TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
AUIRF2805

AUIRF2805

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

Infineon Technologies

3,343 -
AUIRF2805

Технический лист

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 104A, 10V 4V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 5110 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
AUIRF2805S

AUIRF2805S

MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK

Infineon Technologies

7,107 -
AUIRF2805S

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 135A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 104A, 10V 4V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 5110 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
AUIRF2807

AUIRF2807

MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

Infineon Technologies

7,504 -
AUIRF2807

Технический лист

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 75A (Tc) 10V 13mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 3820 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
AUIRF2903Z

AUIRF2903Z

MOSFET N-CH 30V 160A TO220AB

Infineon Technologies

6,201 -
AUIRF2903Z

Технический лист

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 160A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 6320 pF @ 25 V - 290W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
AUIRF2903ZL

AUIRF2903ZL

MOSFET N-CH 30V 160A TO262

Infineon Technologies

6,496 -
AUIRF2903ZL

Технический лист

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 160A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 240 nC @ 10 V ±20V 6320 pF @ 25 V - 231W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
AUIRF2903ZS

AUIRF2903ZS

MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK

Infineon Technologies

3,874 -
AUIRF2903ZS

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 160A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 240 nC @ 10 V ±20V 6320 pF @ 25 V - 231W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
AUIRF3004WL

AUIRF3004WL

MOSFET N-CH 40V 240A TO262-3

Infineon Technologies

5,882 -
AUIRF3004WL

Технический лист

HEXFET® TO-262-3 Wide Leads Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 10V 1.4mOhm @ 195A, 10V 4V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±20V 9450 pF @ 32 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-262-3 Wide
AUIRF3007

AUIRF3007

MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

Infineon Technologies

7,790 -
AUIRF3007

Технический лист

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 75A (Tc) 10V 12.6mOhm @ 48A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 3270 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
AUIRF3315S

AUIRF3315S

MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

Infineon Technologies

3,303 -
AUIRF3315S

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 21A (Tc) 10V 82mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
AUIRF3415

AUIRF3415

MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB

Infineon Technologies

7,149 -
AUIRF3415

Технический лист

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 43A (Tc) 10V 42mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
AUIRF3504

AUIRF3504

MOSFET N-CH 40V 87A TO220AB

Infineon Technologies

7,833 -
AUIRF3504

Технический лист

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 87A (Tc) 10V 9.2mOhm @ 52A, 10V 4V @ 100µA 54 nC @ 10 V ±20V 2150 pF @ 25 V - 143W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
AUIRF3808S

AUIRF3808S

MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK

Infineon Technologies

7,718 -
AUIRF3808S

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 106A (Tc) 10V 7mOhm @ 82A, 10V 4V @ 250µA 220 nC @ 10 V ±20V 5310 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
AUIRF4905L

AUIRF4905L

MOSFET P-CH 55V 42A TO262

Infineon Technologies

5,091 -
AUIRF4905L

Технический лист

HEXFET® TO-262 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 42A (Tc) 10V 20mOhm @ 42A, 10V 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 3500 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262
AUIRF7478Q

AUIRF7478Q

MOSFET N-CH 60V 7A 8SO

Infineon Technologies

8,305 -
AUIRF7478Q

Технический лист

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 7A (Ta) 4.5V, 10V 26mOhm @ 4.2A, 10V 3V @ 250µA 31 nC @ 4.5 V ±20V 1740 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
AUIRF9540N

AUIRF9540N

MOSFET P-CH 100V 23A TO220

Infineon Technologies

8,250 -
AUIRF9540N

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 23A (Tc) 10V 117mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 97 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AB
AUIRF9Z34N

AUIRF9Z34N

MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB

Infineon Technologies

6,335 -
AUIRF9Z34N

Технический лист

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 19A (Tc) 10V 100mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 620 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AB
AUIRFL014N

AUIRFL014N

MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223

Infineon Technologies

4,927 -
AUIRFL014N

Технический лист

HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 1.5A (Ta) 10V 160mOhm @ 1.9A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 190 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
AUIRFL024N

AUIRFL024N

MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223

Infineon Technologies

3,628 -
AUIRFL024N

Технический лист

HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 2.8A (Ta) 10V 75mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 250µA 18.3 nC @ 10 V ±20V 400 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
AUIRFP064N

AUIRFP064N

MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC

Infineon Technologies

9,360 -
AUIRFP064N

Технический лист

HEXFET® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 110A (Tc) 10V 8mOhm @ 59A, 10V 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 4000 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
AUIRFP1405

AUIRFP1405

MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC

Infineon Technologies

9,919 -
AUIRFP1405

Технический лист

HEXFET® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 95A (Tc) 10V 5.3mOhm @ 95A, 10V 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 5600 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь