FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
NVD6416ANLT4G-001-VF01

NVD6416ANLT4G-001-VF01

MOSFET N-CH 100V 19A DPAK

onsemi

6,014 -

-

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 19A (Tc) 4.5V, 10V 74mOhm @ 19A, 10V 2.2V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V 1000 pF @ 25 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK-3
NVJS3151PT1G

NVJS3151PT1G

MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88

onsemi

2,244 -
NVJS3151PT1G

Технический лист

- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 2.7A (Ta) 1.8V, 4.5V 60mOhm @ 3.3A, 4.5V 1.2V @ 100µA 8.6 nC @ 4.5 V ±12V 850 pF @ 12 V - 625mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
STFU25N60M2-EP

STFU25N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP

STMicroelectronics

7,176 -
STFU25N60M2-EP

Технический лист

MDmesh™ M2 TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 188mOhm @ 9A, 10V 4.75V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±25V 1090 pF @ 100 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
FDMS86181E

FDMS86181E

FET 100V 4.2 MOHM PQFN56

onsemi

3,149 -

-

* - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDP2D9N12C

FDP2D9N12C

PTNG 120V N-FET TO220

onsemi

8,218 -
FDP2D9N12C

Технический лист

PowerTrench® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 18A (Ta), 210A (Tc) 6V, 10V 2.9mOhm @ 100A, 10V 4V @ 686µA 109 nC @ 10 V ±20V 8894 pF @ 60 V - 2.4W (Ta), 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
CMS25N03V8-HF

CMS25N03V8-HF

MOSFET N-CH 30V 25A 8DFN

Comchip Technology

5,645 -
CMS25N03V8-HF

Технический лист

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 25A (Tc) 4.5V, 10V 18mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 7.2 nC @ 4.5 V ±20V 572 pF @ 15 V - 1.7W (Ta), 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3)
AUXVNGP4062D-E

AUXVNGP4062D-E

IC DISCRETE

Infineon Technologies

9,570 -

-

- - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
AUXHKGP4062D-E

AUXHKGP4062D-E

IC DISCRETE

Infineon Technologies

4,917 -

-

- - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
AUXTIFR12N25DTRR

AUXTIFR12N25DTRR

IC DISCRETE

Infineon Technologies

9,875 -

-

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
AUXHAFR6215

AUXHAFR6215

IC DISCRETE

Infineon Technologies

8,623 -

-

- - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
64-4126PBF

64-4126PBF

IC MOSFET

Infineon Technologies

3,489 -

-

- - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
AUXDKG4PC40S-E

AUXDKG4PC40S-E

IC DISCRETE

Infineon Technologies

5,579 -

-

- - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
AUXTALR3915

AUXTALR3915

IC DISCRETE

Infineon Technologies

7,429 -

-

- - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
94-4344PBF

94-4344PBF

IC MOSFET

Infineon Technologies

2,409 -

-

- - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
SQS423ENW-T1_GE3

SQS423ENW-T1_GE3

MOSFET P-CH 30V 16A PPAK 1212-8W

Vishay Siliconix

3,759 -
SQS423ENW-T1_GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® 1212-8W Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 16A (Tc) 4.5V, 10V 21mOhm @ 12A, 10V 2.5V @ 250µA 26 nC @ 4.5 V ±20V 1975 pF @ 15 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® 1212-8W
UPA2738GR-E2-AX

UPA2738GR-E2-AX

MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP

Renesas Electronics Corporation

9,566 -
UPA2738GR-E2-AX

Технический лист

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta) 4.5V, 10V 15mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 1mA 37 nC @ 10 V ±20V 1450 pF @ 10 V - 1.1W (Ta) 150°C - - Surface Mount 8-SOP
N0605N#YW

N0605N#YW

MOSFET N-CHANNEL

Renesas Electronics Corporation

2,555 -

-

* - Tray Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
NVD5484NLT4G-VF01

NVD5484NLT4G-VF01

MOSFET N-CH 60V 10.7A/54A DPAK

onsemi

6,079 -
NVD5484NLT4G-VF01

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 10.7A (Ta), 54A (Tc) 4.5V, 10V 17mOhm @ 25A, 10V 2.5V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±20V 1410 pF @ 25 V - 3.9W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK-3
NVMFS5C645NWFT1G

NVMFS5C645NWFT1G

MOSFET N-CH 60V 20A/92A 5DFN

onsemi

4,727 -
NVMFS5C645NWFT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 20A (Ta), 92A (Tc) 10V 4.6mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 20.4 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
NTDV3055L104T4G

NTDV3055L104T4G

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

onsemi

3,401 -
NTDV3055L104T4G

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 12A (Ta) 5V 104mOhm @ 6A, 5V 2V @ 250µA 20 nC @ 5 V ±15V 440 pF @ 25 V - 1.5W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь