TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
NVMFS5C404NWFT1G-M

NVMFS5C404NWFT1G-M

MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN

onsemi

3,247 -
NVMFS5C404NWFT1G-M Технический лист - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 53A (Ta), 378A (Tc) 10V 0.7mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 128 nC @ 10 V ±20V 8400 pF @ 25 V - 3.9W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
IRF9383MTRPBF

IRF9383MTRPBF

IRF9383 - 20V-250V P-CHANNEL POW

International Rectifier

5,573 -
IRF9383MTRPBF Технический лист HEXFET® DirectFET™ Isometric MX Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 22A (Ta), 160A (Tc) 4.5V, 10V 2.9mOhm @ 22A, 10V 2.4V @ 150µA 130 nC @ 10 V ±20V 7305 pF @ 15 V - 2.1W (Ta), 113W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MX
FCH35N60

FCH35N60

MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3

Fairchild Semiconductor

8,123 -
FCH35N60 Технический лист SuperMOS™ TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 35A (Tc) 10V 98mOhm @ 17.5A, 10V 5V @ 250µA 181 nC @ 10 V ±30V 6640 pF @ 25 V - 312.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
AUIRF3710ZSTRR

AUIRF3710ZSTRR

MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK

International Rectifier

5,896 -
AUIRF3710ZSTRR Технический лист HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 59A (Tc) - 18mOhm @ 35A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V - 2900 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount PG-TO263-3
AUIRF7737L2TR

AUIRF7737L2TR

MOSFET N-CH 40V 31A/156A DIRECT

International Rectifier

3,113 -
AUIRF7737L2TR Технический лист HEXFET® DirectFET™ Isometric L6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 31A (Ta), 156A (Tc) 10V 1.9mOhm @ 94A, 10V 4V @ 150µA 134 nC @ 10 V ±20V 5469 pF @ 25 V - 3.3W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET L6
FDD6530A

FDD6530A

MOSFET N-CH 20V 21A TO252

Fairchild Semiconductor

3,876 -
FDD6530A Технический лист PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 21A (Ta) 2.5V, 4.5V 32mOhm @ 8A, 4.5V 1.2V @ 250µA 9 nC @ 4.5 V ±8V 710 pF @ 10 V - 3.3W (Ta), 33W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
FDS86540

FDS86540

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Fairchild Semiconductor

8,040 -
FDS86540 Технический лист PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 18A (Ta) 8V, 10V 4.5mOhm @ 18A, 10V 4V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V 6410 pF @ 30 V - 2.5W (Ta), 5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
IRF3709PBF

IRF3709PBF

IRF3709 - 12V-300V N-CHANNEL POW

International Rectifier

2,576 -
IRF3709PBF Технический лист HEXFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 41 nC @ 5 V ±20V 2672 pF @ 16 V - 3.1W (Ta), 120W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFH7440TRPBF

IRFH7440TRPBF

IRFH7440 - 12V-300V N-CHANNEL PO

International Rectifier

2,758 -
IRFH7440TRPBF Технический лист HEXFET®, StrongIRFET™ 8-PowerTDFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 85A (Tc) 6V, 10V 2.4mOhm @ 50A, 10V 3.9V @ 100µA 138 nC @ 10 V ±20V 4574 pF @ 25 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
FCPF36N60NT

FCPF36N60NT

MOSFET N-CH 600V 36A TO220F

Fairchild Semiconductor

4,064 -
FCPF36N60NT Технический лист SupreMOS™ TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 36A (Tc) 10V 90mOhm @ 18A, 10V 4V @ 250µA 112 nC @ 10 V ±30V 4785 pF @ 100 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
FDD3706

FDD3706

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Fairchild Semiconductor

2,045 -
FDD3706 Технический лист PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 14.7A (Ta), 50A (Tc) 2.5V, 10V 9mOhm @ 16.2A, 10V 1.5V @ 250µA 23 nC @ 4.5 V ±12V 1882 pF @ 10 V - 3.8W (Ta), 44W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
FDD8874

FDD8874

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

Fairchild Semiconductor

4,034 -
FDD8874 Технический лист PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 18A (Ta), 116A (Tc) 4.5V, 10V 5.1mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 2990 pF @ 15 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
NX3008NBKMB315

NX3008NBKMB315

NOW NEXPERIA NX3008NBKMB SMALL S

NXP USA Inc.

4,035 -
NX3008NBKMB315 Технический лист - SC-101, SOT-883 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 530mA (Ta) 1.8V, 4.5V 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V 1.1V @ 250µA 0.68 nC @ 4.5 V ±8V 50 pF @ 15 V - 360mW (Ta), 2.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN1006B-3
FQP3P20

FQP3P20

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

Fairchild Semiconductor

6,074 -
FQP3P20 Технический лист QFET® TO-220-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 2.8A (Tc) 10V 2.7Ohm @ 1.4A, 10V 5V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±30V 250 pF @ 25 V - 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRF6722MTRPBF

IRF6722MTRPBF

MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT

International Rectifier

8,265 -
IRF6722MTRPBF Технический лист HEXFET® DirectFET™ Isometric MP Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta), 56A (Tc) 4.5V, 10V 7.7mOhm @ 13A, 10V 2.4V @ 50µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1300 pF @ 15 V - 2.3W (Ta), 42W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MP
FDMC8327L

FDMC8327L

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Fairchild Semiconductor

5,102 -
FDMC8327L Технический лист PowerTrench® 8-PowerWDFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 12A (Ta), 14A (Tc) 4.5V, 10V 9.7mOhm @ 12A, 10V 3V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 20 V - 2.3W (Ta), 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
PMPB13XNE,115

PMPB13XNE,115

MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6

NXP USA Inc.

6,716 -
PMPB13XNE,115 Технический лист - 6-XFDFN Exposed Pad Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8A (Ta) 1.8V, 4.5V 16mOhm @ 8A, 4.5V 900mV @ 250µA 36 nC @ 4.5 V ±12V 2195 pF @ 15 V - 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN1010B-6
FQP9N90C

FQP9N90C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

Fairchild Semiconductor

8,277 -
FQP9N90C Технический лист QFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 8A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 4A, 10V 5V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±30V 2730 pF @ 25 V - 205W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
PMPB33XN,115

PMPB33XN,115

MOSFET N-CH 30V 4.3A DFN2020MD-6

NXP USA Inc.

3,235 -
PMPB33XN,115 Технический лист - 6-XFDFN Exposed Pad Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.3A (Ta) 2.5V, 4.5V 47mOhm @ 4.3A, 4.5V 1.2V @ 250µA 7.6 nC @ 4.5 V ±12V 505 pF @ 15 V - 1.5W (Ta), 8.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN1010B-6
SI3443DV

SI3443DV

MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6

Fairchild Semiconductor

5,347 -
SI3443DV Технический лист HEXFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.4A (Ta) 2.5V, 4.5V 65mOhm @ 4.4A, 4.5V 1.5V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±12V 1079 pF @ 10 V - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь