TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
AUIRFP2602

AUIRFP2602

MOSFET N-CH 24V 180A TO247AD

Infineon Technologies

3,513 -
AUIRFP2602

Технический лист

HEXFET® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 180A (Tc) 10V 1.6mOhm @ 180A, 10V 4V @ 250µA 390 nC @ 10 V ±20V 11220 pF @ 25 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
AUIRFP2907

AUIRFP2907

MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC

Infineon Technologies

9,810 -
AUIRFP2907

Технический лист

HEXFET® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 90A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 125A, 10V 4V @ 250µA 620 nC @ 10 V ±20V 13000 pF @ 25 V - 470W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
AUIRFP4004

AUIRFP4004

MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC

Infineon Technologies

4,510 -
AUIRFP4004

Технический лист

HEXFET® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 10V 1.7mOhm @ 195A, 10V 4V @ 250µA 330 nC @ 10 V ±20V 8920 pF @ 25 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
AUIRFR024N

AUIRFR024N

MOSFET N-CH 55V 17A TO252AA

Infineon Technologies

7,122 -
AUIRFR024N

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 17A (Tc) 10V 75mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 370 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
AUIRFR1018E

AUIRFR1018E

MOSFET N-CH 60V 56A DPAK

Infineon Technologies

4,078 -
AUIRFR1018E

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 56A (Tc) 10V 8.4mOhm @ 47A, 10V 4V @ 100µA 69 nC @ 10 V ±20V 2290 pF @ 50 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
AUIRFR2405

AUIRFR2405

MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

Infineon Technologies

5,028 -
AUIRFR2405

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 10V 16mOhm @ 34A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2430 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
AUIRFR3504

AUIRFR3504

MOSFET N-CH 40V 56A DPAK

Infineon Technologies

2,905 -
AUIRFR3504

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 56A (Tc) 10V 9.2mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 71 nC @ 10 V ±20V 2150 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
AUIRFR3607

AUIRFR3607

MOSFET N-CH 75V 56A DPAK

Infineon Technologies

5,440 -
AUIRFR3607

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 56A (Tc) 10V 9mOhm @ 46A, 10V 4V @ 100µA 84 nC @ 10 V ±20V 3070 pF @ 50 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
AUIRFR3806

AUIRFR3806

MOSFET N-CH 60V 43A DPAK

Infineon Technologies

8,488 -
AUIRFR3806

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 43A (Tc) 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V 4V @ 50µA 30 nC @ 10 V ±20V 1150 pF @ 50 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
AUIRFR4615

AUIRFR4615

MOSFET N-CH 150V 33A DPAK

Infineon Technologies

8,119 -
AUIRFR4615

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 33A (Tc) 10V 42mOhm @ 21A, 10V 5V @ 100µA 26 nC @ 10 V ±20V 1750 pF @ 50 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
AUIRFR4620

AUIRFR4620

MOSFET N-CH 200V 24A DPAK

Infineon Technologies

5,131 -
AUIRFR4620

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 24A (Tc) 10V 78mOhm @ 15A, 10V 5V @ 100µA 38 nC @ 10 V ±20V 1710 pF @ 50 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
AUIRFR9024N

AUIRFR9024N

MOSFET P-CH 55V 11A DPAK

Infineon Technologies

7,300 -
AUIRFR9024N

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 11A (Tc) 10V 175mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
AUIRFS3004

AUIRFS3004

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK-3

Infineon Technologies

3,108 -
AUIRFS3004

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 10V 1.75mOhm @ 195A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 9200 pF @ 25 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK-3 (TO-263)
AUIRFS3004-7P

AUIRFS3004-7P

MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7

Infineon Technologies

7,641 -
AUIRFS3004-7P

Технический лист

HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 10V 1.25mOhm @ 195A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 9130 pF @ 25 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7
AUIRFS3107-7P

AUIRFS3107-7P

MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK

Infineon Technologies

2,880 -
AUIRFS3107-7P

Технический лист

HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 240A (Tc) 10V 2.6mOhm @ 160A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 9200 pF @ 50 V - 370W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
AUIRFS3206

AUIRFS3206

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Infineon Technologies

5,479 -
AUIRFS3206

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 3mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V ±20V 6540 pF @ 50 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
AUIRFS3207Z

AUIRFS3207Z

MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

Infineon Technologies

8,754 -
AUIRFS3207Z

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 120A (Tc) 10V 4.1mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V ±20V 6920 pF @ 50 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
AUIRFS4010

AUIRFS4010

MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK

Infineon Technologies

9,335 -
AUIRFS4010

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 106A, 10V 4V @ 250µA 215 nC @ 10 V ±20V 9575 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
AUIRFS4010-7P

AUIRFS4010-7P

MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK

Infineon Technologies

2,414 -
AUIRFS4010-7P

Технический лист

HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 190A (Tc) 10V 4mOhm @ 110A, 10V 4V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 9830 pF @ 50 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
AUIRFS4310Z

AUIRFS4310Z

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Infineon Technologies

6,067 -
AUIRFS4310Z

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 6mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V ±20V 6860 pF @ 50 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь