TomatoElecОтслеживание заказа TomatoElecМой аккаунт
    Популярные запросы CMPA601C025F CGHV96100F2 CGHV96130F AP3012KTR-E1 SMBJ43A-13-F DMN4034SSS-13 FMMT495QTA BZX84-B36-QR SD103AW-7-F DFLU1200-7
    TomatoElec

    Доступно 24/7 по

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Все категории
    Главная > Продукты  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить все
    Применить ко всем
    Результат

    FET и MOSFET

    TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

    Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

    Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

    Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPD50N06S4L12ATMA1

    IPD50N06S4L12ATMA1

    MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11

    Infineon Technologies

    		 5,397 -
    Запрос цены
    		IPD50N06S4L12ATMA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 12mOhm @ 50A, 10V 2.2V @ 20µA 40 nC @ 10 V ±16V 2890 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
    IPD65R660CFDBTMA1

    IPD65R660CFDBTMA1

    MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3

    Infineon Technologies

    		 2,884 -
    Запрос цены
    		IPD65R660CFDBTMA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 6A (Tc) 10V 660mOhm @ 2.1A, 10V 4.5V @ 200µA 22 nC @ 10 V ±20V 615 pF @ 100 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    BSB012NE2LX

    BSB012NE2LX

    MOSFET N-CH 25V 37A/170A 2WDSON

    Infineon Technologies

    		 4,230 -
    Запрос цены
    		BSB012NE2LX

    Технический лист

         		OptiMOS™ 3-WDSON Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 37A (Ta), 170A (Tc) 4.5V, 10V 1.2mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 67 nC @ 10 V ±20V 4900 pF @ 12 V - 2.8W (Ta), 57W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
    BSS84PH6327XTSA1

    BSS84PH6327XTSA1

    MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3

    Infineon Technologies

    		 2,496 -
    Запрос цены
    		BSS84PH6327XTSA1

    Технический лист

         		SIPMOS® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 170mA (Ta) 4.5V, 10V 8Ohm @ 170mA, 10V 2V @ 20µA 1.5 nC @ 10 V ±20V 19 pF @ 25 V - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT23
    SN7002NH6327XTSA1

    SN7002NH6327XTSA1

    MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3

    Infineon Technologies

    		 5,790 -
    Запрос цены
    		SN7002NH6327XTSA1

    Технический лист

         		SIPMOS® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 200mA (Ta) 4.5V, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 1.8V @ 26µA 1.5 nC @ 10 V ±20V 45 pF @ 25 V - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-SOT23
    BUZ30AHXKSA1

    BUZ30AHXKSA1

    MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 3,465 -
    Запрос цены
    		BUZ30AHXKSA1

    Технический лист

         		SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 21A (Tc) 10V 130mOhm @ 13.5A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 1900 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    BUZ31L H

    BUZ31L H

    MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 5,954 -
    Запрос цены
    		BUZ31L H

    Технический лист

         		SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 13.5A (Tc) 5V 200mOhm @ 7A, 5V 2V @ 1mA - ±20V 1600 pF @ 25 V - 95W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    BUZ32 H

    BUZ32 H

    MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 9,378 -
    Запрос цены
    		BUZ32 H

    Технический лист

         		SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9.5A (Tc) 10V 400mOhm @ 6A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 530 pF @ 25 V - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    BUZ73H3046XKSA1

    BUZ73H3046XKSA1

    MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 3,025 -
    Запрос цены
    		BUZ73H3046XKSA1

    Технический лист

         		SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 7A (Tc) 10V 400mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 530 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    BUZ73A H

    BUZ73A H

    MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 8,993 -
    Запрос цены
    		BUZ73A H

    Технический лист

         		SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5.5A (Tc) 10V 600mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 530 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    BUZ73A H3046

    BUZ73A H3046

    MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 9,890 -
    Запрос цены
    		BUZ73A H3046

    Технический лист

         		SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5.5A (Tc) 10V 600mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 530 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    BUZ73LHXKSA1

    BUZ73LHXKSA1

    MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 4,472 -
    Запрос цены
    		BUZ73LHXKSA1

    Технический лист

         		SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 7A (Tc) 5V 400mOhm @ 3.5A, 5V 2V @ 1mA - ±20V 840 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IPA65R110CFDXKSA1

    IPA65R110CFDXKSA1

    MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220

    Infineon Technologies

    		 6,689 -
    Запрос цены
    		IPA65R110CFDXKSA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 31.2A (Tc) 10V 110mOhm @ 12.7A, 10V 4.5V @ 1.3mA 118 nC @ 10 V ±20V 3240 pF @ 100 V - 34.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-111
    IPA65R190C6XKSA1

    IPA65R190C6XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220

    Infineon Technologies

    		 2,029 -
    Запрос цены
    		IPA65R190C6XKSA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20.2A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.3A, 10V 3.5V @ 730µA 73 nC @ 10 V ±20V 1620 pF @ 100 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-111
    IPA65R190CFDXKSA1

    IPA65R190CFDXKSA1

    MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220

    Infineon Technologies

    		 4,081 -
    Запрос цены
    		IPA65R190CFDXKSA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17.5A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.3A, 10V 4.5V @ 730µA 68 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 100 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-111
    IPA65R310CFDXKSA1

    IPA65R310CFDXKSA1

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220

    Infineon Technologies

    		 4,316 -
    Запрос цены
    		IPA65R310CFDXKSA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11.4A (Tc) 10V 310mOhm @ 4.4A, 10V 4.5V @ 440µA 41 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 100 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-111
    IPA65R420CFDXKSA1

    IPA65R420CFDXKSA1

    MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220

    Infineon Technologies

    		 7,340 -
    Запрос цены
    		IPA65R420CFDXKSA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8.7A (Tc) 10V 420mOhm @ 3.4A, 10V 4.5V @ 340µA 32 nC @ 10 V ±20V 870 pF @ 100 V - 31.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-111
    IPA65R600C6XKSA1

    IPA65R600C6XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220

    Infineon Technologies

    		 5,753 -
    Запрос цены
    		IPA65R600C6XKSA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7.3A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.1A, 10V 3.5V @ 210µA 23 nC @ 10 V ±20V 440 pF @ 100 V - 28W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-111
    IPA65R660CFDXKSA1

    IPA65R660CFDXKSA1

    MOSFET N-CH 650V 6A TO220

    Infineon Technologies

    		 4,745 -
    Запрос цены
    		IPA65R660CFDXKSA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 6A (Tc) 10V 660mOhm @ 2.1A, 10V 4.5V @ 200µA 22 nC @ 10 V ±20V 615 pF @ 100 V - 27.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-111
    IPI110N20N3GAKSA1

    IPI110N20N3GAKSA1

    MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3

    Infineon Technologies

    		 4,466 -
    Запрос цены
    		IPI110N20N3GAKSA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 88A (Tc) 10V 11mOhm @ 88A, 10V 4V @ 270µA 87 nC @ 10 V ±20V 7100 pF @ 100 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    Total 36284 Record«Prev1... 16411642164316441645164616471648...1815Next»
    TomatoElec

    Поиск

     TomatoElec

    Продукты

     TomatoElec

    Телефон

     TomatoElec

    Пользователь
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135