TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
TK18E10K3,S1X(S

TK18E10K3,S1X(S

MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3

Toshiba Semiconductor and Storage

9,959 -
TK18E10K3,S1X(S

Технический лист

U-MOSIV TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 18A (Ta) - 42mOhm @ 9A, 10V - 33 nC @ 10 V - - - - 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
TK20P04M1,RQ(S

TK20P04M1,RQ(S

MOSFET N-CH 40V 20A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

2,536 -
TK20P04M1,RQ(S

Технический лист

U-MOSVI-H TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 20A (Ta) 4.5V, 10V 29mOhm @ 10A, 10V 2.3V @ 100µA 15 nC @ 10 V ±20V 985 pF @ 10 V - 27W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
TK20S04K3L(T6L1,NQ

TK20S04K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-CH 40V 20A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

4,802 -
TK20S04K3L(T6L1,NQ

Технический лист

U-MOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 20A (Ta) 6V, 10V 14mOhm @ 10A, 10V 3V @ 1mA 18 nC @ 10 V ±20V 820 pF @ 10 V - 38W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
TK20S06K3L(T6L1,NQ

TK20S06K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

6,402 -
TK20S06K3L(T6L1,NQ

Технический лист

U-MOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 20A (Ta) 6V, 10V 29mOhm @ 10A, 10V 3V @ 1mA 18 nC @ 10 V ±20V 780 pF @ 10 V - 38W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
TK25E06K3,S1X(S

TK25E06K3,S1X(S

MOSFET N-CH 60V 25A TO220-3

Toshiba Semiconductor and Storage

7,605 -
TK25E06K3,S1X(S

Технический лист

U-MOSIV TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 25A (Ta) - 18mOhm @ 12.5A, 10V - 29 nC @ 10 V - - - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
TK2P60D(TE16L1,NQ)

TK2P60D(TE16L1,NQ)

MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD

Toshiba Semiconductor and Storage

8,820 -
TK2P60D(TE16L1,NQ)

Технический лист

π-MOSVII TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2A (Ta) 10V 4.3Ohm @ 1A, 10V 4.4V @ 1mA 7 nC @ 10 V ±30V 280 pF @ 25 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount PW-MOLD
TK30S06K3L(T6L1,NQ

TK30S06K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-CH 60V 30A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

3,283 -
TK30S06K3L(T6L1,NQ

Технический лист

U-MOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Tc) 6V, 10V 18Ohm @ 15A, 10V 3V @ 1mA 28 nC @ 10 V ±20V 1350 pF @ 10 V - 58W (Tc) 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK+
TK40E10K3,S1X(S

TK40E10K3,S1X(S

MOSFET N-CH 100V 40A TO220-3

Toshiba Semiconductor and Storage

3,959 -
TK40E10K3,S1X(S

Технический лист

U-MOSIV TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 40A (Ta) - 15mOhm @ 20A, 10V 4V @ 1mA 84 nC @ 10 V - 4000 pF @ 10 V - - - - - Through Hole TO-220-3
TK40P03M1(T6RDS-Q)

TK40P03M1(T6RDS-Q)

MOSFET N-CH 30V 40A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

7,945 -
TK40P03M1(T6RDS-Q)

Технический лист

U-MOSVI-H TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 40A (Ta) 4.5V, 10V 10.8mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 100µA 17.5 nC @ 10 V ±20V 1150 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount DPAK
TK40S10K3Z(T6L1,NQ

TK40S10K3Z(T6L1,NQ

MOSFET N-CH 100V 40A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

9,847 -
TK40S10K3Z(T6L1,NQ

Технический лист

U-MOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 40A (Ta) 10V 18mOhm @ 20A, 10V 4V @ 1mA 61 nC @ 10 V ±20V 3110 pF @ 10 V - 93W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
TK45P03M1,RQ(S

TK45P03M1,RQ(S

MOSFET N-CH 30V 45A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

7,402 -
TK45P03M1,RQ(S

Технический лист

U-MOSVI-H TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 45A (Ta) 4.5V, 10V 9.7mOhm @ 22.5A, 10V 2.3V @ 200µA 25 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount DPAK
TK4A53D(STA4,Q,M)

TK4A53D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 525V 4A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

5,468 -
TK4A53D(STA4,Q,M)

Технический лист

π-MOSVII TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 525 V 4A (Ta) 10V 1.7Ohm @ 2A, 10V 4.4V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±30V 490 pF @ 25 V - 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
TK4A55D(STA4,Q,M)

TK4A55D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 550V 4A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

3,133 -
TK4A55D(STA4,Q,M)

Технический лист

π-MOSVII TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 4A (Ta) 10V 1.88Ohm @ 2A, 10V 4.4V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±30V 490 pF @ 25 V - 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
TK4A60DB(STA4,Q,M)

TK4A60DB(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

5,265 -

-

π-MOSVII TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.7A (Ta) 10V 2Ohm @ 1.9A, 10V 4.4V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±30V 540 pF @ 25 V - 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
TK4A65DA(STA4,Q,M)

TK4A65DA(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 650V 3.5A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

6,924 -

-

π-MOSVII TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 3.5A (Ta) 10V 1.9Ohm @ 1.8A, 10V 4.4V @ 1mA 12 nC @ 10 V ±30V 600 pF @ 25 V - 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
TK4P50D(T6RSS-Q)

TK4P50D(T6RSS-Q)

MOSFET N-CH 500V 4A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

8,825 -
TK4P50D(T6RSS-Q)

Технический лист

π-MOSVII TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4A (Ta) 10V 2Ohm @ 2A, 10V 4.4V @ 1mA 9 nC @ 10 V ±30V 380 pF @ 25 V - 80W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
TK4P55DA(T6RSS-Q)

TK4P55DA(T6RSS-Q)

MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

5,355 -

-

π-MOSVII TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 3.5A (Ta) 10V 2.45Ohm @ 1.8A, 10V 4.4V @ 1mA 9 nC @ 10 V ±30V 380 pF @ 25 V - 80W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
TK4P55D(T6RSS-Q)

TK4P55D(T6RSS-Q)

MOSFET N-CH 550V 4A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

6,302 -
TK4P55D(T6RSS-Q)

Технический лист

π-MOSVII TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 4A (Ta) 10V 1.88Ohm @ 2A, 10V 4.4V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±30V 490 pF @ 25 V - 80W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
TK4P60DA(T6RSS-Q)

TK4P60DA(T6RSS-Q)

MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

5,443 -

-

π-MOSVII TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.5A (Ta) 10V 2.2Ohm @ 1.8A, 10V 4.4V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±30V 490 pF @ 25 V - 80W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
TK4P60DB(T6RSS-Q)

TK4P60DB(T6RSS-Q)

MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

6,312 -

-

π-MOSVII TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.7A (Ta) 10V 2Ohm @ 1.9A, 10V 4.4V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±30V 540 pF @ 25 V - 80W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь