FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
SQD30N05-20L_T4GE3

SQD30N05-20L_T4GE3

MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA

Vishay Siliconix

8,826 -
SQD30N05-20L_T4GE3

Технический лист

TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 18 nC @ 5 V ±20V 1175 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
SQD100N02_3M5L4GE3

SQD100N02_3M5L4GE3

MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA

Vishay Siliconix

7,926 -
SQD100N02_3M5L4GE3

Технический лист

TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 3.5mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 5500 pF @ 10 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
TP65H150LSG

TP65H150LSG

GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN

Transphorm

3,151 -
TP65H150LSG

Технический лист

- 3-PowerDFN Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 15A (Tc) 10V 180mOhm @ 10A, 10V 4.8V @ 500µA 7.1 nC @ 10 V ±20V 576 pF @ 400 V - 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-PQFN (8x8)
MSJW20N65-BP

MSJW20N65-BP

MOSFET N-CH TO247

Micro Commercial Co

5,977 -
MSJW20N65-BP

Технический лист

- TO-247-3 Tube Obsolete - - - 20A (Tc) - - - - ±30V - - - - - - Through Hole TO-247-3
NVD360N65S3

NVD360N65S3

MOSFET N-CH 600V DPAK

onsemi

2,432 -

-

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - Automotive AEC-Q101 - -
BSC0804LSATMA1

BSC0804LSATMA1

MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6

Infineon Technologies

8,230 -
BSC0804LSATMA1

Технический лист

OptiMOS™ 5 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 9.6mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 36µA 14.6 nC @ 4.5 V ±20V 2100 pF @ 50 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-6
BSC014N06LS5ATMA1

BSC014N06LS5ATMA1

MOSFET 60V TDSON-8-7

Infineon Technologies

7,855 -

-

OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active - MOSFET (Metal Oxide) 60 V - - - - - - - - - - - - Surface Mount PG-TDSON-8-7
IRFP450PBF

IRFP450PBF

MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC

Infineon Technologies

4,587 -

-

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 14A (Tc) 10V 400mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 2600 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
FDZ372NZ

FDZ372NZ

MOSFET N-CH 20V 4.7A 4WLCSP

Fairchild Semiconductor

5,368 -
FDZ372NZ

Технический лист

PowerTrench® 4-XFBGA, WLCSP Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.7A (Ta) - 50mOhm @ 2A, 4.5V 1V @ 250µA 9.8 nC @ 4.5 V - 685 pF @ 10 V - 1.7W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-WLCSP (1x1)
IRF8113GPBF

IRF8113GPBF

MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO

International Rectifier

3,080 -
IRF8113GPBF

Технический лист

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 17.2A (Ta) 4.5V, 10V 5.6mOhm @ 17.2A, 10V 2.2V @ 250µA 36 nC @ 4.5 V ±20V 2910 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
FQP16N25C

FQP16N25C

MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3

Fairchild Semiconductor

5,299 -
FQP16N25C

Технический лист

QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 15.6A (Tc) 10V 270mOhm @ 7.8A, 10V 4V @ 250µA 53.5 nC @ 10 V ±30V 1080 pF @ 25 V - 139W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRF530

IRF530

MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB

onsemi

7,253 -
IRF530

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 14A (Tc) 10V 160mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 670 pF @ 25 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
FDG326P

FDG326P

MOSFET P-CH 20V 1.5A SC88

Fairchild Semiconductor

2,368 -
FDG326P

Технический лист

PowerTrench® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 1.5A (Ta) 1.8V, 4.5V 140mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.5V @ 250µA 7 nC @ 4.5 V ±8V 467 pF @ 10 V - 750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
FDC633N

FDC633N

MOSFET N-CH 30V 5.2A SUPERSOT6

Fairchild Semiconductor

4,083 -
FDC633N

Технический лист

- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.2A (Ta) 2.5V, 4.5V 42mOhm @ 5.2A, 4.5V 1V @ 250µA 16 nC @ 4.5 V ±8V 538 pF @ 10 V - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
FDH50N50

FDH50N50

MOSFET N-CH 500V 48A TO247-3

Fairchild Semiconductor

3,312 -
FDH50N50

Технический лист

UniFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 48A (Tc) 10V 105mOhm @ 24A, 10V 5V @ 250µA 137 nC @ 10 V ±30V 6460 pF @ 25 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
RFD16N05

RFD16N05

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

2,312 -
RFD16N05

Технический лист

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 16A (Tc) 10V 47mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 80 nC @ 20 V ±20V 900 pF @ 25 V - 72W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
V961-0007-E3

V961-0007-E3

MOSFET N-CH TO-247AC

Vishay Siliconix

7,624 -

-

* - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
AONT21313C

AONT21313C

MOSFET P-CH 30V 8A 6DFN

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

5,183 -
AONT21313C

Технический лист

- 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8A (Ta) 4.5V, 10V 32mOhm @ 8A, 10V 2.3V @ 250µA 14.5 nC @ 10 V ±20V 530 pF @ 15 V - 2.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-DFN (2x2)
R6520KNZC8

R6520KNZC8

MOSFET N-CH 650V 20A TO3

Rohm Semiconductor

9,045 -
R6520KNZC8

Технический лист

- TO-3P-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A (Tc) 10V 205mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 630µA 40 nC @ 10 V ±20V 1550 pF @ 25 V - 68W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
R6050JNZC8

R6050JNZC8

MOSFET N-CH 600V 50A TO3

Rohm Semiconductor

3,675 -
R6050JNZC8

Технический лист

- TO-3P-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 50A (Tc) 15V 83mOhm @ 25A, 15V 7V @ 5mA 120 nC @ 15 V ±30V 4500 pF @ 100 V - 120W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь