -
NP80N06MLG-S18-AY

Технический лист

- TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 8.6mOhm @ 40A, 10V 2.5V @ 250µA 128 nC @ 10 V ±20V 6900 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 115W (Tc) 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
NP82N04PDG-E1-AY

NP82N04PDG-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 82A TO263

Renesas Electronics Corporation

3,300 -
NP82N04PDG-E1-AY

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 82A (Tc) 4.5V, 10V 3.5mOhm @ 41A, 10V 2.5V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 9000 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 143W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263
NP84N075KUE-E1-AY

NP84N075KUE-E1-AY

MOSFET N-CH 75V 84A TO263

Renesas Electronics Corporation

7,310 -
NP84N075KUE-E1-AY

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 84A (Tc) 10V 12.5mOhm @ 42A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 8400 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 200W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263
NP88N03KDG-E1-AY

NP88N03KDG-E1-AY

MOSFET N-CH 30V 88A TO263

Renesas Electronics Corporation

8,651 -
NP88N03KDG-E1-AY

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 88A (Tc) 4.5V, 10V 2.4mOhm @ 44A, 10V 2.5V @ 250µA 250 nC @ 10 V ±20V 13500 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 200W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263
NP88N04NUG-S18-AY

NP88N04NUG-S18-AY

MOSFET N-CH 40V 88A TO262

Renesas Electronics Corporation

3,324 -
NP88N04NUG-S18-AY

Технический лист

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 88A (Tc) 10V 3.4mOhm @ 44A, 10V 4V @ 250µA 250 nC @ 10 V ±20V 15000 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 200W (Tc) 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
NP88N055KUG-E1-AY

NP88N055KUG-E1-AY

MOSFET N-CH 55V 88A TO263

Renesas Electronics Corporation

4,669 -
NP88N055KUG-E1-AY

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 88A (Tc) 10V 3.9mOhm @ 44A, 10V 4V @ 250µA 250 nC @ 10 V ±20V 14400 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 200W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263
NP88N075KUE-E1-AY

NP88N075KUE-E1-AY

MOSFET N-CH 75V 88A TO263

Renesas Electronics Corporation

3,371 -
NP88N075KUE-E1-AY

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 88A (Tc) 10V 8.5mOhm @ 44A, 10V 4V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 12300 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 288W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263
NP88N075MUE-S18-AY

NP88N075MUE-S18-AY

MOSFET N-CH 75V 88A TO220-3

Renesas Electronics Corporation

8,852 -
NP88N075MUE-S18-AY

Технический лист

- TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 88A (Tc) 10V 8.5mOhm @ 44A, 10V 4V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 12300 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 288W (Tc) 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
NP90N04MUG-S18-AY

NP90N04MUG-S18-AY

MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3

Renesas Electronics Corporation

8,144 -
NP90N04MUG-S18-AY

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 90A (Tc) 10V 3mOhm @ 45A, 10V 4V @ 250µA 182 nC @ 10 V ±20V 11200 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 217W (Tc) 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
NP90N06VLG-E1-AY

NP90N06VLG-E1-AY

MOSFET N-CH 60V 90A TO252

Renesas Electronics Corporation

4,165 -
NP90N06VLG-E1-AY

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 7.8mOhm @ 45A, 10V 2.5V @ 250µA 135 nC @ 10 V ±20V 6900 pF @ 25 V - 1.2W (Ta), 105W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
RJK6024DPD-00#J2

RJK6024DPD-00#J2

MOSFET N-CH 600V 400MA MP3A

Renesas Electronics Corporation

2,394 -
RJK6024DPD-00#J2

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 400mA (Ta) 10V 42Ohm @ 200mA, 10V - 4.3 nC @ 10 V ±30V 37.5 pF @ 25 V - 27.2W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount MP-3A
DMS3016SFG-7

DMS3016SFG-7

MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8

Diodes Incorporated

5,475 -
DMS3016SFG-7

Технический лист

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7A (Ta) 4.5V, 10V 13mOhm @ 11.2A, 10V 2.2V @ 250µA 44.6 nC @ 10 V ±12V 1886 pF @ 15 V Schottky Diode (Body) 980mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount POWERDI3333-8
SIHP30N60E-E3

SIHP30N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

Vishay Siliconix

2,193 -
SIHP30N60E-E3

Технический лист

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V 125mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±30V 2600 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
SIHG30N60E-E3

SIHG30N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

Vishay Siliconix

8,540 -
SIHG30N60E-E3

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V 125mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±30V 2600 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
TK10S04K3L(T6L1,NQ

TK10S04K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-CH 40V 10A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

2,123 -
TK10S04K3L(T6L1,NQ

Технический лист

U-MOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 10A (Ta) 6V, 10V 28mOhm @ 5A, 10V 3V @ 1mA 10 nC @ 10 V ±20V 410 pF @ 10 V - 25W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
TK11A60D(STA4,Q,M)

TK11A60D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

6,995 -
TK11A60D(STA4,Q,M)

Технический лист

π-MOSVII TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Ta) 10V 650mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 1mA 28 nC @ 10 V ±30V 1550 pF @ 25 V - 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
TK15A60D(STA4,Q,M)

TK15A60D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

2,606 -
TK15A60D(STA4,Q,M)

Технический лист

π-MOSVII TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Ta) 10V 370mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 1mA 45 nC @ 10 V ±30V 2600 pF @ 25 V - 50W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
TK16A45D(STA4,Q,M)

TK16A45D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 450V 16A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

6,048 -
TK16A45D(STA4,Q,M)

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 450 V 16A - 270mOhm @ 8A, 10V - - - - - - - - - Through Hole TO-220SIS
TK16A55D(STA4,Q,M)

TK16A55D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 550V 16A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

4,421 -
TK16A55D(STA4,Q,M)

Технический лист

π-MOSVII TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 16A (Ta) - 330mOhm @ 8A, 10V 4V @ 1mA 45 nC @ 10 V - 2600 pF @ 25 V - - 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь